公开(公告)号：CN113674994B

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202111112404.6

申请日：2021-09-23

Applicant: 广州天极电子科技股份有限公司 ,  华南理工大学

Inventor： 冯毅龙 ,  卢振亚 ,  吕明 ,  曾石稳

IPC: H01G4/10 ,  H01G4/00

Abstract: 本发明属电容器制备技术领域，尤其涉及一种钛酸锶单晶基晶界层电容器材料及其制备方法和应用。本发明提供了的SrTiO3单晶基晶界层电容器材料，包括第一半导体化SrTiO3单晶片，第二半导体化SrTiO3单晶片，设置于所述第一半导体化SrTiO3单晶片和第二半导体化SrTiO3单晶片之间的金属氧化物绝缘层，所述第一半导体化SrTiO3单晶片和所述金属氧化物绝缘层接触的表面形成第一掺杂扩散层，所述第二半导体化SrTiO3单晶片和所述金属氧化物绝缘层接触的表面形成第二掺杂扩散层。本发明提供的电容器材料具有高温度稳定性和高可靠性的特点。

公开(公告)号：CN113674994A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202111112404.6

申请日：2021-09-23

Applicant: 广州天极电子科技股份有限公司 ,  华南理工大学

Inventor： 冯毅龙 ,  卢振亚 ,  吕明 ,  曾石稳

IPC: H01G4/10 ,  H01G4/00

Abstract: 本发明属电容器制备技术领域，尤其涉及一种钛酸锶单晶基晶界层电容器材料及其制备方法和应用。本发明提供了的SrTiO3单晶基晶界层电容器材料，包括第一半导体化SrTiO3单晶片，第二半导体化SrTiO3单晶片，设置于所述第一半导体化SrTiO3单晶片和第二半导体化SrTiO3单晶片之间的金属氧化物绝缘层，所述第一半导体化SrTiO3单晶片和所述金属氧化物绝缘层接触的表面形成第一掺杂扩散层，所述第二半导体化SrTiO3单晶片和所述金属氧化物绝缘层接触的表面形成第二掺杂扩散层。本发明提供的电容器材料具有高温度稳定性和高可靠性的特点。