公开(公告)号：CN108648890B

公开(公告)日：2020-02-04

申请号：CN201810447949.4

申请日：2018-05-10

Applicant: 广州大学

Inventor： 张成云 ,  刘志宇 ,  刘佐濂

IPC: H01C17/00 ,  H01C17/075 ,  H01C17/242

Abstract: 本发明提供了一种纳米颗粒线阵列电阻的制备方法，包括：获得制备样品；将制备样品放置在三维微位移平台上；飞秒脉冲激光经过光路系统后透过石英玻片聚焦在金膜表面，PC机控制三维微位移平台在Y和Z轴方向上移动，金膜被聚焦的激光烧蚀，形成束缚空间的等离子体喷发，喷发的金纳米颗粒被覆盖的玻璃接收，玻璃表面获得金纳米颗粒线阵列电阻；表征金纳米颗粒线阵列电阻的形貌特征。该方法基于飞秒激光微纳加工平台，结合激光诱导后向转移技术，通过控制飞秒脉冲激光能量密度、扫描速度和加工条数，制备金纳米颗粒组成的线阵列电阻，利用扫描电子显微镜和原子力显微镜表征不同加工参数的金纳米颗粒形貌特征。

公开(公告)号：CN103297026B

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201310206393.7

申请日：2013-05-29

Applicant: 广州大学

Inventor： 杨汝 ,  李斌华 ,  刘佐濂

IPC: H03K19/00

Abstract: 本发明公开了磁控忆阻器的一种双端有源等效电路，其包括：电阻R1、电阻R2、电阻R3、第一电压跟随器、第二电压跟随器、第一加法器、第二加法器、第一减法器、第二减法器、积分器、乘方器、乘法器、比例放大器、第三加法器和电压源。本发明通过在电阻R1和电阻R2之间加入反馈来控制流过电阻R1的电流，电阻R2和电阻R3之间加入反馈来控制流过电阻R3的电流，根据磁控忆阻器的U-I特性，通过运算电路来实现的，其双端明确，数学概念清晰，能在实验中实现，并可用作有源忆阻器的特性研究、以及直接作为忆阻器元器件接入电路中与其它元件串联或并联使用。

公开(公告)号：CN112820291B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202110021302.7

申请日：2021-01-08

Applicant: 广州大学

Inventor： 刘佐濂 ,  郭子芊 ,  陈江涛 ,  宁琳 ,  麦伟健 ,  詹逸 ,  向宇涵

IPC: G10L15/22 ,  G10L15/26 ,  G10L15/02 ,  G10L17/02 ,  G10L17/22 ,  G10L25/24

Abstract: 本申请公开了一种智能家居控制方法、系统和存储介质，所述方法包括对待识别语音信号进行语音识别和声纹识别，提取控制指令和语音声纹特征；确定有权限用户列表不包括陌生人，获取有权限用户的第一声纹特征；将第一声纹特征与语音声纹特征进行特征匹配，获取第一相关系数；确定第一相关系数大于阈值，生成控制信号；确定有权限用户列表包括陌生人，获取无权限用户的第二声纹特征；将第二声纹特征与语音声纹特征进行特征匹配，获取第二相关系数；确定第二相关系数小于阈值，生成控制信号。相较于现有的智能家居控制方法，本申请能够识别发出语音信号的用户是否存在操作权限，具有更高的安全性。本申请可广泛应用于智能家居技术领域中。

公开(公告)号：CN116108610A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202210797896.5

申请日：2022-07-08

Applicant: 广州大学

Inventor： 杨汝 ,  钟振业 ,  揭海 ,  杨红 ,  刘佐濂 ,  胡维

IPC: G06F30/20 ,  G06N7/08 ,  G06F17/10 ,  H02M1/44 ,  G06F111/10

Abstract: 本发明涉及开关电源的传导干扰领域，且公开了基于混沌信号抑制反激电路传导电磁干扰的设计方法，包括以下步骤：第一步：分数阶Chen混沌系统进行基于Adomian算法的数值仿真；第二步：通过初始化阶数输出Lyapunov指数谱，然后进行仿真；第三步：对分数阶Chen混沌系统进行复杂度分析，得出目标阶数下的Chen混沌系统的混沌吸引子；第四步：基于目标阶数下的Chen混沌系统的混沌吸引子，生成分数阶混沌PWM；本发明技术基于分数阶Chen混沌系统和混沌扩频理论，实现了源头处抑制反激电路传导电磁干扰，既能够为开关电源研究者提供新思路，又拓宽了分数阶混沌信号在抑制传导干扰上的应用研究。

公开(公告)号：CN115208177A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210708544.8

申请日：2022-06-22

Applicant: 广州大学

Inventor： 杨汝 ,  陈健玮 ,  揭海 ,  刘佐濂 ,  胡维 ,  杨红

IPC: H02M1/42 ,  H02M3/158 ,  H02M1/14

Abstract: 本发明涉及电路设计技术领域，本发明公开了一种四相交错并联有源因数校正电路，包括整流电路、驱动电路、同步电路、控制电路和两个两相交错并联APFC电路；整流电路分别与所述两个两相交错并联APFC电路并联，所述两个两相交错并联APFC电路分别与驱动电路串联，所述驱动电路与所述控制电路串联，所述同步电路与控制电路并联，所述驱动电路分别与所述两个两相交错并联APFC电路并联；该控制电路包括UCC28070A芯片，所述同步电路包括LM5032芯片。本发明设计的输出功率为原两相交错并联有源功率因数校正电路的两倍并减少了输出纹波，其各次电流谐波分量均可满足国际IEC/EN61000‑3‑2的入网标准。

公开(公告)号：CN109534286A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201811312473.X

申请日：2018-11-05

Applicant: 广州大学

Inventor： 张成云 ,  程朗 ,  刘佐濂

IPC: B82Y40/00 ,  B23K26/00 ,  B23K26/352

Abstract: 本发明公开了一种材料表面嵌套纳米结构制备方法。本发明利用飞秒激光微纳加工平台，材料表面经过两次扫描加工，通过精确控制激光的能量密度、激光偏振和扫描方向，可以方便快捷地在硅表面诱导出条纹结构嵌套纳米孔结构，在不锈钢表面诱导出条纹结构嵌套纳米柱阵列结构，这些表面纳米结构可以用于生物微流体器件、太阳能电池吸收增强、显示、防伪、波导和数据存储等领域。

公开(公告)号：CN113061839B

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202110466005.3

申请日：2021-04-28

Applicant: 广州大学

Inventor： 张成云 ,  林茹 ,  张绍林 ,  刘佐濂 ,  吴润民

IPC: C23C14/02 ,  C23C14/08 ,  C23C14/16 ,  C23C14/24 ,  C23C14/35 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  G01N27/04

Abstract: 本发明公开了一种电阻型纳米结构氢气传感器的制备方法，包括：S1，利用飞秒脉冲激光在硅样品衬底上诱导出随机分布的纳米凸起结构；S2，利用磁控溅射设备在覆盖纳米突起的硅表面溅射CuO纳米薄膜；S3，利用真空热蒸发镀膜技术在CuO纳米薄膜料表面蒸镀一层钯膜；S4，在镀好钯膜的硅样品两端制备铟电极后，制备出电阻型氢气传感器。本发明利用飞秒脉冲激光可以方便快速的在硅表面诱导出大面积随机分布的纳米突起结构，结合磁控溅射和热蒸发镀上氢敏材料钯后，获得比较大的表面积和体积比，从而可以实现氢气传感器件的制备。

公开(公告)号：CN108416126B

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN201810150254.X

申请日：2018-02-13

Applicant: 广州大学

Inventor： 杨汝 ,  曾海威 ,  刘佐濂

IPC: G06F30/20 ,  G06F17/11

Abstract: 本发明公开了一种DC/DC变换器稳定性分析方法及系统，所述方法包括如下步骤：步骤S1，对DC/DC变换器系统模型进行变换推导，以得到适用于不连续控制理论稳定性分析方法的DC/DC变换器状态空间方程；步骤S2，根据不连续控制理论指数稳定性分析方法，利用推导后的DC/DC变换器的状态空间方程来判断DC/DC变换器系统的指数稳定性，计算DC/DC变换器指数收敛速度，本发明通过使用不连续控制理论描述DC/DC变换器，在分析DC/DC变换器时不需要对系统进行线性化，对系统稳定性的分析更准确，同时简化分析过程。

公开(公告)号：CN113061839A

公开(公告)日：2021-07-02

申请号：CN202110466005.3

申请日：2021-04-28

Applicant: 广州大学

Inventor： 张成云 ,  林茹 ,  张绍林 ,  刘佐濂 ,  吴润民

IPC: C23C14/02 ,  C23C14/08 ,  C23C14/16 ,  C23C14/24 ,  C23C14/35 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  G01N27/04

Abstract: 本发明公开了一种电阻型纳米结构氢气传感器的制备方法，包括：S1，利用飞秒脉冲激光在硅样品衬底上诱导出随机分布的纳米凸起结构；S2，利用磁控溅射设备在覆盖纳米突起的硅表面溅射CuO纳米薄膜；S3，利用真空热蒸发镀膜技术在CuO纳米薄膜料表面蒸镀一层钯膜；S4，在镀好钯膜的硅样品两端制备铟电极后，制备出电阻型氢气传感器。本发明利用飞秒脉冲激光可以方便快速的在硅表面诱导出大面积随机分布的纳米突起结构，结合磁控溅射和热蒸发镀上氢敏材料钯后，获得比较大的表面积和体积比，从而可以实现氢气传感器件的制备。

公开(公告)号：CN109194114A

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201810910122.2

申请日：2018-08-10

Applicant: 广州大学

Inventor： 杨汝 ,  刁家骐 ,  刘佐濂 ,  张波 ,  揭海 ,  余连德

IPC: H02M1/44

Abstract: 本发明公开了一种基于数学建模预测反激式变换器EMI的方法，包括：通过传输路径提取单元获取开关电源的传导EMI的干扰源和传输路径，传输路径包括差模传输路径和共模传输路径；通过第一元件参数提取单元对差模传输路径建立差模干扰回路模型；通过第二元件参数提取单元对共模传输路径建立共模干扰回路模型；通过仿真测试单元对差模干扰回路模型和共模干扰回路模型进行仿真测试，得到传导EMI的仿真测试波形。本发明可以用于电路设计完成后对开关电源传导EMI的波形预测和量化分析，改善电路的电磁干扰程度，并能有效地降低电路的研发成本和周期。