公开(公告)号：CN101436216B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN200810001014.X

申请日：2008-01-10

申请人： 以色列商·应用材料以色列公司

发明人： 伊谢·施瓦茨班德 ,  肖穆里克·曼根 ,  钱姆·布劳德 ,  迈克尔·本-伊谢 ,  加迪·格林伯格

IPC分类号： G06F17/50 ,  G03F1/36 ,  G06T7/00

CPC分类号： G06T7/0006 ,  G06T7/66 ,  G06T2207/30148

摘要： 一种用于评估掩模的被评估图案的方法、系统和计算机程序产品，该方法包括：接收代表被评估图案的图像的多个矩；其中需要代表多个矩的信息的占用空间基本上小于形成被评估图案的图像的像素信息占用空间；以及处理多个矩以确定被评估图案的至少一个形状参数。

公开(公告)号：CN115060207B

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202210570423.1

申请日：2018-05-18

申请人： 应用材料以色列公司

发明人： 伊谢·施瓦茨班德 ,  严·阿夫尼尔 ,  谢尔盖·克里斯托 ,  莫尔·巴拉姆 ,  希蒙·利维 ,  多伦·吉蒙斯基 ,  罗马·克里斯

IPC分类号： G01B15/02 ,  G06T7/00

摘要： 用于决定提供于半导体晶片上的图案中的高度差的改进技术使用实际的测量(例如，来自SEM图像的测量)和高度差决定模型。在该模型的一个版本中，该模型的可测量的变量是被表示为阴影的深度(即，相对亮度)的变化的函数，其中阴影的深度取决于：在半导体晶片上的两个特征之间的高度差和宽度差。在该模型的另一版本中，可测量的变量被表示为周期性结构的实际的图像上的两个特征点之间的测量距离的变化相对于扫描电子束的倾斜角度的变化的函数。

公开(公告)号：CN110647012B

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN201910808592.2

申请日：2016-07-06

申请人： 应用材料以色列公司

发明人： 达尼·辛格·拉陶斯 ,  雅科夫·温伯格 ,  伊谢·施瓦茨班德 ,  罗马·克里斯 ,  伊塔亚·克钦 ,  兰·戈德曼 ,  奥尔加·诺瓦克 ,  奥弗·阿丹 ,  希蒙·利维

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/11 ,  G03F1/44 ,  H01L21/768

摘要： 一种用于确定多层结构的层之间叠对的方法，该方法可包含以下步骤：得到代表多层结构的给定影像、得到用于多层结构的层的预期影像、提供多层结构的结合的预期影像为所述层的预期影像的结合、执行给定影像相对于结合的预期影像的配准、及提供给定影像的分割从而产生分割的影像和所述多层结构的层的图像。所述方法可进一步包含以下步骤：通过一起处理多层结构的任何两个选择的层的图像和所述两个选择的层的预期影像来确定所述两个选择的层之间的叠对。

公开(公告)号：CN101451963A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200710142879.3

申请日：2007-08-01

申请人： 以色列商·应用材料以色列公司

发明人： 史密尔·曼根 ,  鲍里斯·戈德堡 ,  伊谢·施瓦茨班德 ,  翁·哈伦 ,  迈克尔·本-伊谢 ,  阿米尔·萨吉弗

IPC分类号： G01N21/956

摘要： 一种用于掩模版评估的系统、方法和计算机可读媒质，该方法包括：(i)在成像工艺期间，在不同的偏振和可选的干涉测量条件下，得到掩模版的多重图像；以及(ii)响应(i)多重图像和(ii)成像工艺和曝光工艺之间的差别以产生输出航空图像；其中在曝光工艺期间掩模版的图像投射到晶圆上。

公开(公告)号：CN111344851A

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201880073469.4

申请日：2018-10-01

申请人： 应用材料以色列公司

发明人： 瓦迪姆·维列斯卡金 ,  罗马·克里斯 ,  伊谢·施瓦茨班德 ,  波阿斯·科恩 ,  阿里尔·沙卡林 ,  叶夫根尼·巴尔

IPC分类号： H01L21/66 ,  G06T7/00

摘要： 可接收图样的参考图像和图样的捕获图像。可识别图样的感兴趣的轮廓。可对每一参考图像和捕获图像针对图样的感兴趣轮廓，判定图样的尺寸的一个或多个测量结果。可基于对每一参考图像和捕获图像所判定的图样尺寸的一个或多个测量结果，来分类相关联于感兴趣轮廓的缺陷。

公开(公告)号：CN110622289A

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201880032678.4

申请日：2018-05-18

申请人： 应用材料以色列公司

发明人： 伊谢·施瓦茨班德 ,  严·阿夫尼尔 ,  谢尔盖·克里斯托 ,  莫尔·巴拉姆 ,  希蒙·利维 ,  多伦·吉蒙斯基 ,  罗马·克里斯

IPC分类号： H01L21/66

摘要： 用于决定提供于半导体晶片上的图案中的高度差的改进技术使用实际的测量(例如，来自SEM图像的测量)和高度差决定模型。在该模型的一个版本中，该模型的可测量的变量是被表示为阴影的深度(即，相对亮度)的变化的函数，其中阴影的深度取决于：在半导体晶片上的两个特征之间的高度差和宽度差。在该模型的另一版本中，可测量的变量被表示为周期性结构的实际的图像上的两个特征点之间的测量距离的变化相对于扫描电子束的倾斜角度的变化的函数。

公开(公告)号：CN111344851B

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN201880073469.4

申请日：2018-10-01

申请人： 应用材料以色列公司

发明人： 瓦迪姆·维列斯卡金 ,  罗马·克里斯 ,  伊谢·施瓦茨班德 ,  波阿斯·科恩 ,  阿里尔·沙卡林 ,  叶夫根尼·巴尔

IPC分类号： H01L21/66 ,  G06T7/00

摘要： 可接收图样的参考图像和图样的捕获图像。可识别图样的感兴趣的轮廓。可对每一参考图像和捕获图像针对图样的感兴趣轮廓，判定图样的尺寸的一个或多个测量结果。可基于对每一参考图像和捕获图像所判定的图样尺寸的一个或多个测量结果，来分类相关联于感兴趣轮廓的缺陷。

公开(公告)号：CN110678968B

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN201880032605.5

申请日：2018-05-18

申请人： 应用材料以色列公司

发明人： 伊谢·施瓦茨班德 ,  谢尔盖·克里斯托 ,  严·阿夫尼尔

IPC分类号： H01L21/66

摘要： 半导体晶片上的图案的高度，通过将所述图案的测量图像与由阴影模型来产生的图案的预测图像进行比较而确定。提供图案的估计高度作为所述阴影模型的输入。所述阴影模型产生用于生成预测图像的遮挡轮廓。产生一组预测图像，每个预测图像与估计高度相关联。对应于与测量图像最紧密匹配的预测图像的估计高度，被用作为由所述阴影模型计算的高度。

公开(公告)号：CN101451963B

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN200710142879.3

申请日：2007-08-01

申请人： 以色列商·应用材料以色列公司

发明人： 史密尔·曼根 ,  鲍里斯·戈德堡 ,  伊谢·施瓦茨班德 ,  翁·哈伦 ,  迈克尔·本-伊谢 ,  阿米尔·萨吉弗

IPC分类号： G01N21/956

摘要： 一种用于掩模版评估的系统、方法和计算机可读媒质，该方法包括：(i)在成像工艺期间，在不同的偏振和可选的干涉测量条件下，得到掩模版的多重图像；以及(ii)响应(i)多重图像和(ii)成像工艺和曝光工艺之间的差别以产生输出航空图像；其中在曝光工艺期间掩模版的图像投射到晶圆上。

公开(公告)号：CN101436216A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200810001014.X

申请日：2008-01-10

申请人： 以色列商·应用材料以色列公司

发明人： 伊谢·施瓦茨班德 ,  肖穆里克·曼根 ,  钱姆·布劳德 ,  迈克尔·本-伊谢 ,  加迪·格林伯格

IPC分类号： G06F17/50 ,  G03F1/00 ,  G03F1/14

CPC分类号： G06T7/0006 ,  G06T7/66 ,  G06T2207/30148

摘要： 一种用于评估掩模的被评估图案的方法、系统和计算机程序产品，该方法包括：接收呈现被评估图案的图像的多个矩；其中需要呈现多个矩的信息的占用空间基本上小于形成被评估图案的图像的像素信息占用空间；以及处理多个矩以确定被评估图案的至少一个形状参数。