公开(公告)号：CN116190453A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202211623233.8

申请日：2022-12-16

申请人： 广西大学

发明人： 黄浩 ,  王奥林 ,  张之介 ,  廖蕾

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/45 ,  H01L21/34

摘要： 本发明公开了一种场效应晶体管，其具有利用特定金属构建的电极接触界面，或具有利用特定金属构建的电极，所述特定金属为场效应晶体管工作时，在电极接触界面热熔的金属单质或合金。本发明的场效应晶体管运行时，低熔点金属熔融而使得接触界面形成液体或熔融态接触界面，其无损界面可以有效地抑制费米能级钉扎效应，提升电子迁移率，提高场效应晶体管性能。

公开(公告)号：CN118507355A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410486545.1

申请日：2024-04-22

申请人： 广西大学

发明人： 罗蝶 ,  黄浩 ,  王南南 ,  王欣鹏 ,  吴鑫 ,  黄方迪 ,  陈子君 ,  杨茂林 ,  覃薇尔 ,  荣梓浩 ,  余美琳 ,  吴帅 ,  王喜浩 ,  刘颖

IPC分类号： H01L21/34 ,  H01L29/786 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31

摘要： 本发明属于半导体技术领域，涉及一种兼容各类衬底的a‑IGO薄膜晶体管制备方法，包括如下步骤：(1)准备硅片、玻璃、塑料三类典型衬底材料；(2)调控原子层沉积技术生长工艺、生长温度及薄膜沉积的厚度，在衬底上制备高质量超薄氧化铝栅绝缘层；(3)调控磁控溅射的生长温度、气压及功率等制备高质量超薄a‑IGO薄膜；(4)蒸镀金属源漏电极获得a‑IGO薄膜晶体管；(5)再次使用氧化铝钝化制备的a‑IGO薄膜晶体管，探究出钝化的机理以及配合钝化得到的器件性能最佳的生长工艺参数；(6)在维持器件良好的性能条件下，调整磁控溅射的工艺参数得到超薄的a‑IGO薄膜晶体管。本发明全过程工艺温度维持在50～100℃，各衬底材料可以有效兼容，并获得性能优异的a‑IGO薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN118374777A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410486548.5

申请日：2024-04-22

申请人： 广西大学

发明人： 刘颖 ,  罗蝶 ,  黄浩 ,  王南南 ,  王欣鹏 ,  吴鑫 ,  杨茂林 ,  陈子君 ,  黄方迪 ,  余美琳 ,  吴帅 ,  王喜浩 ,  覃薇尔 ,  荣梓浩

IPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/02

摘要： 本发明涉及一种磁控溅射制备高性能IGO薄膜及其方法，所述方法具体为：将IGO靶材通过磁控溅射的方式，在衬底的温度为400℃的生长条件下，制备高性能IGO薄膜。所述方法成本低廉、生长速率快,所制得的薄膜厚度均匀，且导电性能好、水溶性优异，在缩小器件的尺寸、降低功耗、提高性能和提高稳定性等方面有十分关键的作用。

公开(公告)号：CN118335620A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410486515.0

申请日：2024-04-22

申请人： 广西大学

发明人： 罗蝶 ,  王南南 ,  黄浩 ,  王欣鹏 ,  吴鑫 ,  陈子君 ,  黄方迪 ,  杨茂林 ,  余美琳 ,  吴帅 ,  王喜浩 ,  刘颖 ,  覃薇尔 ,  荣梓浩

IPC分类号： H01L21/34 ,  H01L29/786 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31

摘要： 本发明属于半导体技术领域，涉及一种钝化实现高性能超薄a‑IGO薄膜晶体管的方法，包括如下步骤：(1)提供a‑IGO薄膜，送入反应腔室；(2)向反应腔室内通入三甲基铝，且以变化的压力通入氮气；(3)向反应腔室内通入氮气，吹扫反应腔室；(4)向反应腔室内通入水蒸气，且以变化的压力通入氮气；(5)向反应腔室内通入氮气，吹扫反应腔室；循环步骤(2)至步骤(5)，得到氧化铝薄膜钝化后的a‑IGO薄膜。本发明引入钝化工艺，解决器件在使用时空气中的水氧导致的器件性能下降和不稳定性问题，提升IGO薄膜晶体管迁移率和稳定性。此外，通过对a‑IGO薄膜生长工艺和钝化工艺的共优化，获得超薄a‑IGO薄膜，使氧化物半导体的尺寸缩减成为可能。