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公开(公告)号：CN118507355A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410486545.1
申请日：2024-04-22
申请人： 广西大学
IPC分类号： H01L21/34 , H01L29/786 , H01L21/56 , H01L23/31
摘要： 本发明属于半导体技术领域，涉及一种兼容各类衬底的a‑IGO薄膜晶体管制备方法，包括如下步骤：(1)准备硅片、玻璃、塑料三类典型衬底材料；(2)调控原子层沉积技术生长工艺、生长温度及薄膜沉积的厚度，在衬底上制备高质量超薄氧化铝栅绝缘层；(3)调控磁控溅射的生长温度、气压及功率等制备高质量超薄a‑IGO薄膜；(4)蒸镀金属源漏电极获得a‑IGO薄膜晶体管；(5)再次使用氧化铝钝化制备的a‑IGO薄膜晶体管，探究出钝化的机理以及配合钝化得到的器件性能最佳的生长工艺参数；(6)在维持器件良好的性能条件下，调整磁控溅射的工艺参数得到超薄的a‑IGO薄膜晶体管。本发明全过程工艺温度维持在50～100℃，各衬底材料可以有效兼容，并获得性能优异的a‑IGO薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN118374777A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410486548.5
申请日：2024-04-22
申请人： 广西大学
摘要： 本发明涉及一种磁控溅射制备高性能IGO薄膜及其方法，所述方法具体为：将IGO靶材通过磁控溅射的方式，在衬底的温度为400℃的生长条件下，制备高性能IGO薄膜。所述方法成本低廉、生长速率快,所制得的薄膜厚度均匀，且导电性能好、水溶性优异，在缩小器件的尺寸、降低功耗、提高性能和提高稳定性等方面有十分关键的作用。
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公开(公告)号：CN117205913A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311058649.4
申请日：2023-08-22
申请人： 广西大学
IPC分类号： B01J23/18 , C02F1/72 , C02F1/30 , G21F9/04 , C22B60/02 , C22B7/00 , B01J27/24 , B01J35/00 , B01J35/08 , B01J35/10 , B01J37/08 , C02F101/00
摘要： 本发明公开一种空心花球状Bi2O3/g‑C3N4异质结光催化剂及其制备方法和应用，属于光催化材料技术领域。本发明以三聚氰胺和三聚氰酸为原料，采用超分子自组装法合成空心纳米球g‑C3N4，然后以空心纳米球g‑C3N4作为基底，通过溶剂热合成法将Bi2O3纳米片负载在g‑C3N4上，进而成功合成空心花球状Bi心花球状微观结构2O3/g‑C3N4异质结光催化剂，比表面积高。同时(39.，该光催化剂具有独特的空34～78.12m2/g)以及活性位点多，可提高光利用率，从而提高其光催化的氧化还原性能。将其应用于光辅助提取铀，对U(VI)的去除率可达98.45％，且该光催化剂具有出色的抗干扰性和稳定性，还具有很好的可重复循环利用性，经5次重复循环对U(VI)去除率仍高达90.77％，对于高效富集铀废水中的铀具有很好的实际应用价值。
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公开(公告)号：CN115779930A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211359576.8
申请日：2022-11-02
申请人： 广西大学
摘要： 本发明公开了一种可调控带隙的ZnCdS纳米颗粒光催化产氢材料的制备方法；按比例称取适量锌的金属前驱体、镉的金属前驱体、硫源以及反应溶剂，将其加入到三颈或四口烧瓶中，在搅拌下加热至50～80℃，保温10～40min，随后将混合溶液继续加热至170～220℃，并在此温度下反应0.5～2h。充分反应后，自然冷却至室温。随后将所得产物离心分离，用去离子水和乙醇清洗沉淀物，然后在40～80℃下真空干燥4～12h后即可得到ZnCdS纳米颗粒光催化剂。所制备的ZnCdS光催化剂具有带隙可调控、高比表面积、光催化性能优异等特点，其尺寸在7～15nm；催化剂的能量带隙可以通过调节锌的金属前驱体与镉的金属前驱体摩尔比来进行调控，在光催化分解水产氢领域有着广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN109970913B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201910244493.6
申请日：2019-03-28
申请人： 广西大学
IPC分类号： C08F222/14 , C08F230/02 , C22B3/24 , C22B59/00
摘要： 本发明公开了一种基于BMAOP的树脂制备方法，通过以磷酸氢二(甲基丙烯酰氧乙基)酯(BMAOP)为单体、二甲基亚砜为溶剂、乙二醇二甲基丙烯酸酯(EGDMA)为交联剂、偶氮二异丁氰(AIBN)为引发剂，采用交联聚合的方法将其担载到支撑载体的微孔道内或表面上制成树脂。据此，发明人还建立了使用上述树脂分离钪锆的方法。实验表明，锆的去除率达99.5％，钪的回收率达99％，实现钪锆的有效分离，树脂可再生重复利用。因此，本发明具有工艺简单，锆洗脱率高，钪回收率高，产品纯度高等特点，而且几乎不使用有机溶剂，环境污染小。
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公开(公告)号：CN111269339A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010068240.0
申请日：2020-01-21
申请人： 广西大学
IPC分类号： C08F8/32 , C08F8/24 , C08F212/08 , C08F212/36 , C08F2/44 , C08K7/26 , B01J41/08 , G01N5/04 , G01N15/02 , G01N15/08 , G01T1/167
摘要： 本发明公开了一种硅基阴离子交换树脂及其制备方法，涉及阴离子交换树脂技术领域，所述树脂是硅基白球经氯甲基化、再胺化反应得到，具有三甲胺型季铵盐官能团，所述树脂的全交换容量为0.8-1.0meq/g；所述树脂的粒径为75-150μm，孔隙率为47-48％，吸水溶胀率为0％，所得树脂粒径与二氧化硅粒径一致，为75到150μm，并且具备丰富的孔隙结构，解决了传统树脂动力学过慢的问题，同时还解决了有机树脂吸水膨胀过高从而导致的柱压过大、树脂机械性能差等问题。
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公开(公告)号：CN118880075A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410984013.0
申请日：2024-07-22
申请人： 广西大学
摘要： 本发明提供一种高纯金属钪及其靶材的制备方法。具体包括以下步骤：将99.999％的氟化钪置于高频感应炉内，低温段还原；还原得到的5N级钪置于中频感应炉内，高温段分离纯化，接着将得到的熔融态高纯稀土金属钪，置于真空悬浮熔炼炉的水冷铜坩埚中，进行更为充分的熔炼，浇铸到水冷模具中，得到相应纯度的高纯稀土金属钪铸锭；将金属钪铸锭通过高通量深过冷再轧制处理，得到相应纯度的高纯稀土金属钪溅射靶材。本发明方法解决了现有技术中高纯稀土金属钪的杂质去除效果欠佳、制备过程易污染；钪溅射靶材的致密度低、成型过程易氧化且加工困难等问题。
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公开(公告)号：CN118788752A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410983780.X
申请日：2024-07-22
申请人： 广西大学
摘要： 本发明提供一种5N级钪靶材的轧制装置及轧制方法。具体包括：轧机主体，包括：上扎混和下扎混，上扎混的旋转中心轴和下扎混的旋转中心轴平行，上扎混位于所述下扎混的上方，上扎混和下扎混之间具有缝隙；位于轧机主体侧部的自动运载平台包括：基台、电机组、若干传动滚棒和若干轴承，且平台朝向缝隙，该平台用于传送靶材至上扎混和下扎混之间；若干传动滚棒位于基台上并沿平行于基台表面的方向排布，滚棒的中心轴均平行于下扎混的旋转中心轴，轴承固定于位于所述基台的表面，且轴承分别与各传动滚棒的两端套接在一起，电机组用于驱动各传动滚棒围绕传动滚棒的中心轴旋转。本发明方法提高了高纯钪靶材轧制过程中的效率和安全性。
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公开(公告)号：CN111304468B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202010180676.9
申请日：2020-03-16
申请人： 广西大学
摘要： 本发明提供一种高纯镓的制备装置及生产方法，包括结晶槽，介质循环槽、放置装置。方法为：介质循环槽通入循环热水，将处理好的液态粗镓放置于结晶槽内，往第一介质循环槽通入循环冷水，待达到临界结晶温度后，用放置装置将晶种放置到结晶槽底部，每结晶一段时间后，往下一个介质循环槽通入循环冷水，直到第n‑1介质循环槽通入循环冷水，待充分结晶后，去除残余液态镓，再重复结晶4～6次，最终产品的纯度可以达到6‑7N级高纯镓。该设备结构简单，操作容易，有效缩短生产周期，节约生产成本，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN117926358A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410007418.9
申请日：2024-01-03
申请人： 广西大学
摘要： 本发明涉及一种碱性溶液中电沉积制备镓镍合金的方法，该方法首先配置镓酸钠、硫酸镍与氨水组成的碱性电解液，其中镓离子浓度为10g/L~20g/L，镍离子浓度为0.2g/L~1g/L，pH为10.6~12.3。在电解槽中安装好工作电极和辅助电极，采用恒电位仪或恒流电源进行恒电位或者恒电流电沉积，通过调控电位、电流及镀液浓度可以在工作电极上制备具有不同镓镍比例的合金镀层。本发明电解液成分简单、环保无污染，操作工艺简单，电沉积过程中无有害气体产生，可在室温开放的环境中快速高效的制备镓镍合金镀层。
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