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1.

发明公开
改善WAT测试精度的测试单元及其测试方法无效

公开(公告)号：CN114509657A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202210401025.7

申请日：2022-04-18

申请人： 广州粤芯半导体技术有限公司

发明人： 赖福东 , 刘翔

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明提供一种改善WAT测试精度的测试单元及其测试方法，所述改善WAT测试精度的测试单元包括：MOS晶体管区，包括N个特征尺寸相同的MOS晶体管；金属区，位于MOS晶体管区上方；互连金属线，用于将MOS晶体管与金属区连接，使得N个MOS晶体管以并联的形式连接。本发明在不改变现有的测试硬件条件下，能够有效的解决测试机台及针卡在测试MOS晶体管漏电流时精度不足的问题，以便精确，高效的测试出MOS晶体管漏电流；测试过程方便简洁，并且可以降低测试成本，有利于本发明的应用与推广；本发明针对小尺寸MOS晶体管进行测试，以便了解MOS晶体管的性能，在后续芯片设计中提出解决方案，以便芯片的集成。