一种复合透明导电薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN114351089A

    公开(公告)日:2022-04-15

    申请号:CN202210000728.9

    申请日:2022-01-03

    摘要: 本发明公开了一种复合透明导电薄膜及其制备方法,制备方法包括以下步骤:S1、衬底前处理:对衬底表面进行清洗以保证衬底表面干净无杂质并进行烘干;S2、第一氧化物层制备:使用射频磁控溅射法在衬底上沉积第一氧化物层;S3、金属层制备:使用直流磁控溅射法在第一氧化物层上沉积金属层;S4、第二氧化物层制备:使用射频磁控溅射法在金属层上沉积第二氧化物层。本发明的复合透明导电薄膜及其制备方法具有制备工艺简单、光电性能优异、成本低廉和应用广泛的特点。

    一种扇形束太赫兹层析成像系统及其扫描方法

    公开(公告)号:CN111208095A

    公开(公告)日:2020-05-29

    申请号:CN202010139908.6

    申请日:2020-03-03

    IPC分类号: G01N21/59

    摘要: 本发明公开了一种扇形束太赫兹层析成像系统,包括依光路方向同轴设置的太赫兹发射源、斩波器、波束传输单元、样品台和太赫兹探测阵列,太赫兹发射源发射的连续太赫兹通过斩波器、波束传输单元形成扇形束太赫兹波束。本系统的的扫描方法包括时域矩形波调制、扇形太赫兹波束聚集、光电信号转换、信号放大、角度投影数据获取、截面投影数据获取、三维投影矩阵获取等步骤。本发明的扇形束太赫兹层析成像系统及其扫描方法具有耗时短、数据准确和景深大的特点。

    一种结合能力强、低阻值的GeSbTe相变材料薄膜器件

    公开(公告)号:CN111416038B

    公开(公告)日:2024-04-30

    申请号:CN202010342416.7

    申请日:2020-04-27

    IPC分类号: H10N70/20 H10B63/10

    摘要: 本发明公开了一种结合能力强、低阻值的GeSbTe相变材料薄膜器件,包括下电极层、第一GeSbTe材料层、二硫化钼层、第二GeSbTe材料层、石墨烯层、上电极层和保护层,下电极层、第一GeSbTe材料层、二硫化钼层、第二GeSbTe材料层、石墨烯层、上电极层、保护层依次设置叠加在为衬底层上,下电极层为双层复合结构,下电极层包括镀覆在衬底层的Cr‑Ag合金镀层和设置在Cr‑Ag合金镀层表面的Cr‑M合金材料层,Cr‑M合金材料层中M选Mn、Ta、TaN、Ti、W、Ni、Al、Co或Cu。本发明的改进型基于GeSbTe相变材料的薄膜器件具有热结合能力强、一致性好、内阻小和使用寿命长特点。

    一种石墨烯的制备方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103991868A

    公开(公告)日:2014-08-20

    申请号:CN201410260297.5

    申请日:2014-06-13

    发明人: 陈星源 朱伟玲

    IPC分类号: C01B31/04

    摘要: 本发明涉及石墨烯材料制备技术领域,提供了一种石墨烯的制备方法,以膨胀石墨、可膨胀石墨、高取向石墨、热裂解石墨和/或鳞片石墨中的一种或一种以上的混合物为原料,以柠檬酸和/或草酸及其羧酸衍生物中的一种或一种以上的混合物等羧化剂作为插层试剂,通过原料预处理控制粒径、湿法球磨使石墨在羧化剂的插层作用下减薄剥离转变为羧化石墨烯,微波加热快速脱羧使羧化石墨烯转剥离为高纯度的石墨烯。本发明具有材料成本低廉、制造工艺简单、绿色环保、便于规模化生产的特点。

    一种高传输速度基于GeSbTe相变材料的薄膜器件

    公开(公告)号:CN111326653A

    公开(公告)日:2020-06-23

    申请号:CN202010342417.1

    申请日:2020-04-27

    IPC分类号: H01L45/00

    摘要: 本发明公开了一种高传输速度基于GeSbTe相变材料的薄膜器件,包括依次设置的衬底层、下电极层、第一GeSbTe材料层、二硫化钼层、第二GeSbTe材料层、石墨烯层、上电极层和保护层,二硫化钼层为复合层状结构,二硫化钼层包括上MoS2膜层、夹心MoS2膜层和下MoS2膜层,上MoS2膜层、下MoS2膜层是通过磁控溅射方式形式的2H相MoS2膜层,夹心MoS2膜层是通过化学液相剥离后涂覆形成的2H-1T共相MoS2膜层。本发明的改进型基于GeSbTe相变材料的薄膜器件具有传输速度快、产品一致性好和使用寿命长特点。

    一种低透光二硫化钼复合涂料及其制备方法

    公开(公告)号:CN106700677A

    公开(公告)日:2017-05-24

    申请号:CN201611237134.0

    申请日:2016-12-28

    IPC分类号: C09D1/00 C09D7/12

    CPC分类号: C09D1/00 C09D7/61 C09D7/65

    摘要: 本发明公开了一种低透光二硫化钼复合涂料及其制备方法,所述复合涂料包括50‑200重量份的二硫化钼、4‑21重量份的粘土、35‑50重量份的炭黑、4‑20重量份氯化稀土、1‑8重量份的聚四氟乙烯、6‑21重量份的聚环氧乙烷、6‑20重量份的水、3‑25重量份的乙醇、300‑600重量份的甲基异丁基酮和25‑50重量份的环己烷。本发明的复合涂料所制备的涂层不易透光。

    一种基于GeSbTe相变材料的薄膜器件

    公开(公告)号:CN106374045A

    公开(公告)日:2017-02-01

    申请号:CN201610962686.1

    申请日:2016-10-28

    IPC分类号: H01L45/00

    CPC分类号: H01L45/00

    摘要: 本发明公开了一种基于GeSbTe相变材料的薄膜器件,包括衬底层、下电极层、第一GeSbTe材料层、二硫化钼层、第二GeSbTe材料层、石墨烯层、上电极层和保护层,所述下电极层、第一GeSbTe材料层、二硫化钼层、第二GeSbTe材料层、石墨烯层、上电极层、保护层依次沉积叠加在所述衬底层上,所述第一GeSbTe材料层为离子掺杂的GeSbTe相变材料层,所述第二GeSbTe材料层为纯相的GeSbTe相变材料。本发明的基于GeSbTe相变材料的薄膜器件具有热稳定性高、一致性好、箱变速度快和使用寿命长特点。