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公开(公告)号：CN117316634A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311288777.8
申请日：2023-10-07
申请人： 广东芯晟电子科技有限公司
IPC分类号： H01G4/008
摘要： 本发明涉及陶瓷电容技术领域，具体涉及一种基于钛酸盐基片的陶瓷电容、金电极层材料。陶瓷电容包括钛酸盐基片和金电极层，所述金电极层设置于所述钛酸盐基片的两侧面上其中，按质量百分比数计，所述金电极层由以下成分组成：70～80％金粉、2％～5％玻璃粉、3％～5％Cuo、8％～15％松油醇、5％～7％纤维素、1％～1.5％邻苯二甲酸盐、1％～3％酸酐内固化剂。基于钛酸盐基片的陶瓷电容，在金浆材料配方下，其稳定性更好，金浆所含有的玻璃体系其具有低介质损耗的特点，耐热冲击，膨胀系数与陶瓷基材一致，附着力强，烧结时与半导体陶瓷结合更致密，玻璃融化均匀，基材渗透少和表面不会析出影响邦定效果，从而使得基于钛酸盐基片的陶瓷电容的稳定性好，电容值可靠性高。
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公开(公告)号：CN114334444B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202111668230.1
申请日：2021-12-31
申请人： 广东芯晟电子科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种单层陶瓷电容器晶界层半导体陶瓷材料，该材料按重量百分比由以下原料制成：SrCO360～69％，TiO230～38％，添加剂0.2～3％；其中，所述添加剂为ZnO、CaCO3、CuO、La2O3、Li2CO3、B2O3、SiO2和Bi2O3中的一种或多种组合。本发明还涉及该材料的制备方法以及利用该材料制作的单层陶瓷电容器。本发明的所述单层陶瓷电容器晶界层半导体陶瓷材料，不含镉和铅等重金属，具有对环境污染少，介电常数高等优点。
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公开(公告)号：CN109585162B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201811629941.6
申请日：2018-12-29
申请人： 广东芯晟电子科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种低应力单层芯片电容器，所述低应力单层芯片电容器包括陶瓷基片、面电极、底电极以及设于陶瓷基片内部的至少一个缓冲层，所述面电极设于所述陶瓷基片的顶面，所述底电极设于所述陶瓷基片的底面；各缓冲层在垂直于所述陶瓷基片的底面的方向上间隔设置，所述缓冲层为内部中空的呈封闭框形的金属层，其边框沿所述陶瓷基片的侧面布置，并外露于所述陶瓷基片的侧面。本发明还涉及所述低应力单层芯片电容器的制备方法。本发明所述低应力单层芯片电容器的切割面不易发生碎裂，结构完整性好和可靠性高。
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公开(公告)号：CN114334444A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111668230.1
申请日：2021-12-31
申请人： 广东芯晟电子科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种单层陶瓷电容器晶界层半导体陶瓷材料，该材料按重量百分比由以下原料制成：SrCO3 60～69％，TiO2 30～38％，添加剂0.2～3％；其中，所述添加剂为ZnO、CaCO3、CuO、La2O3、Li2CO3、B2O3、SiO2和Bi2O3中的一种或多种组合。本发明还涉及该材料的制备方法以及利用该材料制作的单层陶瓷电容器。本发明的所述单层陶瓷电容器晶界层半导体陶瓷材料，不含镉和铅等重金属，具有对环境污染少，介电常数高等优点。
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