一种硅微桥压阻式MEMS温度传感器及其制作方法

    公开(公告)号:CN109399554A

    公开(公告)日:2019-03-01

    申请号:CN201811428835.1

    申请日:2018-11-27

    IPC分类号: B81B7/02 B81C1/00

    摘要: 本发明公开了一种硅微桥压阻式MEMS温度传感器及其制作方法,所述传感器采用硅微桥双层膜结构,且制作在SOI器件上,下层为SOI器件的顶层硅,所述顶层硅上通过离子注入工艺形成压敏电阻;上层为通过溅射工艺形成的金属铝层;所述硅微桥下方悬空,且不与所述SOI器件的衬底硅相连接。该传感器结构相对稳定,且灵敏度高,硅微桥为可动结构,发生热膨胀时,压敏电阻值发生变化,通过电路的连接可以检测出电阻值的变化,基于电阻值的变化与温度变化呈现的数值关系,从而实现温度的测量。

    一种硅微桥压阻式MEMS温度传感器及其制作方法

    公开(公告)号:CN109399554B

    公开(公告)日:2024-02-09

    申请号:CN201811428835.1

    申请日:2018-11-27

    IPC分类号: B81B7/02 B81C1/00

    摘要: 本发明公开了一种硅微桥压阻式MEMS温度传感器及其制作方法,所述传感器采用硅微桥双层膜结构,且制作在SOI器件上,下层为SOI器件的顶层硅,所述顶层硅上通过离子注入工艺形成压敏电阻;上层为通过溅射工艺形成的金属铝层;所述硅微桥下方悬空,且不与所述SOI器件的衬底硅相连接。该传感器结构相对稳定,且灵敏度高,硅微桥为可动结构,发生热膨胀时,压敏电阻值发生变化,通过电路的连接可以检测出电阻值的变化,基于电阻值的变化与温度变化呈现的数值关系,从而实现温度的测量。

    一种温度检测系统
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109405990A

    公开(公告)日:2019-03-01

    申请号:CN201811428808.4

    申请日:2018-11-27

    IPC分类号: G01K7/20 G01K7/22

    摘要: 本发明公开了一种温度检测系统,所述系统包括传感模块、通信模块、数据模块、以及展示模块;其中,所述传感模块包括温度传感器以及与其连接的边缘计算模块,用于实现温度测量;所述通信模块,用于将所述传感模块的温度测量数据无线传输至所述数据模块;所述数据模块,用于接收温度测量数据;所述展示模块,用于所述温度测量数据的显示与处理。该温度检测系统实现了温度数据的精确测量,且采用无效传输,结构简单,易于布置,使得该系统的通用性更强。

    一种基于硅微桥压阻式MEMS温度传感器的温度检测系统

    公开(公告)号:CN209541940U

    公开(公告)日:2019-10-25

    申请号:CN201821966031.2

    申请日:2018-11-27

    IPC分类号: G01K7/20 G01K7/22

    摘要: 本实用新型公开了一种基于硅微桥压阻式MEMS温度传感器的温度检测系统,所述系统包括传感模块、通信模块、数据模块、以及展示模块;其中,所述传感模块包括硅微桥压阻式MEMS温度传感器以及与其连接的边缘计算模块,用于实现温度测量;所述通信模块,用于将所述传感模块的温度测量数据无线传输至所述数据模块;所述数据模块,用于接收温度测量数据;所述展示模块,用于所述温度测量数据的显示与处理。该温度检测系统实现了温度数据的精确测量,且采用无效传输,结构简单,易于布置,使得该系统的通用性更强。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种MEMS温度传感器及其开关柜测温系统

    公开(公告)号:CN207317959U

    公开(公告)日:2018-05-04

    申请号:CN201721250354.7

    申请日:2017-09-27

    IPC分类号: G01K7/16

    摘要: 本实用新型提供了一种MEMS温度传感器及其开关柜测温系统,所述温度传感器包括前端结构、后端电路、无线信号转换电路和供能电路,所述前端结构采用悬臂梁结构,一悬臂梁的一端固定,另一端悬空;并且所述悬臂梁为铝层和SOI器件层硅层的双层结构;所述后端电路包括CMOS开关电容放大器,所述CMOS开关电容放大器将所述前端结构生成的电信号进行放大;所述无线信号转换电路接收后端电路的所述电信号,并通过天线发送;所述供能电路用于通过无线方式对所述MEMS温度传感器供电。MEMS温度传感器实现了微小化、测温精度高、可靠性高,并且有效稳定地实现对开关柜温度的测量。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种温度传感器
    7.
    实用新型

    公开(公告)号:CN209559360U

    公开(公告)日:2019-10-29

    申请号:CN201821965998.9

    申请日:2018-11-27

    IPC分类号: G01K7/24

    摘要: 本实用新型公开了一种温度传感器,所述传感器采用硅微桥双层膜结构,且制作在SOI器件上,下层为SOI器件的顶层硅,所述顶层硅上通过离子注入工艺形成压敏电阻;上层为通过溅射工艺形成的金属铝层;所述硅微桥下方悬空,且不与所述SOI器件的衬底硅相连接。该传感器结构相对稳定,且灵敏度高,硅微桥为可动结构,发生热膨胀时,压敏电阻值发生变化,通过电路的连接可以检测出电阻值的变化,基于电阻值的变化与温度变化呈现的数值关系,从而实现温度的测量。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种MEMS电场传感器及其无线供能系统与方法

    公开(公告)号:CN107860985A

    公开(公告)日:2018-03-30

    申请号:CN201711270544.X

    申请日:2017-12-05

    IPC分类号: G01R29/12 H02J50/20

    CPC分类号: G01R29/12 H02J50/20

    摘要: 一种MEMS电场传感器的无线供能系统,供能方法及MEMS电场传感器。无线供能系统包括信号源、功率放大器、发射天线、接收天线、后端电路;信号源产生的高频交流信号经过功率放大器放大,然后经过发射天线转换为高频电磁波,接收天线接收高频电磁波并转为了电能,后端电路经过一系列的整流、滤波、电压电流转换为满足后端负载所需的电能;其中接收天线、后端电路和电场感应芯片、信号处理电路共同组成MEMS电场传感器。该电场传感器采用无线供能方案,解决了长期持续工作的供能问题,并且保证了电位隔离;同时,集成传感器体积微小,引起的电场畸变程度小,测量准确度高。