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公开(公告)号：CN113589654B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202110712768.1
申请日：2021-06-25
申请人： 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明能够提供一种用于优化光刻工艺的方法及装置、计算机存储介质。该方法包括如下步骤：获取目标光刻胶的数据，目标光刻胶的数据包括光刻胶空间数据和光刻胶成分数据；根据该光刻胶空间数据对目标光刻胶占据的空间进行分割，以确定多个单元块。每个单元块上均设置有格点；根据光刻胶成分数据确定目标光刻胶上各个格点位置处的原始状态信息，根据预设工艺参数和原始状态信息确定经过曝光后的目标光刻胶上各个格点位置处的当前状态信息；通过当前状态信息预测显影后的目标光刻胶形貌；本发明能够提前预测出显影后的光刻胶形貌，以指导和优化实际光刻工艺，并有助于对新品种或新类型光刻胶的研发，推进研发进度和降低研发成本。
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公开(公告)号：CN113608410B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202110672856.3
申请日：2021-06-17
申请人： 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
摘要： 本申请涉及一种晶圆对准掩膜版生成方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：获取晶圆对准的标识图形；将所述标识图形输入至预设的工艺模型，得到所述工艺模型输出的晶圆对准标识；通过预设的衍射光强模型，得到所述晶圆对准标识的第一衍射光强和第二衍射光强；根据所述第一衍射光强和第二衍射光强，得到所述晶圆对准的关键性能指标；若所述关键性能指标在预设的指标阈值内，则生成掩膜版制备指令；所述掩膜版制备指令用于指示生成所述晶圆对准掩膜版。采用本方法能够提高晶圆对准掩膜版制备的效率。
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公开(公告)号：CN115587545B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211471556.X
申请日：2022-11-23
申请人： 广州粤芯半导体技术有限公司 , 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC分类号： G06F30/27 , G06F18/214 , G06N3/04 , G06N3/084
摘要： 本申请提出了一种用于光刻胶的参数优化方法、装置、设备及存储介质，该方法包括：采集实验数据，并对实验数据进行缺陷检测，获取通过缺陷检测的有效实验数据；基于有效实验数据，采用深度学习算法构建光刻胶减量模型；基于光刻胶减量模型进行预测，得到光刻胶减量模型的预测结果；当预测结果为合格时，对光刻胶减量模型进行反向训练；根据反向训练后的光刻胶减量模型，确定旋涂目标对应的工艺参数。本申请采用深度学习算法根据实际旋涂工艺参数构建光刻胶减量模型，并对模型进行优化，准确地对光刻胶减量进行预测，得到光刻胶目标厚度对应的所需工艺参数，从而有效提高光刻胶减量效率和适用性，并降低晶圆的制造成本。
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公开(公告)号：CN113051863B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202110271530.X
申请日：2021-03-12
申请人： 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
摘要： 本发明涉及一种半导体建模方法、半导体建模装置、存储介质及计算机设备，包括：获取实际衬底图像；基于所述实际衬底图像，得到衬底表面轮廓上若干坐标位点的坐标信息；基于所述坐标信息，得到各所述坐标位点的反应速率；基于各所述坐标位点的反应速率，对衬底表面的生长轮廓进行演化，以得到所述衬底表面的沉积模型。上述半导体建模方法、装置、存储介质及计算机设备可以更加真实的模拟出衬底上进行薄膜沉积后的形貌及可能出现的孔洞、缝隙等薄膜缺陷，从而对薄膜生长工艺具备更好的指导意义。
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公开(公告)号：CN112965349A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110130424.X
申请日：2021-01-29
申请人： 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC分类号： G03F9/00
摘要： 本发明涉及一种晶圆对准方法及晶圆双面测量系统，该晶圆对准方法包括：提供晶圆，所述晶圆的正面具有正面对准标识；于所述晶圆的背面设置背面对准标识；建立所述正面对准标识与所述背面对准标识的坐标对应关系；量测所述背面对准标识的位置，基于量测的所述背面对准标识的位置及所述正面对准标识与所述背面对准标识的坐标对应关系得到所述正面对准标识的位置，并基于得到的所述正面对准标识的位置完成对准。该晶圆对准方法无需获取晶圆内部正面对准标识的坐标位置，而是直接测量背面对准标识，然后通过其与正面对准标识的坐标对应关系，得到正面对准标识的坐标，从而实现晶圆正面对准标识的精确定位。
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公开(公告)号：CN112729133A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011509110.2
申请日：2020-12-18
申请人： 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
摘要： 本发明提供了一种基于探测光栅衍射强度测量薄膜厚度的方法及装置，包括：提供待测晶圆；控制预设波长的探测光源照射待测晶圆具有薄膜结构一侧，探测光源透过薄膜结构照射多个光栅区，探测光源在多个光栅区衍射后透过薄膜结构出射；采集每个光栅区的预设位置衍射时分别透过第i薄膜层的第i预设衍射光，第i预设衍射光为预设衍射级次的衍射光；根据第i预设衍射光确定每个光栅区的预设位置衍射时分别透过第i薄膜层的第i光栅衍射强度；参考每个光栅区的预设位置分别位于晶片的坐标和每个光栅区的预设位置分别对应的第i光栅衍射强度，拟合第i薄膜层的厚度曲线。本发明无需增加额外工艺，能够有效保证晶圆的制作成本低廉。
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公开(公告)号：CN113031390B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202110274061.7
申请日：2021-03-15
申请人： 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
摘要： 本发明涉及一种激光直写仿真的方法、激光直写的方法、激光直写仿真的装置及激光直写的装置，包括：获取待刻蚀材料的激光直写能量分布模型；利用二分法确定各个焦平面的位置；根据各个焦平面的位置和激光直写能量分布模型，得到多束激光束对待刻蚀材料进行激光直写时在待刻蚀材料内产生的能量分布仿真结果；多束激光束对所述待刻蚀材料进行激光直写后在待刻蚀材料上产生预设的立体图案，立体图案的高宽比大于预设值。上述激光直写仿真的方法可以得到利用二分法确定各个焦平面的位置后，可以提高图案化后形成图像的保真度的结果，从而提高了在待刻蚀材料上书写高宽比图像的可行性，使得激光直写可以被用用到更多的交叉学科和领域。
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公开(公告)号：CN117518708A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311602348.3
申请日：2023-11-27
申请人： 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
摘要： 一种图形修正方法，包括：获得探测版图，所述探测版图包括若干所述第一曝光图形和若干所述第二曝光图形，通过在探测版图内建立粗探测区的方法，且以所述第一曝光图形与所述第二曝光图形相邻的轮廓边为第一轮廓边，以所述第二曝光图形与所述第一曝光图形相邻的轮廓边为第二轮廓边，获取所述第一轮廓边和所述第二轮廓边之间的最小距离值，所述最小距离值用于计算相邻所述第一曝光图形和所述第二曝光图形之间的桥连缺陷的概率，所述最小距离值越小，产生桥连缺陷的概率越大，仅将可能产生桥连缺陷的第一轮廓边和第二轮廓边包括在各精细探测区内进行计算，而不需要对所有的轮廓边的检测点进行计算，极大地减少了计算量，利于缩短数据处理时间。
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公开(公告)号：CN115933317A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211582100.0
申请日：2022-12-09
申请人： 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC分类号： G03F7/16
摘要： 本申请提供了一种旋涂方法、其控制装置以及旋涂系统。该方法包括：第一控制步骤，控制放置有晶圆的台面以第一转速旋转持续第一时间段，并控制喷射单元喷射第一体积的光刻胶至晶圆的表面，光刻胶至少包括溶剂以及光敏化合物；第二控制步骤，控制台面以第二转速旋转持续第二时间段，直到光刻胶覆盖晶圆的表面，第二转速小于第一转速；第三控制步骤，控制台面以第三转速旋转持续第三时间段，第三转速大于第二转速且小于第一转速。该方法采用先高速旋转喷射光刻胶、再低速覆盖晶圆、最后高速旋涂的方式进行光刻胶旋涂，达到了减少光刻胶膜厚的目的，从而实现了节省光刻胶的技术效果，进而解决了光刻胶消耗量大、利用率低的技术问题。
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公开(公告)号：CN112729133B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202011509110.2
申请日：2020-12-18
申请人： 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
摘要： 本发明提供了一种基于探测光栅衍射强度测量薄膜厚度的方法及装置，包括：提供待测晶圆；控制预设波长的探测光源照射待测晶圆具有薄膜结构一侧，探测光源透过薄膜结构照射多个光栅区，探测光源在多个光栅区衍射后透过薄膜结构出射；采集每个光栅区的预设位置衍射时分别透过第i薄膜层的第i预设衍射光，第i预设衍射光为预设衍射级次的衍射光；根据第i预设衍射光确定每个光栅区的预设位置衍射时分别透过第i薄膜层的第i光栅衍射强度；参考每个光栅区的预设位置分别位于晶片的坐标和每个光栅区的预设位置分别对应的第i光栅衍射强度，拟合第i薄膜层的厚度曲线。本发明无需增加额外工艺，能够有效保证晶圆的制作成本低廉。
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