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公开(公告)号：CN117003559A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310950192.1
申请日：2023-07-31
申请人： 广东风华高新科技股份有限公司 , 上海大学
IPC分类号： C04B35/453 , C04B35/622 , C04B35/638 , H01C7/112
摘要： 本发明公开了一种压敏电阻瓷粉及其制备方法与应用，属于电阻材料技术领域。本发明通过在压敏电阻瓷粉中引入特定重量份的Al元素和Ba元素，在所述添加剂中引入稀土氧化物，并控制压敏电阻瓷粉中各组分的重量份，使所制备的压敏电阻片可实现低温烧结，并具有高电位梯度和通流能力；所述电阻片的最大通流密度可达到4000A/cm2以上，性能稳定性好，可用于制备超高能片式压敏电阻材料，满足电子产品防护浪涌电压高、浪涌电流大等使用需求。
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公开(公告)号：CN114743746A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210490228.8
申请日：2022-05-06
申请人： 广东风华高新科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种片式NTC绝缘层材料及其制备方法和应用，属于片式NTC用材料技术领域，所述NTC绝缘层材料包括以下质量百分含量的组分：50～75％Mn3O4、5～12％Bi2O3、2～10％SiO2、4～12％Al2O3、2～10％Fe2O3、3～12％ZnO、1～6％MgO。所述的绝缘层材料具有高电阻率，其能够与NTC陶瓷在低温下进行共烧，通过将两种材料采用交替印刷的方法可以制备出不含内电极，多种尺寸，多种阻值，相同B值的片式NTC热敏电阻器。
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公开(公告)号：CN114743746B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202210490228.8
申请日：2022-05-06
申请人： 广东风华高新科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种片式NTC绝缘层材料及其制备方法和应用，属于片式NTC用材料技术领域，所述NTC绝缘层材料包括以下质量百分含量的组分：50～75％Mn3O4、5～12％Bi2O3、2～10％SiO2、4～12％Al2O3、2～10％Fe2O3、3～12％ZnO、1～6％MgO。所述的绝缘层材料具有高电阻率，其能够与NTC陶瓷在低温下进行共烧，通过将两种材料采用交替印刷的方法可以制备出不含内电极，多种尺寸，多种阻值，相同B值的片式NTC热敏电阻器。
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公开(公告)号：CN114455939B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210020023.3
申请日：2022-01-07
申请人： 广东风华高新科技股份有限公司
IPC分类号： C04B35/01 , C04B35/622 , H01C7/04 , H01C17/00
摘要： 本发明提供一种高阻值高B值的NTC热敏电阻材料及其制备方法。本发明所述高阻值高B值的NTC热敏电阻材料的配方中以Mn、Co、Fe金属氧化物为体系，尖晶石晶相结构，结合p型半导体、两性半导体和价控半导体的晶体结构和电学优势，以晶相组成进行片式NTC高阻材料的晶体结构模拟、粉末合成制备试验论证，通过添加微量的Al2O3、SiO2、ZnO等原料，促使晶粒细化，来提升材料电阻率ρ至30000Ω·cm、B值：4150K；再通过添加微量高焓值氧化物如Nb2O5等材料，改善瓷体结构，增强瓷体的致密性，来改善产品的老化特性，提升NTC高阻产品的可靠性。
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公开(公告)号：CN114394819A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202210126817.8
申请日：2022-02-10
申请人： 广东风华高新科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种高可靠性片式NTC热敏电阻材料及其制备方法及用途。该热敏电阻材料以Mn3O4、Co3O4、Ni2O3作为主配方材料，以ZnO、La2O3作为掺杂材料；通过将主配方材料和掺杂材料经球磨、烘干、预烧、再球磨砂磨制成。所述片式NTC热敏电阻材料包含以下重量百分含量的组分：40～60％的Mn3O4、20～40％的Co3O4、5～15％的Ni2O3、2～8％的ZnO、0.5～1.5％的La2O3。本发明采用四氧化三锰代替二氧化锰，与之前的配方相比，电阻阻值一致性更好，稳定性更高。本发明通过添加微量的氧化锌和氧化镧，进一步提高材料的稳定性，改善产品老化性能。
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公开(公告)号：CN107331624A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201710393591.7
申请日：2017-05-27
申请人： 广东风华高新科技股份有限公司
CPC分类号： H01L21/56 , C04B41/009 , C04B41/5022 , C04B41/85 , H01L21/561 , H01L21/67126 , C04B35/00 , C04B41/46 , C04B41/4811 , C04B41/463 , C04B41/4539 , C04B41/488
摘要： 本发明涉及一种片式元器件的包封方法及片式元器件的包封设备。一种片式元器件的包封方法，片式元器件包括侧面及位于侧面两端的两个端面，片式元器件的包封方法包括以下步骤：将片式元器件的其中一个端面固定于载板使片式元器件直立；将固定于载板上的片式元器件的表面浸渍玻璃浆料以在侧面及另一个端面表面形成玻璃浆料层；对玻璃浆料层进行固化处理；及进行烧结处理。上述片式元器件的包封方法及片式元器件的包封设备，采用浸渍的方式，浸渍后剩余的玻璃浆料可以重复使用，玻璃浆料的利用率大大提高；且上述片式元器件的包封方法可以同时对多个片式元器件进行包封，且可以同时对片式元器件的多个侧面进行包封，生产效率明显提高。
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公开(公告)号：CN116283231B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202310064852.6
申请日：2023-01-30
申请人： 广东风华高新科技股份有限公司 , 武汉理工大学
IPC分类号： C04B35/01 , H01C7/04 , C04B35/622
摘要： 本发明属于热敏电阻材料领域，具体公开一种NTC热敏电阻材料及其制备方法。本发明NTC热敏电阻材料的制备原料包括如下氧化物原料组分：aMn3O4bCo3O4cFe2O3dNiOeZnOfAl2O3，其中a、b、c、d、e、f为质量百分比，67.0％≤a≤75.0％，3.0％≤b≤7.0％，2.5％≤c≤6.5％，14.0％≤d≤18.0％，0.4％≤e≤1.4％，1.5％≤f≤2.5％，且满足a+b+c+d+e+f＝100％。本发明NTC热敏电阻材料的相结构为尖晶石纯相，电阻率为3793±5％～4453±5％Ω·cm，B值为3918±3％～3958±3％K，是一种可调控的中阻中B值Mn‑Co‑Fe‑Ni‑Zn‑Al系NTC热敏电阻。
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公开(公告)号：CN114843054B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202210337462.7
申请日：2022-04-01
申请人： 华南理工大学 , 广东风华高新科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于压敏电阻器的包封材料及包封方法。本发明的用于压敏电阻器的包封材料的组成包括：Na3PO4、Zn(H2PO4)2、Al(H2PO4)3、FeCl3和H3PO4。本发明的压敏电阻器的包封方法包括以下步骤：1)将Na3PO4、Zn(H2PO4)2、Al(H2PO4)3和水混合，再加入FeCl3和H3PO4，得到包封液；2)将压敏电阻器放入包封液浸泡，烧结，得到含包封层的压敏电阻器。本发明的包封材料组成简单、成本低，能够批量、高效地制备含包封层的压敏电阻器，且包封层具有耐腐蚀性好、均匀、难“爬镀”的优势，压敏电阻器的良品率高。
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公开(公告)号：CN103396116B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201310352051.6
申请日：2013-08-13
申请人： 广东风华高新科技股份有限公司
IPC分类号： H01C7/112 , C04B35/453 , H01C7/12
摘要： 本发明涉及一种氧化锌压敏电阻生料、其制备方法及压敏电阻器。该氧化锌压敏电阻生料按摩尔百分比计，包括氧化锌91.48～98.03%、三氧化二铋0.5～2.0%、二氧化硅0.5～2.5%、四氧化三钴0.35～1.5%、碳酸锰0.5～1.0%、三氧化二铬0.1～0.5%、三氧化二钇0.01～2.0%及硝酸铝0.0001～0.001%。该生料不含锑，且二氧化硅改善压敏电阻特性，增加表面态密度，提高电压梯度、势垒高度和非线性系数，降低泄漏电流和增强抗电流的冲击能力；三氧化二钇提高电导率、抗电流的冲击能力、非线性系数及电压梯度，降低限制电压比和泄漏电流，抑制晶粒生长，使压敏电阻器具有较高电压梯度和优异的电性能。
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公开(公告)号：CN103396116A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310352051.6
申请日：2013-08-13
申请人： 广东风华高新科技股份有限公司
IPC分类号： C04B35/453 , H01C7/112 , H01C7/12
摘要： 本发明涉及一种氧化锌压敏电阻生料、其制备方法及压敏电阻器。该氧化锌压敏电阻生料按摩尔百分比计，包括氧化锌91.48～98.03%、三氧化二铋0.5～2.0%、二氧化硅0.5～2.5%、四氧化三钴0.35～1.5%、碳酸锰0.5～1.0%、三氧化二铬0.1～0.5%、三氧化二钇0.01～2.0%及硝酸铝0.0001～0.001%。该生料不含锑，且二氧化硅改善压敏电阻特性，增加表面态密度，提高电压梯度、势垒高度和非线性系数，降低泄漏电流和增强抗电流的冲击能力；三氧化二钇提高电导率、抗电流的冲击能力、非线性系数及电压梯度，降低限制电压比和泄漏电流，抑制晶粒生长，使压敏电阻器具有较高电压梯度和优异的电性能。
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