一种光半导体电极及其制造方法、光电化学电池

    公开(公告)号:CN117779092A

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN202311808555.4

    申请日:2023-12-26

    Applicant: 广州大学

    Abstract: 本发明公开了一种光半导体电极及其制造方法、光电化学电池,属于光电化学电池技术领域,包括第1导电体层;第一N型半导体层,其被设置在第1导电体上;第二N型半导体层,其被设置在第一N型半导体层上;半导体层:第2导电体层,其被设置在第二N型半导体层上;其中,第一N型半导体层由TiO2‑SrTiO3复合氧化物薄膜构成;第二N型半导体层由TiO2薄膜构成;以真空能级为基准,TiO2薄膜的费米能级EF2在第2导电体层的费米能级EF1以下,TiO2‑SrTiO3复合氧化物薄膜的费米能级EF3在第1导电体层的费米能级EF3以上。本发明能够实现在光半导体层产生的激励电子与空穴容易电荷分离,光催化活性高。

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