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公开(公告)号：CN117003559A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310950192.1
申请日：2023-07-31
申请人： 广东风华高新科技股份有限公司 , 上海大学
IPC分类号： C04B35/453 , C04B35/622 , C04B35/638 , H01C7/112
摘要： 本发明公开了一种压敏电阻瓷粉及其制备方法与应用，属于电阻材料技术领域。本发明通过在压敏电阻瓷粉中引入特定重量份的Al元素和Ba元素，在所述添加剂中引入稀土氧化物，并控制压敏电阻瓷粉中各组分的重量份，使所制备的压敏电阻片可实现低温烧结，并具有高电位梯度和通流能力；所述电阻片的最大通流密度可达到4000A/cm2以上，性能稳定性好，可用于制备超高能片式压敏电阻材料，满足电子产品防护浪涌电压高、浪涌电流大等使用需求。
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公开(公告)号：CN114213007B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202111520422.8
申请日：2021-12-13
申请人： 上海大学(浙江·嘉兴)新兴产业研究院 , 上海大学
摘要： 本申请涉及用于ZnO压敏电阻片的无机高阻釉制备方法，包括：得到金属氧化物；将金属氧化物、无机溶剂和第一分散剂进行混合并研磨，得到第一粉体；将第一粉体进行破碎，得到第二粉体；将第二粉体、有机物水分散液和第二分散剂混合并进行研磨，得到第二混合浆料；将第二混合浆料涂覆于ZnO压敏电阻片侧面，得到涂覆有无机高阻釉的ZnO压敏电阻片，金属氧化物包括：ZnO：80％‑89％，Bi2O3：0.3％‑1％，Sb2O3：8％‑11％，Cr2O3：1％‑3％，MnO2：2％‑4％，NiO：0.5％‑2％，MgO：1％‑2％和Al2O3：0.5％‑1.5％。无机高阻釉配方体系生成复合镁铝尖晶石，可限制涂层中ZnO晶粒长大，让电流不易从ZnO压敏电阻片侧面通过，提高ZnO压敏电阻片耐大电流冲击能力。
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公开(公告)号：CN114213007A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111520422.8
申请日：2021-12-13
申请人： 上海大学(浙江·嘉兴)新兴产业研究院 , 上海大学
摘要： 本申请涉及电工材料制备技术领域，尤其涉及一种用于ZnO压敏电阻片的无机高阻釉的制备方法，所述方法包括：得到金属氧化物；将金属氧化物、无机溶剂和第一分散剂进行混合并研磨，得到第一粉体；将第一粉体进行破碎，得到第二粉体；将所述第二粉体、有机物水分散液和第二分散剂混合并进行研磨，得到第一混合浆料；将所述第一混合浆料涂覆于ZnO压敏电阻片侧面，得到涂覆有无机高阻釉的ZnO压敏电阻片，其中，以质量分数计，所述金属氧化物包括：ZnO：80％‑89％，Bi2O3：0.3％‑1％，Sb2O3：8％‑11％，Cr2O3：1％‑3％，MnO2：2％‑4％，NiO：0.5％‑2％，MgO：1％‑2％和Al2O3：0.5％‑1.5％。无机高阻釉配方体系生成了复合镁铝尖晶石，可以限制涂层中ZnO晶粒的长大，让电流不易从ZnO压敏电阻片侧面通过，提高了ZnO压敏电阻片的耐大电流冲击能力。
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公开(公告)号：CN113149445B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202110137766.4
申请日：2021-02-01
申请人： 上海大学
摘要： 本发明公开了一种利用超高压微射流技术均匀细化低温无铅玻璃粉的方法及其应用，将玻璃粉与去离子水、分散剂按质量比1000:(500‑1200):(5‑30)混合进行预分散，利用超高压微射流均质机对预分散浆料进行乳化分散后获得水基低温无铅玻璃粉浆料。采用喷涂设备将浆料均匀涂布至ZnO电阻片侧面，经烧结工序处理即制得电阻片侧面低温无铅绝缘涂层。本发明玻璃粉不含铅等有害物质，对环境友好。制备过程无需采用球磨珠等研磨介质，工艺简单，均质处理时间短，分散效率高。粒子尺寸高度均一，粒径分布窄。获得的侧面绝缘涂层致密均匀，具有优异的耐大电流冲击性能。
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公开(公告)号：CN113173784B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202110383203.3
申请日：2021-06-11
申请人： 国网电力科学研究院武汉南瑞有限责任公司 , 国网电力科学研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网安徽省电力有限公司 , 上海大学
IPC分类号： C04B35/453 , H01C7/112 , H01C17/00 , H01C17/28 , H01C17/30 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了一种可降低残压比的氧化锌电阻片及其制备方法，该方法经准备氧化锌电阻片的原料、浆料的制备、坯体的制备和烧结四大步骤制备得到氧化锌电阻片；通过前预煅烧的方式将Mg2+和Al3+离子共同渗入ZnO晶粒内部，由于Mg2+离子粒径略小于Zn2+离子，可在ZnO晶格内形成拉应力，促进了Al3+离子的有效渗入，避免Al3+离子在ZnO晶界附近的富集，使Al3+离子向ZnO晶粒内部渗透，可有效降低ZnO晶粒电阻，且减小晶界Al3+离子浓度，这样便不会增大漏电流，所制备的氧化锌电阻片残压比和残压都有效降低。本发明工艺简单，易于控制，成本低廉。
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公开(公告)号：CN113149445A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110137766.4
申请日：2021-02-01
申请人： 上海大学
摘要： 本发明公开了一种利用超高压微射流技术均匀细化低温无铅玻璃粉的方法及其应用，将玻璃粉与去离子水、分散剂按质量比1000:(500‑1200):(5‑30)混合进行预分散，利用超高压微射流均质机对预分散浆料进行乳化分散后获得水基低温无铅玻璃粉浆料。采用喷涂设备将浆料均匀涂布至ZnO电阻片侧面，经烧结工序处理即制得电阻片侧面低温无铅绝缘涂层。本发明玻璃粉不含铅等有害物质，对环境友好。制备过程无需采用球磨珠等研磨介质，工艺简单，均质处理时间短，分散效率高。粒子尺寸高度均一，粒径分布窄。获得的侧面绝缘涂层致密均匀，具有优异的耐大电流冲击性能。
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公开(公告)号：CN109020534B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201810883767.1
申请日：2018-08-06
申请人： 上海大学
IPC分类号： C04B35/453 , H01C17/30 , H01C17/00
摘要： 本发明公开了一种可调节气孔率ZnO线性电阻的制备方法，在制备ZnO线性电阻过程中没有增加额外的过程，方法简单易于操作，且在制备ZnO线性电阻过程中引入的石墨粉体能有效排除。采用的石墨粉体无毒，价格低廉，易于获取，烧结过程的有机物挥发和碳气化产物易于收集和处理，无环境污染，烧结后无残留。在不改变ZnO线性电阻元件的成分和不影响ZnO线性电阻元件的性能的情况下，能够实现对ZnO线性电阻元件气孔率的精确调控，以此来满足散热、强度和轻量化的多种需要，使所制备的ZnO线性电阻元件能满足更多场合的应用要求。
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公开(公告)号：CN109135385B
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201810883881.4
申请日：2018-08-06
申请人： 上海大学
摘要： 本发明公开了一种线性电阻绝缘涂层的制备方法，线性电阻绝缘涂层是以左云土、氧化铬、硫酸钙、氧化锌多种优质原料为主料，再添加磷酸二氢铝与去离子水，经过混合制备而成。本发明采用原料添加ZnO粉体，并采用磷酸二氢铝作为固化粘结剂，通过绝缘涂层固化工艺过程，将绝缘涂层中的水分排除，同时增加绝缘涂层的强度，使线性电阻绝缘涂层具有高抗折、高抗压、优异的抗水化性能，提高了线性电阻绝缘涂层的寿命和质量。本发明绝缘涂层制备工艺简单易操作，原料无毒无污染，易获取。所制得的绝缘涂层易涂覆，绝缘性好，涂层强度高不易脱落，且涂层不影响线性电阻元件的电阻率和线性度。该绝缘涂层成功实现了对线性电阻元件的保护作用。
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公开(公告)号：CN105924149A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610254737.5
申请日：2016-04-23
申请人： 上海大学
IPC分类号： C04B35/453 , C04B35/626 , C04B41/88 , C04B41/81 , H01C7/12
CPC分类号： C04B35/453 , C04B35/6261 , C04B35/62695 , C04B41/009 , C04B41/4574 , C04B41/5155 , C04B41/81 , C04B41/88 , C04B2235/3217 , C04B2235/3241 , C04B2235/3263 , C04B2235/3277 , C04B2235/3279 , C04B2235/3294 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/36 , C04B2235/96 , H01C7/12
摘要： 本发明公开了一种轨道交通过电压保护器用压敏电阻的制备方法，其特征在于，采用ZnO为主要原料，添加剂包括Bi2O3、Co2O3、Cr2O3、Mn3O4、NiO、Sb2O3、Si02、Al(NO3)3、玻璃粉等氧化物及有机添加物，主要包括混合添加剂细化、添加剂与ZnO混合、喷雾造粒、压片、排胶、烧结、热处理、喷铝、凃绝缘层等制备步骤。本发明通过调节添加剂各氧化物的含量以及与主原料ZnO的比例等配方的优化工作以及烧结成瓷工艺、热处理工艺的调整，获得具有良好的方波通流容量及老化性能优异的电阻片，并且具有优良的保护特性，制备工艺简单，能耗低，安全可靠，完全满足用于轨道交通保护牵引电机及电气设备免受过电压的侵害。
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公开(公告)号：CN114974765A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210657434.3
申请日：2022-06-10
申请人： 上海大学
IPC分类号： H01C7/112 , H01C17/065
摘要： 本发明公开了一种高通流ZnO压敏电阻片及其制备方法，将金属氧化物、无机溶剂和第一分散剂进行混合并研磨，得到第一粉体；将第一粉体与进行破碎，得到第二粉体，第二粉体过30‑50目筛；将第二粉体与第三粉体ZnO、无机盐溶液和第二分散剂混合并研磨，得到第一混合浆料；将第一混合浆料经过喷雾造粒得到可用于制备ZnO压敏电阻片的第四粉体，制备得低成本高通流ZnO压敏电阻。本发明减少Co3O4掺杂量并用MnO2+NiO+Cr2O3联合替代氧化钴的降低量，并优选出最佳的Co3O4掺杂量降低的比例。本发明方法中，Co3O4降低在高温烧成过程中生成大量尖晶石，该类尖晶石可限制ZnO晶粒的长大，从而提高了ZnO压敏电阻片的耐大电流冲击能力。
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