公开(公告)号：CN115831240A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211573477.X

申请日：2022-12-08

申请人： 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

发明人： 何广剑 ,  韦亚一 ,  范泰安 ,  薛静

IPC分类号： G16C10/00 ,  G16C20/10

摘要： 本申请提供了一种建模方法、装置、计算机可读存储介质以及处理器，该方法包括：根据光酸发生剂的浓度和泊松生成器，确定酸分子的初始数量，根据碱淬灭剂的浓度和泊松生成器，确定碱分子的初始数量，根据聚合物树脂的浓度和泊松生成器，确定聚合物树脂中保护基团的初始数量；确定步骤，根据当前时刻保护基团的分子数量，确定下一时刻保护基团的分子数量，根据当前时刻酸分子的数量，确定下一时刻酸分子的数量，根据当前时刻碱分子的数量，确定下一时刻碱分子的数量；重复确定步骤多次，直到当前次的下一时刻为光刻胶烘烤的结束时刻。该方法解决了现有技术中在进行纳米级别的光刻建模时，忽视分子的随机性的技术问题。

公开(公告)号：CN113589654B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202110712768.1

申请日：2021-06-25

申请人： 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

发明人： 范泰安 ,  韦亚一 ,  粟雅娟 ,  董立松

IPC分类号： G03F7/20

摘要： 本发明能够提供一种用于优化光刻工艺的方法及装置、计算机存储介质。该方法包括如下步骤：获取目标光刻胶的数据，目标光刻胶的数据包括光刻胶空间数据和光刻胶成分数据；根据该光刻胶空间数据对目标光刻胶占据的空间进行分割，以确定多个单元块。每个单元块上均设置有格点；根据光刻胶成分数据确定目标光刻胶上各个格点位置处的原始状态信息，根据预设工艺参数和原始状态信息确定经过曝光后的目标光刻胶上各个格点位置处的当前状态信息；通过当前状态信息预测显影后的目标光刻胶形貌；本发明能够提前预测出显影后的光刻胶形貌，以指导和优化实际光刻工艺，并有助于对新品种或新类型光刻胶的研发，推进研发进度和降低研发成本。

公开(公告)号：CN113589654A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202110712768.1

申请日：2021-06-25

申请人： 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

发明人： 范泰安 ,  韦亚一 ,  粟雅娟 ,  董立松

IPC分类号： G03F7/20

摘要： 本发明能够提供一种用于优化光刻工艺的方法及装置、计算机存储介质。该方法包括如下步骤：获取目标光刻胶的数据，目标光刻胶的数据包括光刻胶空间数据和光刻胶成分数据；根据该光刻胶空间数据对目标光刻胶占据的空间进行分割，以确定多个单元块。每个单元块上均设置有格点；根据光刻胶成分数据确定目标光刻胶上各个格点位置处的原始状态信息，根据预设工艺参数和原始状态信息确定经过曝光后的目标光刻胶上各个格点位置处的当前状态信息；通过当前状态信息预测显影后的目标光刻胶形貌；本发明能够提前预测出显影后的光刻胶形貌，以指导和优化实际光刻工艺，并有助于对新品种或新类型光刻胶的研发，推进研发进度和降低研发成本。