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公开(公告)号：CN105067889A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510423841.8
申请日：2015-07-17
Applicant: 广东电网有限责任公司电力科学研究院 , 清华大学 , 广东电网有限责任公司惠州供电局
IPC: G01R27/02
Abstract: 本发明公开了接地网冲击电流导致的二次电缆转移阻抗的测量方法，包括在变电站接地网接入冲击电压发生器、铺设二次电缆、使用标准的冲击电压和电流波形，向接地网的电流入地点注入电流，并从电流流出点抽出电流；使用示波器测量冲击电压发生器的输出电流波形；使用示波器测量铺设的二次电缆在任意一端处的芯线与芯线之间的电位差和该端处芯线与接地网之间的电位差；将测得的两种电位差分别除以2；将获得的两个电位差的峰值分别与测量获得的冲击电压发生器的输出电流峰值相比。本发明通过该测量方法能够获得二次电缆芯线与芯线之间的转移阻抗和芯线与接地网之间的转移阻抗，用于评估接地系统冲击特性，指导接地工程建设。
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公开(公告)号：CN109399554A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811428835.1
申请日：2018-11-27
Applicant: 广东电网有限责任公司惠州供电局 , 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种硅微桥压阻式MEMS温度传感器及其制作方法，所述传感器采用硅微桥双层膜结构，且制作在SOI器件上，下层为SOI器件的顶层硅，所述顶层硅上通过离子注入工艺形成压敏电阻；上层为通过溅射工艺形成的金属铝层；所述硅微桥下方悬空，且不与所述SOI器件的衬底硅相连接。该传感器结构相对稳定，且灵敏度高，硅微桥为可动结构，发生热膨胀时，压敏电阻值发生变化，通过电路的连接可以检测出电阻值的变化，基于电阻值的变化与温度变化呈现的数值关系，从而实现温度的测量。
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公开(公告)号：CN105067889B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201510423841.8
申请日：2015-07-17
Applicant: 广东电网有限责任公司电力科学研究院 , 清华大学 , 广东电网有限责任公司惠州供电局
IPC: G01R27/02
Abstract: 本发明公开了接地网冲击电流导致的二次电缆转移阻抗的测量方法，包括在变电站接地网接入冲击电压发生器、铺设二次电缆、使用标准的冲击电压和电流波形，向接地网的电流入地点注入电流，并从电流流出点抽出电流；使用示波器测量冲击电压发生器的输出电流波形；使用示波器测量铺设的二次电缆在任意一端处的芯线与芯线之间的电位差和该端处芯线与接地网之间的电位差；将测得的两种电位差分别除以2；将获得的两个电位差的峰值分别与测量获得的冲击电压发生器的输出电流峰值相比。本发明通过该测量方法能够获得二次电缆芯线与芯线之间的转移阻抗和芯线与接地网之间的转移阻抗，用于评估接地系统冲击特性，指导接地工程建设。
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公开(公告)号：CN109406004A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811089437.1
申请日：2018-09-18
Applicant: 广东电网有限责任公司惠州供电局 , 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种开关柜温升分析方法，所述方法包括，测量开关柜中的发热点，获取测量数据；对发热点的测量数据进行拟合计算；通过拟合计算，得出发热点的温升系数。该分析方法对高压开关柜具有普适性，用户和/或研究人员能够根据本发明分析方法快捷、有效的获取高压开关柜中各个发热点温升系数，进一步提高了对高压开关柜的可控性。
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公开(公告)号：CN109406004B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201811089437.1
申请日：2018-09-18
Applicant: 广东电网有限责任公司惠州供电局 , 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种开关柜温升分析方法，所述方法包括，测量开关柜中的发热点，获取测量数据；对发热点的测量数据进行拟合计算；通过拟合计算，得出发热点的温升系数。该分析方法对高压开关柜具有普适性，用户和/或研究人员能够根据本发明分析方法快捷、有效的获取高压开关柜中各个发热点温升系数，进一步提高了对高压开关柜的可控性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109399554B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN201811428835.1
申请日：2018-11-27
Applicant: 广东电网有限责任公司惠州供电局 , 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种硅微桥压阻式MEMS温度传感器及其制作方法，所述传感器采用硅微桥双层膜结构，且制作在SOI器件上，下层为SOI器件的顶层硅，所述顶层硅上通过离子注入工艺形成压敏电阻；上层为通过溅射工艺形成的金属铝层；所述硅微桥下方悬空，且不与所述SOI器件的衬底硅相连接。该传感器结构相对稳定，且灵敏度高，硅微桥为可动结构，发生热膨胀时，压敏电阻值发生变化，通过电路的连接可以检测出电阻值的变化，基于电阻值的变化与温度变化呈现的数值关系，从而实现温度的测量。
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公开(公告)号：CN109405990A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811428808.4
申请日：2018-11-27
Applicant: 广东电网有限责任公司惠州供电局 , 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种温度检测系统，所述系统包括传感模块、通信模块、数据模块、以及展示模块；其中，所述传感模块包括温度传感器以及与其连接的边缘计算模块，用于实现温度测量；所述通信模块，用于将所述传感模块的温度测量数据无线传输至所述数据模块；所述数据模块，用于接收温度测量数据；所述展示模块，用于所述温度测量数据的显示与处理。该温度检测系统实现了温度数据的精确测量，且采用无效传输，结构简单，易于布置，使得该系统的通用性更强。
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公开(公告)号：CN209559360U
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201821965998.9
申请日：2018-11-27
Applicant: 广东电网有限责任公司惠州供电局 , 清华大学
IPC: G01K7/24
Abstract: 本实用新型公开了一种温度传感器，所述传感器采用硅微桥双层膜结构，且制作在SOI器件上，下层为SOI器件的顶层硅，所述顶层硅上通过离子注入工艺形成压敏电阻；上层为通过溅射工艺形成的金属铝层；所述硅微桥下方悬空，且不与所述SOI器件的衬底硅相连接。该传感器结构相对稳定，且灵敏度高，硅微桥为可动结构，发生热膨胀时，压敏电阻值发生变化，通过电路的连接可以检测出电阻值的变化，基于电阻值的变化与温度变化呈现的数值关系，从而实现温度的测量。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209541940U
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201821966031.2
申请日：2018-11-27
Applicant: 广东电网有限责任公司惠州供电局 , 清华大学
Abstract: 本实用新型公开了一种基于硅微桥压阻式MEMS温度传感器的温度检测系统，所述系统包括传感模块、通信模块、数据模块、以及展示模块；其中，所述传感模块包括硅微桥压阻式MEMS温度传感器以及与其连接的边缘计算模块，用于实现温度测量；所述通信模块，用于将所述传感模块的温度测量数据无线传输至所述数据模块；所述数据模块，用于接收温度测量数据；所述展示模块，用于所述温度测量数据的显示与处理。该温度检测系统实现了温度数据的精确测量，且采用无效传输，结构简单，易于布置，使得该系统的通用性更强。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN100470991C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200710063246.3
申请日：2007-01-05
IPC: H02H9/02
Abstract: 故障限流器直流控制系统，属于饱和铁芯型电力线路故障限流器技术领域，其特征在于含有：磁能释放回路、第一快速开关IGBT1、励磁恢复回路和恒流回路。磁能释放回路由压敏电阻箝位、第一电容C1吸收能量、可控高压电压源来解决磁能释放时间控制。第一快速开关IGBT1断开时，磁能释放回路起磁能释放作用。励磁恢复回路通过第二快速开关IGBT2的导通来提供恢复励磁的能量，利用可控中压电压源来调整励磁恢复时间。恒流回路在正常状态时维持磁通。本发明用一个与上位机具有通信接口的单片机来实现全自动地完成，三个典型运行状况：限流器稳态运行、限流状态、重合闸状态。
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