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公开(公告)号:CN113417157A
公开(公告)日:2021-09-21
申请号:CN202110679004.7
申请日:2021-06-18
摘要: 本发明公开了一种超耐洗双功能可穿戴电子织物及其制备方法。它在织物基底上,加入氯化铁与5‑磺基水杨酸进行反应,反应结束后加入导电聚合物单体以原位聚合的方式得到导电聚合物@织物,然后通过电化学沉积将花状结晶的银修饰到导电聚合物@织物上,得到银花修饰的导电聚合物/银花@织物。本发明提供了一种全新的纺织品的修饰方法,有效提高了导电纺织品的灵敏度和检测范围,多层组合应用于双功能压力/应变传感器。可以检测到0‑900kPa的超宽压力区间,且灵敏度能达到17.41kPa‑1。该设计方案构筑的传感器显示了超高的动、静态稳定性,可被用来跟踪多种人体物理信号。
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公开(公告)号:CN114284375A
公开(公告)日:2022-04-05
申请号:CN202111599331.8
申请日:2021-12-24
IPC分类号: H01L31/0336 , H01L31/109 , H01L31/18 , H01L31/0224
摘要: 本发明公开了一种自供电异质结深紫外光电探测器及其制备方法。所述的探测器从下而上依次为基板、ε相Ga2O3薄膜、ZnO薄膜光敏层、顶电极和侧电极,其中,顶电极形成在光敏层上,侧电极形成在所述光敏层之外的ε相Ga2O3薄膜上,当侧电极形成在所述光敏层之外的ε相Ga2O3薄上时,光敏层与ε相Ga2O3薄膜之间形成异质结。该光电探测器的ε相Ga2O3薄膜与光敏层形成的异质结对深紫外光具有很高的选择性,并且在无电压施加的情况下,器件仍然有稳定的深紫外光探测能力。
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公开(公告)号:CN114284375B
公开(公告)日:2024-09-03
申请号:CN202111599331.8
申请日:2021-12-24
IPC分类号: H01L31/0336 , H01L31/109 , H01L31/18 , H01L31/0224
摘要: 本发明公开了一种自供电异质结深紫外光电探测器及其制备方法。所述的探测器从下而上依次为基板、ε相Ga2O3薄膜、ZnO薄膜光敏层、顶电极和侧电极,其中,顶电极形成在光敏层上,侧电极形成在所述光敏层之外的ε相Ga2O3薄膜上,当侧电极形成在所述光敏层之外的ε相Ga2O3薄上时,光敏层与ε相Ga2O3薄膜之间形成异质结。该光电探测器的ε相Ga2O3薄膜与光敏层形成的异质结对深紫外光具有很高的选择性,并且在无电压施加的情况下,器件仍然有稳定的深紫外光探测能力。
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