公开(公告)号：CN118843943A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202380026529.8

申请日：2023-03-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 蔡韻竹 ,  范德久 ,  金正培 ,  裴良浩 ,  罗德尼·顺隆·利马 ,  任东吉

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/66 ,  H10K59/121 ,  H10K59/124 ,  H10K59/12

Abstract: 一种晶体管装置，包括：沟道区域；第一源极区域/漏极区域和第二源极区域/漏极区域，第一源极区域/漏极区域与沟道区域的第一端相邻，第二源极区域/漏极区域与沟道区域的第二端相邻；栅极结构，栅极结构设置在沟道区域、第一源极区域/漏极区域与第二源极区域/漏极区域上；以及层间介电(ILD)结构，ILD结构设置在栅极结构上。ILD结构包括：第一介电层，第一介电层包括第一组子层。第一组子层包括第一子层和第二子层，第一子层包括具有第一氢浓度的第一介电材料，第二子层包括具有第二氢浓度的第一介电材料，第二氢浓度低于第一氢浓度。ILD结构进一步包括第二介电层，第二介电层包括第二组子层。第二组子层包括第三子层，第三子层包括不同于第一介电材料的第二介电材料。

公开(公告)号：CN114651085A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202080076497.9

申请日：2020-05-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 蔡韻竹 ,  任东吉 ,  罗德尼·顺隆·利马 ,  于尔根·格里尔迈尔 ,  金正培 ,  马库斯·本德

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/34

Abstract: 一种使用溅射沉积源在基板上沉积薄膜晶体管的层的方法(480、580)，所述溅射沉积源包括至少一个第一电极对和至少一个第二电极对，所述方法包括将所述基板移动(482、582)到第一真空腔室；通过为所述至少一个第一电极对供应双极脉冲DC电压来在所述基板上沉积(484、584)所述层的第一层，其中所述第一层的第一材料包括第一金属氧化物；在不破坏真空的情况下将所述基板从所述第一真空腔室移动(486、586)到第二真空腔室；和通过为所述至少一个第二电极对供应双极脉冲DC电压来在所述第一层上沉积(488、588)所述层的第二层，其中所述第二层的第二材料包括第二金属氧化物，所述第二材料不同于所述第一材料。