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公开(公告)号：CN101786866B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN200910214109.4
申请日：2009-12-22
申请人： 广东风华高新科技股份有限公司
IPC分类号： C04B35/16 , C04B35/622
CPC分类号： C04B35/20 , C04B35/62685 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3267 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/3445 , C04B2235/652
摘要： 本发明公开了一种抗还原铜内电极高频低温烧结陶瓷介质材料，可用于铜内电极多层陶瓷电容器制作。由主晶相、改性添加剂、烧结助熔剂组成，主晶相的结构式是MgxBa(1-x)ZrySi(1-y)O3，其中0.8≤x≤0.95，0.05≤y≤0.2，所述的改性添加剂是MnO2、CaO、Li2O、Bi2O3、TiO2中的一种或几种；所述的烧结助熔剂是B2O3、SiO2、ZnO、CuO、K2O、BaO中的一种或几种。上述陶瓷介质材料满足EIA标准COG特性，且材料具备均一、粒度分布均匀、分散性高、成型工艺好的特点，符合环保要求，介电特性优良。
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公开(公告)号：CN101786864A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200910214107.5
申请日：2009-12-22
申请人： 广东风华高新科技股份有限公司
CPC分类号： H01G4/1245 , C04B35/20 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3267 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/36 , C04B2235/365 , H01G4/0085 , H01G4/30
摘要： 本发明公开了一种与镍内电极匹配的高频低介陶瓷介质材料及所得电容器的制备方法，该陶瓷介质材料由主晶相、改性添加剂、烧结助熔剂组成，主晶相为MgZrxSi(1-x)O3，其中0.05≤x≤0.15，改性添加剂是MnO2、Al2O3、CaO、Bi2O3、TiO2中的一种或几种，烧结助熔剂是B2O3、SiO2、ZnO、Li2O、K2O、BaO中的一种或几种。上述陶瓷介质材料满足EIA标准中COG特性，且材料均一、粒度分布均匀、分散性高、成型工艺好、符合环保要求，介电特性优良。用该材料制作多层片式陶瓷电容器MLCC产品时，可与镍电极匹配，在还原气氛下烧结，烧后瓷体晶粒生长均匀、致密，介质层与内电极匹配良好，产品性能稳定。
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公开(公告)号：CN101913863A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010236943.6
申请日：2010-07-23
申请人： 广东风华高新科技股份有限公司
摘要： 一种与镍电极匹配的低温高频陶瓷介质材料，由主晶相、改性添加剂、烧结助熔剂组成。主晶相结构式是〔MgaCabSr(1-a-b)〕mTicZr(1-c)O3，其中0≤a≤0.15，0≤b≤1，0≤c≤0.15，0.8≤m≤1.1，改性添加剂是MnO2、Al2O3、CaO、Y2O3中的一种或几种，烧结助熔剂是SiO2、ZnO、Li2O、K2O、BaO中的一种或几种。该材料满足EIA标准COG特性、材料均一、粒度分布均匀、分散性高、成型工艺好、介电特性优良。该材料制作多层片式陶瓷电容器时，与镍电极匹配，烧后瓷体晶粒生长均匀、致密，介质层与内电极匹配良好，减少应力产生，提高产品Q值，产品性能更稳定。
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公开(公告)号：CN101913863B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201010236943.6
申请日：2010-07-23
申请人： 广东风华高新科技股份有限公司
摘要： 一种与镍电极匹配的低温高频陶瓷介质材料，由主晶相、改性添加剂、烧结助熔剂组成。主晶相结构式是〔MgaCabSr(1-a-b)〕mTicZr(1-c)O3，其中0≤a≤0.15，0≤b≤1，0≤c≤0.15，0.8≤m≤1.1，改性添加剂是MnO2、Al2O3、CaO、Y2O3中的一种或几种，烧结助熔剂是SiO2、ZnO、Li2O、K2O、BaO中的一种或几种。该材料满足EIA标准COG特性、材料均一、粒度分布均匀、分散性高、成型工艺好、介电特性优良。该材料制作多层片式陶瓷电容器时，与镍电极匹配，烧后瓷体晶粒生长均匀、致密，介质层与内电极匹配良好，减少应力产生，提高产品Q值，产品性能更稳定。
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公开(公告)号：CN101786864B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN200910214107.5
申请日：2009-12-22
申请人： 广东风华高新科技股份有限公司
CPC分类号： H01G4/1245 , C04B35/20 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3267 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/36 , C04B2235/365 , H01G4/0085 , H01G4/30
摘要： 本发明公开了一种与镍内电极匹配的高频低介陶瓷介质材料及所得电容器的制备方法，该陶瓷介质材料由主晶相、改性添加剂、烧结助熔剂组成，主晶相为MgZrxSi(1-x)O3，其中0.05≤x≤0.15，改性添加剂是MnO2、Al2O3、CaO、Bi2O3、TiO2中的一种或几种，烧结助熔剂是B2O3、SiO2、ZnO、Li2O、K2O、BaO中的一种或几种。上述陶瓷介质材料满足EIA标准中COG特性，且材料均一、粒度分布均匀、分散性高、成型工艺好、符合环保要求，介电特性优良。用该材料制作多层片式陶瓷电容器MLCC产品时，可与镍电极匹配，在还原气氛下烧结，烧后瓷体晶粒生长均匀、致密，介质层与内电极匹配良好，产品性能稳定。
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公开(公告)号：CN101786866A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200910214109.4
申请日：2009-12-22
申请人： 广东风华高新科技股份有限公司
IPC分类号： C04B35/16 , C04B35/622
CPC分类号： C04B35/20 , C04B35/62685 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3267 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/3445 , C04B2235/652
摘要： 本发明公开了一种抗还原铜内电极高频低温烧结陶瓷介质材料，可用于铜内电极多层陶瓷电容器制作。由主晶相、改性添加剂、烧结助熔剂组成，主晶相的结构式是MgxBa(1-x)ZrySi(1-y)O3，其中0.8≤x≤0.95，0.05≤y≤0.2，所述的改性添加剂是MnO2、CaO、Li2O、Bi2O3、TiO2中的一种或几种；所述的烧结助熔剂是B2O3、SiO2、ZnO、CuO、K2O、BaO中的一种或几种。上述陶瓷介质材料满足EIA标准COG特性，且材料具备均一、粒度分布均匀、分散性高、成型工艺好的特点，符合环保要求，介电特性优良。
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