像素结构与显示器件
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110429102B

    公开(公告)日:2021-11-12

    申请号:CN201811102766.5

    申请日:2018-09-20

    IPC分类号: H01L27/32

    摘要: 本发明涉及一种像素结构与显示器件,该像素结构包括多个蓝色像素组、多个黄色像素组、第一滤光膜和第二滤光膜;蓝色像素组由在纵向上排列的多个蓝色子像素构成,黄色像素组由在纵向上排列的多个黄色子像素构成,在横向上相邻的一个蓝色像素组和一个黄色像素组组成一个混合像素组,多个混合像素组在横向上排列,且在混合像素组中,每个蓝色子像素与三个顺次排列的黄色子像素相邻,该蓝色子像素与该三个黄色子像素组成一个像素单元;每个像素单元中的一个黄色子像素的出光方向上设置有第一滤光膜,第一滤光膜用于将黄光转变为红光,每个像素单元中的另一个黄色子像素的出光方向上设置有第二滤光膜,第二滤光膜用于将黄光转变为绿光。

    电致发光器件及显示装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111883676A

    公开(公告)日:2020-11-03

    申请号:CN201910906237.9

    申请日:2019-09-24

    IPC分类号: H01L51/50 H01L27/32

    摘要: 本申请涉及一种电致发光器件及显示装置,包括阳极层、发光层、能量传递层和阴极层,发光层设于阳极层和阴极层之间,能量传递层置于发光层和阴极层之间,且能量传递层与发光层接触;能量传递层中含有相互混合的具有供电子能力的给体材料和具有吸电子能力的受体材料,给体材料与受体材料形成激基复合物;发光层包含量子点材料。该电致发光器件能够有效地提高器件的发光效率和寿命。

    像素结构与显示器件
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110429102A

    公开(公告)日:2019-11-08

    申请号:CN201811102766.5

    申请日:2018-09-20

    IPC分类号: H01L27/32

    摘要: 本发明涉及一种像素结构与显示器件,该像素结构包括多个蓝色像素组、多个黄色像素组、第一滤光膜和第二滤光膜;蓝色像素组由在纵向上排列的多个蓝色子像素构成,黄色像素组由在纵向上排列的多个黄色子像素构成,在横向上相邻的一个蓝色像素组和一个黄色像素组组成一个混合像素组,多个混合像素组在横向上排列,且在混合像素组中,每个蓝色子像素与三个顺次排列的黄色子像素相邻,该蓝色子像素与该三个黄色子像素组成一个像素单元;每个像素单元中的一个黄色子像素的出光方向上设置有第一滤光膜,第一滤光膜用于将黄光转变为红光,每个像素单元中的另一个黄色子像素的出光方向上设置有第二滤光膜,第二滤光膜用于将黄光转变为绿光。

    电致发光器件及其发光层和应用

    公开(公告)号:CN108346751B

    公开(公告)日:2019-06-11

    申请号:CN201710719786.6

    申请日:2017-08-21

    IPC分类号: H01L51/50 H01L51/54 H01L51/56

    摘要: 本发明涉及一种电致发光器件及其发光层和应用。该发光层包含至少一种纳米晶体半导体材料,以及至少一种有机发光材料;所述有机发光材料的发射光谱与所述纳米晶体半导体材料的激发光谱至少部分重叠;所述有机发光材料的激发态的衰减寿命大于1微秒。本发明创新性的将具有长激发态寿命,具体为激发态衰减寿命超过1微秒的有机发光材料作为主体材料,由此有机发光材料的能量能够有效传递给纳米晶体半导体材料,以获得具有良好性能的QLED器件,可以大幅度提高以纳米晶体半导体材料作为发光活性成分的电致发光器件的效率。

    电致发光器件、显示装置及其制作方法

    公开(公告)号:CN109713143A

    公开(公告)日:2019-05-03

    申请号:CN201810224932.2

    申请日:2018-03-19

    IPC分类号: H01L51/50 H01L51/56 H01L27/32

    摘要: 本发明涉及一种电致发光器件、显示装置及其制作方法,该电致发光器件包括阳极层、阴极层、空穴供给层和与空穴供给层相邻设置的发光层;空穴供给层包括含供空穴基团的给体分子材料,发光层包括量子点材料和含供电子基团的受体分子材料,空穴供给层中的给体分子材料和发光层中的受体分子材料相接触配合能够形成激基复合物,能够提高电流效率。同时该电致发光器件通过引入与发光层相邻的空穴供给层,能够有效缩小空穴注入量子点的能级势垒,并减少界面的电荷积累,进而降低器件的启亮电压和效率滚降。

    电致发光器件及其发光层和应用

    公开(公告)号:CN108346751A

    公开(公告)日:2018-07-31

    申请号:CN201710719786.6

    申请日:2017-08-21

    IPC分类号: H01L51/50 H01L51/54 H01L51/56

    摘要: 本发明涉及一种电致发光器件及其发光层和应用。该发光层包含至少一种纳米晶体半导体材料,以及至少一种有机发光材料;所述有机发光材料的发射光谱与所述纳米晶体半导体材料的激发光谱至少部分重叠;所述有机发光材料的激发态的衰减寿命大于1微秒。本发明创新性的将具有长激发态寿命,具体为激发态衰减寿命超过1微秒的有机发光材料作为主体材料,由此有机发光材料的能量能够有效传递给纳米晶体半导体材料,以获得具有良好性能的QLED器件,可以大幅度提高以纳米晶体半导体材料作为发光活性成分的电致发光器件的效率。

    电致发光器件及其发光层和应用

    公开(公告)号:CN108346750A

    公开(公告)日:2018-07-31

    申请号:CN201710670753.7

    申请日:2017-08-08

    IPC分类号: H01L51/50 H01L51/52

    摘要: 本发明涉及一种电致发光器件及其发光层和应用。所述发光层包含至少一种纳米晶体半导体材料,以及至少一种激基复合物;所述激基复合物的发射光谱与所述纳米晶体半导体材料的激发光谱至少部分重叠;所述激基复合物的激发态的衰减寿命长于所述纳米晶体半导体材料的激发态的衰减寿命。本发明的发光层在发光过程中,形成延迟荧光的激基复合物能够有效将能量传递至纳米晶体半导体材料,进而获得发光效率高,且稳定的QLED器件的发光层。

    像素界定层及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN107403823A

    公开(公告)日:2017-11-28

    申请号:CN201611123266.0

    申请日:2016-12-08

    发明人: 李哲

    IPC分类号: H01L27/32 H01L51/56

    CPC分类号: H01L27/3246 H01L51/56

    摘要: 本发明涉及一种像素界定层及其制备方法和应用,该像素界定层,包括第一像素界定层和层叠设置于所述第一像素界定层上的第二像素界定层;所述第一像素界定层由至少一种以下材料组成:非稀土元素的一元或多元金属氧化物、非稀土元素的一元或多元金属氮化物、非稀土元素的一元或多元金属硫化物、碳化硅、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅;所述第二像素界定层由至少一种稀土氧化物组成。上述像素界定层能避免使用PI作为bank层时面临的问题,具有明确亲疏水分界线的bank层,能保证同样体积的墨水在不同像素中获得相同高度、相同均匀性的薄膜。

    具有亲疏性差异的像素界定层及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN107026187A

    公开(公告)日:2017-08-08

    申请号:CN201610591897.9

    申请日:2016-07-25

    发明人: 卢泓 李哲

    IPC分类号: H01L27/32 H01L51/56

    摘要: 本发明涉及一种具有亲疏性差异的像素界定层及其制备方法和应用,属于照明/显示面板的制备技术领域。该方法包括以下步骤:制备薄膜层:以像素界定层材料在具有导电阳极的基板上形成薄膜层,并在该薄膜层上制备得到容纳打印墨水的像素坑;所述像素坑的侧壁与所述基板之间具有倾斜的角度;选择性活化:将掩膜板覆盖于上述薄膜层上,进行活化处理;所述掩膜板上与所述像素坑对应的位置进行开窗处理,将像素坑内预定进行活化处理的区域露出。从而实现了在像素界定层的上、下部分具有不同的亲疏性。当墨水打印之后,墨水边缘就会钉扎在像素界定层斜坡上亲墨水的下层位置,保证了像素内薄膜的均匀性,进而提高了印刷型发光显示器件的性能。

    有机发光二极管及其空穴传输层的制备方法

    公开(公告)号:CN108987590B

    公开(公告)日:2020-11-13

    申请号:CN201711368283.5

    申请日:2017-12-18

    IPC分类号: H01L51/50 H01L51/56 H01L51/00

    摘要: 本发明涉及一种有机发光二极管及其空穴传输层的制备方法。所述空穴传输层的材料包括有机极性材料;所述制备方法包括获取预制件,以及采用蒸镀的方式在所述预制件的表面沉积所述有机极性材料,形成所述空穴传输层;在所述蒸镀的过程中,同时施加垂直于所述预制件的表面的电场。该制备方法能够一定程度降低空穴注入层材料的载流子移动率,从而促进器件中载流子的平衡,提高器件效率。