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公开(公告)号：CN117300299A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311533188.1
申请日：2023-11-16
申请人： 广东省科学院中乌焊接研究所
IPC分类号： B23K9/08
摘要： 本申请实施例提供一种磁控窄间隙焊接系统及控制方法，涉及焊接控制技术领域。磁控窄间隙焊接控制方法包括：焊接开始前设置多个焊接工艺参数，焊接开始后，获取多个工艺参数反馈值，所述多个反馈值包括电路参数、磁场强度、焊枪距离、焊接速度和送丝速度等；根据所述多个反馈值，调整焊接控制参数，所述焊接控制参数包括以下至少一种：焊枪距离参数、磁场强度参数或焊丝速度参数；根据调整后的所述焊接控制参数，控制所述焊接系统进行焊接。利用多个反馈值控制，形成了闭环的控制方式，焊接过程多参数协同控制，解决侧壁未熔合、焊缝不对称问题。并且历史焊接工艺数据能够为优化工艺参数提供充足的数据支持，从而优化焊缝质量。
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公开(公告)号：CN117161533A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311378205.9
申请日：2023-10-23
申请人： 广东省科学院中乌焊接研究所
IPC分类号： B23K20/00 , B23K20/26 , B23K103/18
摘要： 本发明公开了一种钛‑钢扩散焊接头及其焊接方法，涉及钛‑钢扩散焊接头技术领域。钛‑钢扩散焊接头包括钛合金和不锈钢，且在钛合金和不锈钢的接触面有中间化合物层。本发明通过在钛合金和不锈钢的接触面设置多主元高熵合金薄膜作为中间层，显著改善了接头开裂的技术难题，大幅提升了钛‑钢扩散焊接头的接头剪切强度，具有独特的性能优势和良好的经济效益，实现两种材料的优势互补。真空扩散焊的焊接方法可有效避免大气成分对接头的不利影响，同时还能消除工件表面的残余应力，提高零件的疲劳强度和耐磨性。
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公开(公告)号：CN113405595B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202110598293.8
申请日：2021-05-28
申请人： 广东省科学院中乌焊接研究所
IPC分类号： G01D21/02
摘要： 本发明涉及测量仪器技术领域，尤其涉及一种焊接坡口测量仪及其使用方法，包括尺本体、竖直游标卡尺和水平游标卡尺，尺本体安装有第一容栅传感组件和第二容栅传感组件，竖直游标卡尺滑动插设于第一容栅传感组件，水平游标卡尺滑动插设于第二容栅传感组件。竖直游标卡尺的下端安装有温度感应器。尺本体的下表面设有第一凸起部，水平游标卡尺的下表面设有与第一凸起部对应的第二凸起部，第一凸起部和第二凸起部相接时，水平游标卡尺的读数归零。通过该焊接坡口测量仪可以方便快速地测得焊接坡口宽度、焊缝深度及焊缝温度。
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公开(公告)号：CN114015991A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111195016.9
申请日：2021-10-13
申请人： 广东省科学院中乌焊接研究所
IPC分类号： C23C14/35 , C23C14/08 , C23C14/58 , C23C14/54 , C23C14/02 , C01G15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明提供了一种氧化镓纳米线的制备方法，属于半导体技术领域。本发明采用物理气相沉积的磁控溅射技术，利用氧化镓在400‑600℃的环境下失氧，从而在缓冲层上凝聚成镓滴进行自催化生长，解决了反应物利用率低的问题，同时无需引入Au等贵金属催化剂，提高了氧化镓纳米线的制备效率，且制备的氧化镓纳米线附着力好。
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公开(公告)号：CN113405595A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110598293.8
申请日：2021-05-28
申请人： 广东省科学院中乌焊接研究所
IPC分类号： G01D21/02
摘要： 本发明涉及测量仪器技术领域，尤其涉及一种焊接坡口测量仪及其使用方法，包括尺本体、竖直游标卡尺和水平游标卡尺，尺本体安装有第一容栅传感组件和第二容栅传感组件，竖直游标卡尺滑动插设于第一容栅传感组件，水平游标卡尺滑动插设于第二容栅传感组件。竖直游标卡尺的下端安装有温度感应器。尺本体的下表面设有第一凸起部，水平游标卡尺的下表面设有与第一凸起部对应的第二凸起部，第一凸起部和第二凸起部相接时，水平游标卡尺的读数归零。通过该焊接坡口测量仪可以方便快速地测得焊接坡口宽度、焊缝深度及焊缝温度。
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公开(公告)号：CN112831750A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202110002490.9
申请日：2021-01-04
申请人： 广东省科学院中乌焊接研究所
摘要： 本发明的实施例提供了一种在衬底上生长氧化镓薄膜的方法和氧化镓薄膜，涉及半导体技术领域。方法包括对衬底进行表面清洁处理；将衬底置于真空室内，对衬底的表面进行溅射清洗；采用物理气相沉积方法在衬底上生长氧化镓薄膜，其中，生长温度为：25℃‑200℃，优化低温生长的工艺窗口，可实现氧化镓薄膜在高温下性能活泼、易变形或易产生界面层的衬底上生长；通过加热盘在氧化镓薄膜的正上方对氧化镓薄膜进行真空原位退火，其中，退火温度为：500℃～700℃，优化退火工艺窗口，能有效促进氧化镓薄膜的重结晶，提高结晶程度；待氧化镓薄膜在真空室内冷却至室温，取出氧化镓薄膜。
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公开(公告)号：CN117107349A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311039075.6
申请日：2023-08-17
申请人： 广东省科学院中乌焊接研究所
摘要： 本发明公开了一种衬底表面生长氮化镓层的方法、应用及氮化镓半导体材料，涉及半导体技术领域。包括采用磁控溅射技术在衬底表面低温沉积氮化铝缓冲层，氮化铝缓冲层的厚度为10～20nm，采用MOCVD工艺在氮化铝缓冲层表面高温外延依次形成氮化铝层和氮化镓层。通过采用磁控溅射低温沉积与MOCVD高温外延相结合的方法，一方面有利于克服SiNx界面层的产生，生长出质量合格的氮化镓薄膜；另一方面，上述两种方法的结合在沉积过程中形成了岛状核层，利用岛状形核层可有助于释放薄膜应力，从而提高材料质量。
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公开(公告)号：CN116799078A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310756269.1
申请日：2023-06-25
申请人： 广东省科学院中乌焊接研究所
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/108 , G01J1/42
摘要： 本发明公开了一种光电探测器的非对称电极及制备方法、光电探测器和应用，涉及半导体技术领域。包括金属电极和半导体层，金属电极包括第一金属电极和第二金属电极，第一金属电极和第二金属电极间隔设置于半导体层的表面。第一金属电极包括功函数大于5.0eV的金属材料。第二金属电极包括功函数处于4.2～4.4eV之间的金属材料。由于第一电极和第二电极的材料功函数不同，每个电极与半导体层之间都能产生一个肖特基势垒高度，当第一电极和第二电极材料不同以后，半导体层上的第一电极和第二电极之间就会产生肖特基势垒高度差，利用这个肖特基势垒高度差能够使光生电子‑空穴对在内建电场的作用下有效分离，从而提高器件的光响应度。
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公开(公告)号：CN116021121A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202310032208.0
申请日：2023-01-10
申请人： 广东省科学院中乌焊接研究所
摘要： 本发明公开了一种中大厚度钛合金磁控窄间隙TIG焊接方法和应用，涉及金属焊接技术领域。包括在腹板和翼板之间的坡口内，利用磁控窄间隙TIG设备焊接，坡口的角度满足α＝0.07d+4，其中，d为腹板的厚度。由于磁场的加入，使得焊接热量向侧壁分散，促进了侧壁熔合，使钛合金板可承受大电流焊接，提高了焊接效率和质量。同时通过公式控制坡口角度，为不同厚度的腹板焊接提供了依据，将坡口角度控制在公式要求内，可以减少了焊接变形的发生。
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公开(公告)号：CN113996898B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202111334465.7
申请日：2021-11-11
申请人： 广东省科学院中乌焊接研究所
摘要： 本发明涉及焊接设备领域，提供了一种焊接用保护气罩和焊接系统，包括罩体和至少一个筛板，每个筛板与罩体连接围成一个气仓，每个气仓内设置有气体分布管，气体分布管上设置有多个第一出气孔，多个第一出气孔沿气体分布管的长度方向分布；多个第一出气孔的朝向均为远离筛板的方向，筛板上设置有多个第二出气孔。由于保护气罩的具体结构设计，使其能实现两级紊流‑层流转变，保护气氛的稳定性好。焊接系统，包括焊枪和上述的焊接用保护气罩。在优选的方案中，焊接系统还包括高度调节系统、送气系统以及控制系统等，如此设置可实现焊接过程直接作用部件的焊接高度以及气体流量的精准控制，进一步保证焊接过程气体保护的稳定性。
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