公开(公告)号：CN1950538B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN200580013590.0

申请日：2005-05-20

申请人： 应用材料公司

发明人： 则敬·龚 ,  付新宇 ,  阿尔文德·森达娜简 ,  爱德华·P·IV·哈蒙德 ,  普拉巴拉姆·戈帕拉杰 ,  约翰·C·福斯特 ,  马克·A·佩林 ,  安德鲁·S·吉拉德

IPC分类号： C23C14/35 ,  C23C16/00 ,  C23F1/02

CPC分类号： H01J37/3266 ,  C23C14/046 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/165 ,  C23C14/358 ,  C23F4/00 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32688 ,  H01J37/3408 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76865

摘要： 一种溅射反应室(70)及在该反应室进行的多重步骤工艺。四重电磁体矩形阵列(72)与该反应室的轴线同轴，且最好设置在该反应室内的RF线圈(46)的后方。可分别控制线圈电流以产生不同的磁场分布，例如在溅射沉积模式与溅射蚀刻模式之间的不同磁场分布，其中在溅射沉积模式当中，对溅射靶材(38)施以电能而将靶材材料溅射在晶片(32)上，而在溅射蚀刻模式当中，RF线圈可支持氩气电镀等离子体。对靶材材料的RF线圈而言，线圈可接受DC偏压，线圈阵列则可当作磁控管。在上述等离子体溅射反应室内进行的多重步骤工艺可包含在不同条件下从靶材溅射沉积阻挡层材料，以及衬底的氩溅射蚀刻。首先，以高靶材功率和晶片偏压以溅射沉积一TaN/Ta或其它耐火金属阻挡层。并在更高的晶片偏压下进行氩蚀刻。快闪步骤在较低的靶材功率和晶片偏压下进行。