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公开(公告)号：CN102007597B
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN200980113306.5
申请日：2009-04-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L29/66765
Abstract: 本发明提供了一种用以形成一薄膜晶体管的方法和设备。形成一栅极介电层，所述栅极介电层可以是双层的，第一层以一低速率沉积，而第二层则以一高速率沉积。在一些实施方式中，所述第一介电层是一富硅氮化硅层。形成一活性层，所述活性层也可以是双层的，第一活性层以一低速率沉积，而第二活性层则以一高速率沉积。本文所述的薄膜晶体管在受力时具有优良的迁移率和稳定度。
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