-
公开(公告)号：CN115877890A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202310116087.8
申请日：2023-02-15
申请人： 广州志橙半导体有限公司
IPC分类号： G05D23/20
摘要： 本发明涉及人工智能领域，公开了一种CVD设备的温度控制方法及系统，用于实现CVD设备的温度智能控制以及提高温度控制的准确率。所述方法包括：对初始温度数据进行数据标准化处理，得到标准化温度数据；获取标准化温度数据的时间戳数据，并按照时间戳数据对标准化温度数据进行特征筛选处理，得到特征温度数据：对特征温度数据进行热场功率分析，得到目标CVD设备对应的功率数据；获取多个工艺流程信息，并根据功率数据对多个工艺流程信息进行加热器温度控制，生成每个工艺流程信息对应的加热器温度控制数据；将加热器温度控制数据输入预置的设备温度控制分析模型进行设备温度控制分析，得到每个工艺流程信息对应的温度控制分析结果。
-
公开(公告)号：CN114775047B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210382649.9
申请日：2022-04-12
申请人： 广州志橙半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种用于外延生长的反应装置，包括：反应器、石英腔、感应加热装置与进出气装置，所述感应加热装置包括感应加热线圈，所述感应加热线圈缠绕于石英腔外部，所述反应器设置于石英腔内部，所述进出气装置与所述反应器连接，本发明中感应加热线圈缠绕于石英腔外部，通过感应加热内部的石墨零部件为CVD反应提供热源，上半月保温层和下半月保温层合抱为圆管为内部的零部件保温。本发明解决了目前缺乏专用于外延生长的反应装置的问题。
-
公开(公告)号：CN114453773B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210377582.X
申请日：2022-04-12
申请人： 广州志橙半导体有限公司
IPC分类号： B23K26/38 , B23K26/08 , B23K26/70 , B23K101/40
摘要： 本发明适用于激光切割技术领域，提供了一种碳化硅晶圆激光切割设备，所述碳化硅晶圆激光切割设备包括：操作台，所述操作台上转动连接有第一螺纹杆，所述第一螺纹杆上螺纹连接有第一螺纹块；安装板，安装在所述第一螺纹块上，所述安装板上安装有激光自动切割组件；连接驱动组件，安装在所述操作台内部。该碳化硅晶圆激光切割设备会自动感应是否有碳化硅晶圆经过，只有当碳化硅晶圆处于激光自动切割组件下方时，激光自动切割组件才会自动运转，来进行激光切割操作，避免不必要的激光使用导致的意外发生，同时该装置具有自动调节切割位置的效果，使用方便，自动化程度高，便于操作。
-
公开(公告)号：CN114393721A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202210095906.0
申请日：2022-01-26
申请人： 广州志橙半导体有限公司
摘要： 本发明涉及硬质陶瓷材料加工制造技术领域，具体为一种超声打多孔装置，包括工作台，工作台内部设置有超声波发生器，工作台顶部固定连接有水箱，工作台顶部固定连接有立柱，立柱一侧设置有用于进行加工处理的加工工具头，立柱侧壁设置有用于对加工工具头进行调节的连接调节机构，加工工具头顶部设置有与超声波发生器相匹配的超声振动系统，水箱内部设置有用于对加工件进行固定夹持的工件固定装置；本发明通过设置加工工具头和工具头内的针盘，其工具头针盘的直径大，可在工具头上一次性焊接几十甚至上百个针头，进而实现在大范围内进行一次性多孔加工，解决了加工范围小的难题，提高了有多孔要求工件的加工效率。
-
公开(公告)号：CN114429311B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210143870.9
申请日：2022-02-17
申请人： 广州志橙半导体有限公司
IPC分类号： G06Q10/0639 , G06Q50/04
摘要： 本发明提供了一种用于半导体制造流程的动态监控方法及系统，其方法包括：确定待制造半导体，并从制造流程数据库中调取待制造半导体的制造流程，并获取制造流程中的制造指标；按照制造指标对待制造半导体相关的历史制造数据进行类型分析，得到每个制造指标的历史数据集，并基于数据分析模型，确定对应制造指标存在的制造异常事件；确定对应异常指标在制造流程中的贯穿流程线，并基于制造异常事件确定贯穿流程线中的异常线程段，并构建异常线程段的异常监控集合；将异常监控集合以及正常监控集合，构建待制造半导体的动态监控集合，实现对待制造半导体在制造过程中的动态监控。通过异常分析，确定异常线程段，并设置监控集合，实现有效动态监控。
-
公开(公告)号：CN115858541A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202310125391.9
申请日：2023-02-16
申请人： 广州志橙半导体有限公司
IPC分类号： G06F16/22 , G06K19/06 , G06Q10/0633 , G06F16/242
摘要： 本发明涉及数据处理的技术领域，提供了一种工艺配方参数的处理方法及装置，其中方法包括：获取CVD工艺设备的工艺配方参数及数据，其中，所述工艺配方参数包括温度、压力、流量、电流、电压；针对所述CVD工艺设备的每个工艺配方，系统将创建一个唯一对应的配方编号；将所述工艺配方参数与其对应的配方编号关联存储在工艺配方参数库中；最后生成一个二维码，并在所述二维码中存储所述配方编号；其中，所述二维码用于设置在与所述配方编号所对应的产品上。本发明中只需要扫描二维码则可以从中获取对应的配方编号，从而从工艺配方参数库获取对应配方编号的工艺配方参数，无需工作人员手动输入，有利于提高生产效率及准确率。
-
公开(公告)号：CN115826543A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202310125926.2
申请日：2023-02-17
申请人： 广州志橙半导体有限公司
IPC分类号： G05B19/418
摘要： 本发明涉及生产监控技术领域，公开了一种基于Wincc的CVD炉生产监控系统，用于实时监测并修改调整生产数据并且可以追溯历史生产数据。所述系统包括：上位机、下位机和检测装置；上位机用于：对CVD炉的设备和参数进行监控和管理；以及读取CVD炉的生产数据，并将生产数据传输至下位机；检测装置用于：采集CVD炉的参数信号，并根据参数信号检测CVD炉的实际参数值；以及将实际参数值传输至下位机；下位机用于：根据生产数据控制CVD炉，并将生产数据对应的参数信号传输至上位机；以及接收实际参数值，并对实际参数值和预置的期望值进行比较，生成比较结果；以及根据比较结果执行对应的控制指令。
-
公开(公告)号：CN115786889A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202310106785.X
申请日：2023-02-13
申请人： 广州志橙半导体有限公司
IPC分类号： C23C16/52 , G01D21/02 , G06F18/24 , G06F18/213
摘要： 本发明涉及数据处理技术领域，提供了一种CVD设备的数据采集方法和装置，其中方法包括：通过通讯协议连接CVD设备；其中，所述CVD设备上设置有多个传感器用于采集CVD设备的各项参数；所述参数至少包括温度、压力、流量、电流、电压；获取所述CVD设备上各个所述传感器对应采集的各项参数；对各项所述参数进行统一汇总管理；生成交互界面，以通过所述交互界面修改所述参数；其中，所述交互界面的后台提供修改所述参数的接口。本发明通过中央管理器获取到CVD设备的各项参数，在中央管理器上对各项参数进行统一汇总管理，同时还可以进行参数的修改。
-
公开(公告)号：CN115354391A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202211058114.2
申请日：2022-08-30
申请人： 广州志橙半导体有限公司
摘要： 本发明涉及半导体外延生长设备的技术领域，公开了一种用于外延生长的LPE设备，包括：反应器和进出气装置；本发明通过将2个动力气孔连通动力气导流结构和托盘结构改为增加至3个及以上的动力气孔连通动力气导流结构和托盘结构，令动力气驱动转盘结构进行更加稳定的旋转，大幅提高晶片的外延性，本发明中的工艺气导流结构设置在中间腔室的两端，工艺气导流结构的两端开口为矩形，其面积大于传统工艺气导流结构中的孔洞式开口，因此能够令中间腔室中的工艺气充足，提升了外延片的寿命，解决了外延反应时工艺气在中间腔室内的均匀性不够高，导致生产出来的外延片的寿命较短的问题。
-
公开(公告)号：CN118286814A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410604682.0
申请日：2024-05-15
申请人： 广州志橙半导体有限公司
IPC分类号： B01D50/20
摘要： 本发明涉及一种用于外延生长的尾气颗粒物脱除处理装置及方法，该处理装置包括：旋风分离器；所述旋风分离器的侧壁开设有进气口，顶部开设有出气口，底部开设有排灰口；所述进气口通过第一管道与反应炉的尾气出口连接，所述出气口通过第二管道与真空泵尾气进口连接；所述旋风分离器的漏斗内壁连接有抖动组件；所述旋风分离器的内部固定连接有初滤网，所述初滤网位于所述进气口的正上方。在本发明中，大部分的颗粒物会在旋风分离当中被截留下来，通过抖动组件抖动落入积灰仓内，达到分离效果，微小颗粒物则在初滤网当中被拦截，以此确保过滤效果，管路和阀门不易堵塞，减少维护频次。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
32 条记录 (耗时 0.032 秒)
