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公开(公告)号：CN110785512A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201780092451.4
申请日：2017-06-26
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 提供了一种沉积设备。沉积设备包括第一沉积源和第二沉积源，经构造为用于在基板接收面积中沉积材料。沉积设备包括掩蔽元件。掩蔽元件经构造为用于掩蔽在第一方向上延伸的基板边缘区域。掩蔽元件经构造以在至少第一方向上移动以补偿沉积材料在掩蔽元件上的积累。
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公开(公告)号：CN103014677B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201210496884.5
申请日：2012-09-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/505 , C23C16/52 , H01J37/244
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32091 , H01J37/32183 , H01J37/32935
Abstract: 本发明基本上涉及一种电容耦合的等离子体(CCP)处理腔、一种用于减小或防止杂散电容的方法和一种用于测量在所述处理腔内的等离子体状态的方法。由于CCP处理腔尺寸上的增大，杂散电容有会对工艺产生负面影响的趋势。此外，RF接地带可能断裂。通过增大腔背板和腔壁之间的间隔，可以将杂散电容最小化。此外，可以通过在背板而不是在匹配网络测量等离子体的状态来监控等离子体。在这样的测量中，可以分析等离子体的谐波数据以展示腔中的等离子体处理状态。
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公开(公告)号：CN103939628B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201410128270.0
申请日：2009-08-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: F16K1/24
CPC classification number: H01L21/67201 , F16K15/147 , F16K51/02 , H01L21/67126
Abstract: 在此公开的实施方式与一种用于密封一腔室中的开口的狭缝阀门装置有关。当狭缝阀门开口收缩时，压向该腔室以密封一狭缝阀开口的一狭缝阀门与该腔室一起移动，使得受压于该狭缝阀门与该腔室之间的一O形环与该狭缝阀门和该腔室一起移动。因此，O形环对腔室发生摩擦的情形会较少。由于较少摩擦，产生的颗粒可较少，因而可延长O形环的使用寿命。由于O形环的使用寿命较长，基板处理量即可增加。
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公开(公告)号：CN102324367B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201110192596.6
申请日：2005-09-09
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 约翰·M·怀特 , 罗宾·L·蒂纳 , 朴范珠 , 温德尔·T·布伦尼格
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/32174
Abstract: 本申请涉及一种制程处理室中阴极的射频接地。一种用以在一制程处理室壁以及一基材支撑件间提供一短RF电流返回电流路径的设备。该RF接地设备为RF接地并位于基材传送端口之上，其仅在基材制程期间(例如沉积)与基材支撑件形成电性接触，以提供RF电流返回电流路径。该RF接地设备的一实施例至少包含一或多个低阻抗可弯曲幕状物，其可电性连接至接地处理室壁，并接至一或多个低阻抗档体，其在基材制程期间可与基材支撑件接触。该RF接地设备的另一实施例包含数个低阻抗可弯曲条体，其可电性连接至接地处理室壁，并接至一或多个低阻抗档体，其在基材制程期间可与基材支撑件接触。该RF接地设备的另一实施例包含数个探针，其可电性连接至接地处理室壁或由其它装置作接地，以及数个附有探针的致动器。该等致动器可移动探针以在基材制程期间电性接触基材支撑件。
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公开(公告)号：CN102230155B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201110163125.2
申请日：2007-01-09
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01L21/67201 , Y10S414/139
Abstract: 本发明的实施方式包括一腔体，该腔体的顶部或底部至少其中之一与腔体侧壁分离。本发明适于用作真空交换腔、基板传递腔和真空处理腔等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1925322B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN200610112258.6
申请日：2006-08-29
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01J37/32183 , H01J37/32082 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供适于使电力负载的阻抗与电信号发生器的阻抗匹配的设备和方法。本发明包括提供适于共同使电力负载的阻抗与电信号发生器的阻抗匹配的多个电子元件。所述电子元件相对于一个轴对称且同心排列。另外，本发明还可以包括适于使电信号发生器与电子元件电连接的第一连接器。另外，本发明还可以包括适于使负载与电子元件电连接的第二连接器。本发明提供很多其它方案。
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公开(公告)号：CN102007597B
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN200980113306.5
申请日：2009-04-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L29/66765
Abstract: 本发明提供了一种用以形成一薄膜晶体管的方法和设备。形成一栅极介电层，所述栅极介电层可以是双层的，第一层以一低速率沉积，而第二层则以一高速率沉积。在一些实施方式中，所述第一介电层是一富硅氮化硅层。形成一活性层，所述活性层也可以是双层的，第一活性层以一低速率沉积，而第二活性层则以一高速率沉积。本文所述的薄膜晶体管在受力时具有优良的迁移率和稳定度。
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公开(公告)号：CN101911840B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN200880124338.0
申请日：2008-12-24
Applicant: 应用材料公司
IPC: H05H1/34 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/02 , B44C1/227 , C23C16/513 , H01J37/32091 , H01J37/32577 , H01L21/02104
Abstract: RF功率耦合至等离子体室的电极上的一个或多个RF驱动点，使得耦合至电极的较靠近该工件通道的半部上的RF功率值超过耦合至该电极的另一半部上多个RF驱动点(如果有的话)的RF功率值。或者，RF功率耦合至等离子体室的电极上一个或多个RF驱动点，使得这些驱动点位置的加权平均在该电极中心与该工件通道之间。该加权平均是利用耦合至该驱动点位置的RF功率的时间平均值来加权每个驱动点位置所计算而得。本发明抵消掉在邻近电极最靠近通道的末端处的等离子体密度的增加，否则在邻近电极最靠近通道的末端处将存在等离子体密度增加的现象。
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公开(公告)号：CN1715442B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN200510067274.3
申请日：2005-04-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/54 , C23C16/513 , C23C16/22
CPC classification number: C23C16/45559 , B05B1/005 , C23C16/4405 , C23C16/45565 , H01J37/3244
Abstract: 本发明提供一种气体分配板的多个实施例，所述气体分配板用以在处理室中散布气体。在一个实施例中，气体分配板包括：扩散板，所述扩散板具有上游侧和下游侧；和多个气体通道，所述气体通道穿过扩散板的所述上游侧和下游侧之间。所述气体通道的至少一个具有：圆柱形，所述圆柱形是从上游侧延伸的长度的一部分；及同轴圆锥形，所述同轴圆锥形是所述扩散板的剩余长度，所述圆锥部分的上游端具有与所述圆柱形部分基本相同的直径，而所述圆锥部分的下游端具有较大的直径。所述气体分配板相对地容易制造和提供好的室洁净率、好的薄膜沉积均匀性和好的薄膜沉积率。所述气体分配板还具有如下优势：较少的室洁净残留物留在扩散表面上，及较少的洁净残留物被并入所沉积的薄膜。
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公开(公告)号：CN101117706B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN200710137630.3
申请日：2007-07-27
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 马裤托·艾娜加沃 , 西门·明·胡·李 , 阿基海伦·豪索卡沃 , 布拉德利·O·斯廷森 , 约翰·M·怀特
IPC: C23C14/35 , H01L21/203 , H01J37/34
Abstract: 本发明公开了一种磁控管组件，其包括一个或多个磁控管(112)，每个磁控管在靶(124)的溅射表面上形成封闭的等离子体回路。该靶可包括多个条形靶，在该条形靶上，每个条形磁控管滚动(126)并通过弹簧机构(114)部分支撑在公共支撑板(32)上。该条形磁控管可以为双层折叠磁控管(200)，其中各磁控管形成折叠的等离子体回路，该回路在条形靶的水平侧之间延伸并且其端部在靶的中间会合(220)。形成磁控管的磁体可排列为具有通常均匀的直部分的图案，其中直部分通过弧形部分连接，在该弧形部分中在邻近拐角处有额外的磁体位置可用以调整等离子体轨迹。
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