公开(公告)号：CN113169022B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN201980077353.2

申请日：2019-11-08

申请人： 应用材料公司

发明人： V·V·瓦茨 ,  H·俞 ,  P·A·克劳斯 ,  S·G·卡马斯 ,  W·J·杜兰德 ,  L·C·卡鲁塔拉格 ,  A·B·玛里克 ,  李昌陵 ,  D·帕德希 ,  M·J·萨利 ,  T·C·楚 ,  M·A·巴尔西努

IPC分类号： H01J37/32 ,  C23C16/458

摘要： 本文所公开的实施例包括形成高质量的氮化硅膜的方法。在实施例中，一种在基板上沉积膜的方法可包括：通过沉积工艺在第一处理空间中在基板的表面之上形成氮化硅膜；以及在第二处理空间中处理氮化硅膜，其中处理氮化硅膜包括：将膜暴露于由模块化的高频等离子体源引起的等离子体。在实施例中，等离子体的壳层电势小于100V，并且高频等离子体源的功率密度为约5W/cm2或更高、约10W/cm2或更高，或约20W/cm2或更高。

公开(公告)号：CN113169022A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980077353.2

申请日：2019-11-08

申请人： 应用材料公司

发明人： V·V·瓦茨 ,  H·俞 ,  P·A·克劳斯 ,  S·G·卡马斯 ,  W·J·杜兰德 ,  L·C·卡鲁塔拉格 ,  A·B·玛里克 ,  李昌陵 ,  D·帕德希 ,  M·J·萨利 ,  T·C·楚 ,  M·A·巴尔西努

IPC分类号： H01J37/32 ,  C23C16/458

摘要： 本文所公开的实施例包括形成高质量的氮化硅膜的方法。在实施例中，一种在基板上沉积膜的方法可包括：通过沉积工艺在第一处理空间中在基板的表面之上形成氮化硅膜；以及在第二处理空间中处理氮化硅膜，其中处理氮化硅膜包括：将膜暴露于由模块化的高频等离子体源引起的等离子体。在实施例中，等离子体的壳层电势小于100V，并且高频等离子体源的功率密度为约5W/cm2或更高、约10W/cm2或更高，或约20W/cm2或更高。