公开(公告)号：CN102144044B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN200980133584.7

申请日：2009-08-25

申请人： EMD株式会社

发明人： 节原裕一 ,  江部明宪 ,  韩铨建

IPC分类号： C23C14/40 ,  H05H1/46

CPC分类号： H01J37/3408 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/358 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/3411 ,  H01J37/3417

摘要： 本发明的目的是提供一种能够以较快的速度进行溅镀处理的溅镀薄膜形成装置。溅镀薄膜形成装置(10)具备下述构成：真空容器(11)、设于真空容器(11)内的靶保持器(13)、设成与靶保持器(13)相对向的基板保持器(14)、用以在靶保持器(13)与基板保持器(14)之间施加电压的电源(15)、设置于靶保持器(13)背面的用以生成具有与靶(T)平行的分量的磁场的磁控管溅镀用磁铁(12)、用以在磁控管溅镀用磁铁(12)所生成的规定强度以上的磁场所存在的靶T附近的区域生成高频感应耦合等离子的高频天线(16)。藉由以高频天线(16)所生成的高频感应耦合等离子，可促进电子供给至上述磁场内，故可以较快的速度进行溅镀处理。

公开(公告)号：CN102301451A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201080006449.9

申请日：2010-04-06

申请人： 应用材料公司

发明人： 马丁·L·瑞勒 ,  毛瑞斯·E·艾华特 ,  阿纳恩萨·K·苏布尔曼尼

IPC分类号： H01L21/203 ,  C23C14/34

CPC分类号： H01J37/3408 ,  C23C14/35 ,  C23C14/358 ,  H01J37/3447

摘要： 本发明所述的实施例大体关于一种用于将材料均匀溅射沉积至基材上具有高深宽比的特征结构的底部及侧壁的设备及方法。在一个实施例中，提供一种定位在溅射靶材与基材支撑座间而用于与屏蔽构件机械及电气连接的准直器。该准直器包含中央区域及周边区域，其中该准直器具有多个延伸贯穿其间的孔口，且其中位于中央区域的孔口具有较位于周边区域的孔口高的深宽比。

公开(公告)号：CN101924006A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201010243822.4

申请日：2004-06-22

申请人： 应用材料公司

发明人： 龚则敬 ,  唐先民 ,  约翰·福斯特 ,  丁培军 ,  马克·施韦策 ,  基斯·A·米勒 ,  伊利娅·拉维斯凯

IPC分类号： H01J37/34 ,  H01J37/02

CPC分类号： H01J37/3402 ,  C23C14/046 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3457 ,  C23C14/358 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3411 ,  H01J37/3441 ,  H01J2237/3327 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877

摘要： 本发明涉及用于溅射反应器中的护罩。本发明的一个方面包括定位在等离子体溅射反应器的室壁外部的辅助磁环，其至少部分地布置在RF线圈的径向外部，该RF线圈用于感应发生等离子体，尤其是用于溅射刻蚀被溅射沉积的衬底。由此，磁阻挡防止等离子体向外泄漏至线圈，并改进溅射刻蚀的不均匀性。当线圈由与主靶相同材料制成时，线圈被用作第二磁体时，磁场还充当磁体。本发明的另一方面包括从靶延伸到支座的单片内护罩，该内护罩具有光滑内表面并在护罩中间部分由环形法兰支撑。该护罩可以被用于支撑RF线圈。

公开(公告)号：CN1950922B

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200580013581.1

申请日：2005-10-12

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： 卡尔·M·布朗 ,  约翰·帕皮通 ,  维内特·梅塔

IPC分类号： H01J37/34 ,  C23C14/34

CPC分类号： H01J37/3408 ,  C23C14/046 ,  C23C14/345 ,  C23C14/358 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32706 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844

摘要： 一种等离子体反应器包括真空室，该真空室包括侧壁、室顶及一靠近该室的室底板的晶圆支撑托架，及连接到该室的真空泵。一连接到该室的处理气体入口被以及连接到该处理气体入口的处理气体源。该反应器还包括位于室顶板的金属溅镀靶材、连接到该溅镀靶材上的高压直流电源、连接到该晶圆支撑托架的RF等离子体源功率产生器并具有一适宜激发运动电子的频率，及连接到该晶圆支撑托架的RF等离子体偏压功率产生器并具有一适宜将能量耦接至等离子体离子的频率。

公开(公告)号：CN100587107C

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200580009301.X

申请日：2005-03-22

申请人： 玛特里亚诺瓦公司 ,  国家科研中心 ,  巴黎第十大学

发明人： 米亥·冈休-佩特苏 ,  米歇尔·赫柯 ,  让-皮埃尔·道科特 ,  斯蒂弗诺斯·康斯坦蒂尼迪斯 ,  让·布瑞塔格恩 ,  路多维克·德普克斯 ,  米歇尔·陶则优

IPC分类号： C23C14/35 ,  H01J37/34

CPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/358 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3444

摘要： 本发明涉及在装着磁控管阴极(CM)的磁控管反应器(1)中于基片(11a)上沉积至少一种的材料，在脉冲方式下离子化的气体的帮助下通过磁控管阴极雾化所述材料蒸发。为了促进形成持续时间短的高电流脉冲同时避免形成电弧以便能有效地离子化雾化蒸气，在对磁控管阴极(CM)施加主电压脉冲之前预电离气体，从而能生成在主电压脉冲(VP)截止后衰减时间(Td)小于5μs的电流脉冲(CP)。

公开(公告)号：CN1324641C

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN02822495.7

申请日：2002-11-07

申请人： 应用材料有限公司

发明人： P·丁 ,  R·陶 ,  Z·徐

IPC分类号： H01J37/34

CPC分类号： H01L21/76843 ,  C23C14/046 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3457 ,  C23C14/358 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3408 ,  H01J2237/3327 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76877

摘要： 辅助磁体的阵列(60)沿磁控溅射反应器的侧壁(14)一边设置，该边从靶(16)的一边对着晶片。该磁控管优选为一个小而强的磁控管，其具有第一磁极性的强度较高的外磁体(42)，外磁体围绕具有第二磁极性的强度较弱的磁体，且该磁控管绕室中心轴(38)旋转。该辅助磁体优选具有第一磁极性以吸引不平衡的磁场分量投向晶片。该辅助磁体可为永磁体(62)或电磁体(90)。

公开(公告)号：CN106048531A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610604584.2

申请日：2016-07-28

申请人： 苏州大学

发明人： 杨佳奇 ,  胡一波 ,  金成刚 ,  吴雪梅 ,  诸葛兰剑

IPC分类号： C23C14/08 ,  C23C14/35

CPC分类号： C23C14/352 ,  C23C14/083 ,  C23C14/358

摘要： 本发明涉及一种ICP增强多靶磁控溅射装置，包括真空室、设于真空室顶部的三个溅射靶、设于真空室内的ICP线圈和基片台以及与真空室相连通的泵机组，三个溅射靶的直径均为60mm，三个溅射靶的轴线与水平面之间的夹角均为20°‑50°，三个溅射靶沿周向均匀间隔分布，三个溅射靶均聚焦于基片台的中心，三个溅射靶分别与第一射频电源、第二射频电源、第三射频电源相连接，ICP线圈设于溅射靶与基片台之间，ICP线圈连接有第四射频电源，基片台连接有直流稳压电源。本发明还涉及一种使用该装置制备TiO2薄膜的方法。本发明拥有三个溅射靶，三个溅射靶靶位中心聚焦于基片台中心，实现了共聚焦磁控溅射，可获得均匀、较大面积的薄膜，制备出的薄膜致密、纯度高。

公开(公告)号：CN1795287B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200480014403.6

申请日：2004-05-31

申请人： 株式会社新柯隆

发明人： 宋亦周 ,  樱井武 ,  村田尊则

IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C16/50 ,  C23F4/00 ,  H01L21/31

CPC分类号： C23C14/0036 ,  C23C14/0078 ,  C23C14/083 ,  C23C14/10 ,  C23C14/352 ,  C23C14/358 ,  C23C14/564 ,  C23C14/568 ,  C23C14/5853 ,  C23C16/4404 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32477 ,  H01L21/318 ,  H05H1/46

摘要： 本发明的薄膜形成装置(1)具有：把反应性气体导入到真空容器(11)内的气体导入单元；以及在真空容器(11)内产生反应性气体的等离子体的等离子体发生单元(61)。真空容器(11)内的壁面上覆盖有绝缘体，气体导入单元向等离子体发生单元(61)产生等离子体的区域导入反应性气体和惰性气体。

公开(公告)号：CN100355058C

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN02812085.X

申请日：2002-05-03

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 图鲁尔·雅萨尔 ,  格林·雷诺兹 ,  弗兰克·切里奥 ,  布鲁斯·吉托曼 ,  迈克尔·格拉佩豪斯 ,  罗德尼·罗比森

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/285

CPC分类号： H01L21/76843 ,  C23C14/046 ,  C23C14/345 ,  C23C14/358 ,  H01J37/321 ,  H01J37/34 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/32131 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877

摘要： 一种iPVD设备(20)通过在真空室(30)内循环执行沉积和蚀刻模式，将材料(10)沉积到半导体基片(21)上高形状比的亚微米结构(11)中。这些模式工作在不同的功率和压力参数下。例如大于50mTorr的压力用于从靶上溅射材料，而小于几mTorr的压力例如用于蚀刻。蚀刻时对基片的偏压功率要高一个数量级，蚀刻时产生几百伏偏压而沉积时仅有几十伏。交替执行的蚀刻模式去除基片上结构突出边缘的沉积材料，去除结构底部(15)一些沉积材料，将去除的沉积材料重新溅射到结构的侧壁(16)上。基片(21)在沉积和蚀刻过程中冷却，特别是蚀刻过程中冷却到明显低于0℃。RF能量耦合到室(30)内形成高密度等离子体，沉积期间耦合的RF功率明显高于蚀刻期间的。基片(21)在蚀刻过程比在沉积过程更靠近等离子体源。

公开(公告)号：CN1950922A

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200580013581.1

申请日：2005-10-12

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： 卡尔·M·布朗 ,  约翰·帕皮通 ,  维内特·梅塔

IPC分类号： H01J37/34 ,  C23C14/34

CPC分类号： H01J37/3408 ,  C23C14/046 ,  C23C14/345 ,  C23C14/358 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32706 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844

摘要： 一种等离子体反应器包括真空室，该真空室包括侧壁、室顶及一靠近该室的室底板的晶圆支撑托架，及连接到该室的真空泵。一连接到该室的处理气体入口被以及连接到该处理气体入口的处理气体源。该反应器还包括位于室顶板的金属溅镀靶材、连接到该溅镀靶材上的高压直流电源、连接到该晶圆支撑托架的RF等离子体源功率产生器并具有一适宜激发运动电子的频率，及连接到该晶圆支撑托架的RF等离子体偏压功率产生器并具有一适宜将能量耦接至等离子体离子的频率。