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公开(公告)号：CN112234947B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202011002300.5
申请日：2020-09-22
申请人： 广州海格通信集团股份有限公司 , 广州润芯信息技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种MOS工艺的功率放大器装置，所述功率放大器装置包括主放大器和截断波产生器，其中，主放大器的输入端输入外部输入信号、输出端输出经过主放大器放大后的第一输出信号；主放大器的输入端与截断波产生器的输入端连接、输出端与截断波产生器的输出端连接；所述截断波产生器，用于根据系统发送的控制信号生成截断波信号，从而使得所述截断波信号中的干扰成分与第一输出信号的干扰成分抵消后输出到负载设备，进而提高功率放大器的OIP3指标。本发明具有结构简单、功耗低等特点。本发明还提供了一种MOS工艺的功率放大器系统。
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公开(公告)号：CN112532243A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011552149.2
申请日：2020-12-24
申请人： 广州润芯信息技术有限公司 , 广州海格通信集团股份有限公司
IPC分类号： H03M1/10
摘要： 本发明公开了一种多通道直流失调校准装置及校准方法，包括多个信号接收端口，连接ADC通道以采集多路待校准数据；第一数据选择器MUX，连接所有信号接收端口；数字直流失调矫正模块，与所述第一数据选择器MUX连接，用于接收所述第一数据选择器MUX所选择的待校准数据并进行数字矫正；第二数据选择器MUX，与所述数字直流失调矫正模块连接，用于接收所述数字直流失调矫正模块矫正后的数据并选择对应的通道；RAM存储器，与所述第二数据选择器MUX连接，存储所述第二数据选择器MUX所选择的矫正后的数据。本发明对传统的直流失调校准装置、校准方法进行改进，节省数字直流失调矫正所占用的面积，优化功耗。
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公开(公告)号：CN112234947A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011002300.5
申请日：2020-09-22
申请人： 广州海格通信集团股份有限公司 , 广州润芯信息技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种MOS工艺的功率放大器装置，所述功率放大器装置包括主放大器和截断波产生器，其中，主放大器的输入端输入外部输入信号、输出端输出经过主放大器放大后的第一输出信号；主放大器的输入端与截断波产生器的输入端连接、输出端与截断波产生器的输出端连接；所述截断波产生器，用于根据系统发送的控制信号生成截断波信号，从而使得所述截断波信号中的干扰成分与第一输出信号的干扰成分抵消后输出到负载设备，进而提高功率放大器的OIP3指标。本发明具有结构简单、功耗低等特点。本发明还提供了一种MOS工艺的功率放大器系统。
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公开(公告)号：CN214412706U
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202023171214.5
申请日：2020-12-24
申请人： 广州润芯信息技术有限公司 , 广州海格通信集团股份有限公司
IPC分类号： H03M1/10
摘要： 本实用新型公开了一种多通道直流失调校准装置，包括多个信号接收端口，连接ADC通道以采集多路待校准数据；第一数据选择器MUX，连接所有信号接收端口；数字直流失调矫正模块，与所述第一数据选择器MUX连接，用于接收所述第一数据选择器MUX所选择的待校准数据并进行数字矫正；第二数据选择器MUX，与所述数字直流失调矫正模块连接，用于接收所述数字直流失调矫正模块矫正后的数据并选择对应的通道；RAM存储器，与所述第二数据选择器MUX连接，存储所述第二数据选择器MUX所选择的矫正后的数据。本实用新型对传统的直流失调校准装置进行改进，节省数字直流失调矫正所占用的面积，优化功耗。
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公开(公告)号：CN111103915B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN201910650910.7
申请日：2019-07-18
申请人： 广州润芯信息技术有限公司
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明公开了一种直流失调消除电路包括电阻R1至电阻R7、运算放大器OPA1、运算放大器OPA2、电容C1、电容C2、MOS管NMOS1、MOS管NMOS2、第一MOS管串联电阻以及第二MOS管串联电阻，第一MOS管串联电阻的栅极连接基准电压，第二MOS管串联电阻的漏极连接MOS管NMOS2的栅极，第二MOS管串联电阻的源极连接MOS管NMOS2的源极，第二MOS管串联电阻的栅极连接基准电压。本发明增加栅源短接的MOS管NMOS1和MOS管NMOS2作为共模电压快速建立支路，MOS管串联电阻替代传统结构中的大电阻，可以明显减小芯片面积。
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公开(公告)号：CN111103915A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201910650910.7
申请日：2019-07-18
申请人： 广州润芯信息技术有限公司
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明公开了一种直流失调消除电路包括电阻R1至电阻R7、运算放大器OPA1、运算放大器OPA2、电容C1、电容C2、MOS管NMOS1、MOS管NMOS2、第一MOS管串联电阻以及第二MOS管串联电阻，第一MOS管串联电阻的栅极连接基准电压，第二MOS管串联电阻的漏极连接MOS管NMOS2的栅极，第二MOS管串联电阻的源极连接MOS管NMOS2的源极，第二MOS管串联电阻的栅极连接基准电压。本发明增加栅源短接的MOS管NMOS1和MOS管NMOS2作为共模电压快速建立支路，MOS管串联电阻替代传统结构中的大电阻，可以明显减小芯片面积。
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公开(公告)号：CN210518234U
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201921115861.9
申请日：2019-07-16
申请人： 广州润芯信息技术有限公司
IPC分类号： H03G3/30
摘要： 本实用新型公开了中频增益控制电路，包括放大器与CMOS开关，放大器包括中频放大器与可编程增益放大器，中频放大器的正负差分输入端分别作为所述中频增益控制电路的输入端，可编程增益放大器的正负差分输出端分别作为所述中频增益控制电路的输出端，中频放大器的正负差分输出端分别连接可编程增益放大器的正负差分输入端；中频放大器的输入端及输出端并联一个CMOS开关；以及在可编程增益放大器的输入端和部分或全部可调增益放大器输出端分别并联一个CMOS开关，CMOS开关的使能端连接控制电路。本实用新型结构简单，减小中频增益控制电路的功耗和噪声，解决了现有的增益控制电路功耗和噪声大的问题。
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公开(公告)号：CN210864452U
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201921137295.1
申请日：2019-07-18
申请人： 广州润芯信息技术有限公司
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本实用新型公开了一种直流失调消除电路包括电阻R1至电阻R7、运算放大器OPA1、运算放大器OPA2、电容C1、电容C2、MOS管NMOS1、MOS管NMOS2、第一MOS管串联电阻以及第二MOS管串联电阻，第一MOS管串联电阻的栅极连接基准电压，第二MOS管串联电阻的漏极连接MOS管NMOS2的栅极，第二MOS管串联电阻的源极连接MOS管NMOS2的源极，第二MOS管串联电阻的栅极连接基准电压。本实用新型增加栅源短接的MOS管NMOS1和MOS管NMOS2作为共模电压快速建立支路，MOS管串联电阻替代传统结构中的大电阻，可以明显减小芯片面积。
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