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公开(公告)号：CN115060207B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202210570423.1
申请日：2018-05-18
申请人： 应用材料以色列公司
摘要： 用于决定提供于半导体晶片上的图案中的高度差的改进技术使用实际的测量(例如，来自SEM图像的测量)和高度差决定模型。在该模型的一个版本中，该模型的可测量的变量是被表示为阴影的深度(即，相对亮度)的变化的函数，其中阴影的深度取决于：在半导体晶片上的两个特征之间的高度差和宽度差。在该模型的另一版本中，可测量的变量被表示为周期性结构的实际的图像上的两个特征点之间的测量距离的变化相对于扫描电子束的倾斜角度的变化的函数。
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公开(公告)号：CN110622289A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201880032678.4
申请日：2018-05-18
申请人： 应用材料以色列公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 用于决定提供于半导体晶片上的图案中的高度差的改进技术使用实际的测量(例如，来自SEM图像的测量)和高度差决定模型。在该模型的一个版本中，该模型的可测量的变量是被表示为阴影的深度(即，相对亮度)的变化的函数，其中阴影的深度取决于：在半导体晶片上的两个特征之间的高度差和宽度差。在该模型的另一版本中，可测量的变量被表示为周期性结构的实际的图像上的两个特征点之间的测量距离的变化相对于扫描电子束的倾斜角度的变化的函数。
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公开(公告)号：CN115060207A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210570423.1
申请日：2018-05-18
申请人： 应用材料以色列公司
摘要： 用于决定提供于半导体晶片上的图案中的高度差的改进技术使用实际的测量(例如，来自SEM图像的测量)和高度差决定模型。在该模型的一个版本中，该模型的可测量的变量是被表示为阴影的深度(即，相对亮度)的变化的函数，其中阴影的深度取决于：在半导体晶片上的两个特征之间的高度差和宽度差。在该模型的另一版本中，可测量的变量被表示为周期性结构的实际的图像上的两个特征点之间的测量距离的变化相对于扫描电子束的倾斜角度的变化的函数。
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公开(公告)号：CN110622289B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN201880032678.4
申请日：2018-05-18
申请人： 应用材料以色列公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 用于决定提供于半导体晶片上的图案中的高度差的改进技术使用实际的测量(例如，来自SEM图像的测量)和高度差决定模型。在该模型的一个版本中，该模型的可测量的变量是被表示为阴影的深度(即，相对亮度)的变化的函数，其中阴影的深度取决于：在半导体晶片上的两个特征之间的高度差和宽度差。在该模型的另一版本中，可测量的变量被表示为周期性结构的实际的图像上的两个特征点之间的测量距离的变化相对于扫描电子束的倾斜角度的变化的函数。
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