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公开(公告)号：CN109888023B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN201910227480.8
申请日：2019-03-25
申请人： 广州新视界光电科技有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/34
摘要： 本发明公开了一种顶栅型薄膜晶体管，所述顶栅型薄膜晶体管包括：衬底、氧化物修饰层、有源层、栅绝缘层、栅极、钝化层、源极和漏极；所述氧化物修饰层设置于所述有源层与所述栅绝缘层之间。氧化物修饰层可对顶栅型薄膜晶体管的性能进行调节，达到了提高稳定性的作用，同时还可将氧化物修饰层和有源层同时进行图形化，可不增加光刻次数，因而在不增加光刻成本的前提下提高了顶栅型薄膜晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN110310972B
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910805990.9
申请日：2019-08-29
申请人： 广州新视界光电科技有限公司
IPC分类号： H01L27/30
摘要： 本发明实施例公开了一种光电探测器以及制备方法，包括：衬底；形成在衬底上的薄膜晶体管阵列；形成在薄膜晶体管阵列上的至少一个像素电极；形成在像素电极上的像素定义层，像素定义层中形成有至少一个开口，暴露出像素电极，像素定义层在垂直于衬底所在平面方向上的尺寸，大于像素电极暴露部分在平行于衬底所在平面方向上的尺寸；形成在像素定义层中的光电探测器件层，位于开口内；形成在光电探测器件层上的顶电极。本发明实施例的技术方案通过在像素定义层设置高深比的比值大于1的“深井型结构”的开口，将光电探测器件层形成在像素定义层的开口内，使得照射到光电探测单元之间的入射光不会产生光学串扰问题。
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公开(公告)号：CN110310972A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910805990.9
申请日：2019-08-29
申请人： 广州新视界光电科技有限公司
IPC分类号： H01L27/30
摘要： 本发明实施例公开了一种光电探测器以及制备方法，包括：衬底；形成在衬底上的薄膜晶体管阵列；形成在薄膜晶体管阵列上的至少一个像素电极；形成在像素电极上的像素定义层，像素定义层上形成有至少一个开口，暴露出像素电极，像素定义层在垂直于衬底所在平面方向上的尺寸，大于像素电极暴露部分在平行于衬底所在平面方向上的尺寸；形成在像素定义层上的光电探测器件层，位于开口内；形成在光电探测器件层上的顶电极。本发明实施例的技术方案通过在像素定义层设置高深比的比值大于1的“深井型结构”的开口，将光电探测器件层形成在像素定义层的开口内，使得照射到光电探测单元之间的入射光不会产生光学串扰问题。
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公开(公告)号：CN114730806A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN201980102395.7
申请日：2019-12-31
申请人： 广州新视界光电科技有限公司
IPC分类号： H01L29/786
摘要： 一种薄膜晶体管的制作方法，包括：提供衬底基板(100)；在所述衬底基板(100)上形成图形化的有源层(200)；在所述有源层(200)的中间区(210)上形成栅极绝缘层(300)；在所述栅极绝缘层(300)上形成栅极(400)；采用PECVD工艺在所述衬底基板(100)、所述有源层(200)、所述栅极绝缘层(300)以及所述栅极(400)上形成第一绝缘层(500)；形成源极(600)和所述漏极(700)，所述源极(600)与源极区(220)电连接，所述漏极(700)与漏极区(230)电连接。通过控制位于栅极(400)相对两侧的栅极绝缘层(300)的长度实现轻掺杂区和重掺杂区的比例调节，便捷的改变薄膜晶体管的阈值电压，降低薄膜晶体管的阈值电压的调节难度，且实现了阈值电压便于调节的薄膜晶体管的低难度制备。
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公开(公告)号：CN108878295B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201810716384.5
申请日：2018-07-03
申请人： 广州新视界光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/34 , H01L51/40
摘要： 本发明实施例公开了一种薄膜晶体管的制备方法及显示面板的制备方法。该薄膜晶体管的制备方法包括：提供一衬底基板；在衬底基板表面制备栅极层、栅极绝缘层、有源层和源漏极层；采用溶液法在所述栅极层、所述有源层和所述源漏极层远离所述衬底基板一侧的裸露表面制备钝化层。本发明实施例降低了薄膜晶体管的制作成本。
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公开(公告)号：CN109950407A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910257025.2
申请日：2019-04-01
申请人： 广州新视界光电科技有限公司
摘要： 本发明提供一种钙钛矿薄膜及其制备方法，所述制备方法的步骤包括：将钙钛矿溶液使用溶液加工法制备得到含有溶剂的钙钛矿薄膜前驱体，对所述钙钛矿薄膜前驱体进行热压处理得到所述钙钛矿薄膜。所述制备方法制备得到的钙钛矿薄膜中晶粒尺寸较大，且薄膜的厚度较厚，满足光电器件的载流子运输需要。
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公开(公告)号：CN109888023A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910227480.8
申请日：2019-03-25
申请人： 广州新视界光电科技有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/34
摘要： 本发明公开了一种顶栅型薄膜晶体管，所述顶栅型薄膜晶体管包括：衬底、氧化物修饰层、有源层、栅绝缘层、栅极、钝化层、源极和漏极；所述氧化物修饰层设置于所述有源层与所述栅绝缘层之间。氧化物修饰层可对顶栅型薄膜晶体管的性能进行调节，达到了提高稳定性的作用，同时还可将氧化物修饰层和有源层同时进行图形化，可不增加光刻次数，因而在不增加光刻成本的前提下提高了顶栅型薄膜晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN109103263A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810907928.6
申请日：2018-08-10
申请人： 广州新视界光电科技有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/24 , H01L21/34
摘要： 本发明实施例公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板的制作方法。该薄膜晶体管包括：衬底基板；形成在所述衬底基板上的栅极层、栅极绝缘层、有源层和源漏极层，所述有源层包括第一区域，所述第一区域为未被所述栅极层以及所述源漏极层覆盖；形成在所述有源层背离所述衬底基板一侧的钝化层，且所述钝化层与所述有源层的第一区域直接接触；其中，所述有源层和所述钝化层均掺杂有稀土元素。本发明提供的薄膜晶体管可以提高薄膜晶体管抗水氧能力。
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公开(公告)号：CN108878295A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810716384.5
申请日：2018-07-03
申请人： 广州新视界光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/34 , H01L51/40
摘要： 本发明实施例公开了一种薄膜晶体管的制备方法及显示面板的制备方法。该薄膜晶体管的制备方法包括：提供一衬底基板；在衬底基板表面制备栅极层、栅极绝缘层、有源层和源漏极层；采用溶液法在所述栅极层、所述有源层和所述源漏极层远离所述衬底基板一侧的裸露表面制备钝化层。本发明实施例降低了薄膜晶体管的制作成本。
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公开(公告)号：CN114730713A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN201980102403.8
申请日：2019-12-31
申请人： 广州新视界光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786
摘要： 一种薄膜晶体管的制备方法包括：在衬底基板上形成图形化的有源层(12)，在有源层和衬底基板上依次形成整层栅极绝缘层和整层栅极层(13、14)；在整层栅极层上形成图形化的光刻胶层(15)；以光刻胶层为掩膜，图形化整层栅极层以及整层栅极绝缘层(16)；以减薄后的光刻胶层为掩膜，图形化准栅极(18)；去除减薄后的光刻胶层(19)；采用PECVD工艺在衬底基板、有源层、栅极绝缘层以及栅极上形成第一绝缘层；同时，以栅极绝缘层以及栅极为掩膜介质，利用PECVD工艺中前驱气体的等离子体对有源层进行高导处理(20)；形成源极和漏极(21)。降低了薄膜晶体管的阈值电压的调节难度，实现了阈值电压便于调节的薄膜晶体管的高精度制备。
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