MMC子模块压接式IGBT器件动态特性原位检测电路和方法

    公开(公告)号:CN115877255A

    公开(公告)日:2023-03-31

    申请号:CN202211371504.5

    申请日:2022-11-03

    IPC分类号: G01R31/42 G01R31/26

    摘要: 本发明公开了MMC子模块压接式IGBT器件动态特性原位检测电路和方法。该检测电路包括一个直流电源、一个IGBT全桥模块和一个电感,所述IGBT全桥模块包括第一IGBT器件、第二IGBT器件、第三IGBT器件和第四IGBT器件;所述直流电源接于所述第一IGBT器件集电极和第三IGBT器件发射极的两端;所述电感接于所述第二IGBT器件发射极的引出端;所述第三IGBT器件发射极接于MMC子模块的第六IGBT器件发射极,所述第二IGBT器件通过所述电感接于所述MMC子模块的第五IGBT器件发射极,所述MMC子模块包括第三IGBT半桥电路和与所述第三IGBT半桥电路并联连接的电容,所述第三IGBT半桥电路由第五IGBT器件和第六IGBT器件串联得到。本发明技术方案实现了在不破坏MMC子模块封装的条件下,对所述MMC子模块进行多脉冲测试。

    一种非对称配置的焊接式半桥模块

    公开(公告)号:CN115513202A

    公开(公告)日:2022-12-23

    申请号:CN202211244020.4

    申请日:2022-10-11

    IPC分类号: H01L27/06 H01L23/498

    摘要: 本发明提供了一种非对称配置的焊接式半桥模块,其用于第一非对称电流工况下,在第一非对称电流工况中,流过上桥臂的FRD模块的电流大于流过上桥臂的IGBT模块的电流;其上桥臂包括IGBT模块和FRD模块,IGBT模块包括若干个并联连接的IGBT芯片,FRD模块包括若干个并联连接的FRD芯片;其中,FRD芯片的数量大于IGBT芯片的数量;其下桥臂包括若干个并联连接的RC‑IGBT芯片;其中,RC‑IGBT芯片是由IGBT和续流二极管进行内部集成的芯片。本发明根据不同的非对称电流工况,在综合考虑芯片结温和芯片面积利用率的情况下,配置得到应用于非对称电流工况下的焊接式半桥模块,从而最大程度达到降低芯片结温,增大芯片面积利用率的目的,进而提高了焊接式半桥子模块的可靠性和稳定性。

    一种高温超导线圈缺陷监测装置及监测方法

    公开(公告)号:CN117517396A

    公开(公告)日:2024-02-06

    申请号:CN202311681324.1

    申请日:2023-12-08

    IPC分类号: G01N25/72

    摘要: 本发明涉及超导线圈检测技术领域,公开了一种高温超导线圈缺陷监测装置及监测方法,该监测装置包括:杜瓦,所述杜瓦由内至外依次设有真空腔和液氮腔;隔热支撑组件,位于所述真空腔内,所述隔热支撑组件上均布有温度探头,超导线圈位于所述温度探头上方;超导电流引线;铜电流引线,所述超导电流引线和所述铜电流引线并联焊接,且一端部穿入所述真空腔和所述超导线圈连接,另一端部从所述液氮腔穿出和外接电源相连;加热单元,安装于所述隔热支撑组件上,用于对所述铜电流引线进行加热。本发明的有益效果:测试过程中不受电磁干扰,操作方便,对超导线圈无损伤,降低检测成本,提高检测精度。