公开(公告)号：CN102414794A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201080018346.4

申请日：2010-04-20

申请人： 应用材料公司

发明人： B·特兰 ,  崔安青 ,  B·L·黄 ,  S·T·恩古耶 ,  A·N·恩古耶 ,  S·M·佐伊特 ,  X·陶

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： H01L21/6719 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45561 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68785

摘要： 本发明的实施例提供用于诸如藉由化学气相沉积(CVD)在基材上沉积层的改良的设备。在此所揭露的本发明的设备可有利地助于实现以下效果的一种或多种：在给定的处理腔室内沉积具有减少的膜厚度不均匀性的膜、改良的粒子表现(例如，在处理腔室中所形成的膜上的粒子减少)、在多个处理腔室中的腔室对腔室表现匹配以及改良的处理腔室耐用性。

公开(公告)号：CN102414794B

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201080018346.4

申请日：2010-04-20

申请人： 应用材料公司

发明人： B·特兰 ,  崔安青 ,  B·L·黄 ,  S·T·恩古耶 ,  A·N·恩古耶 ,  S·M·佐伊特 ,  X·陶

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： H01L21/6719 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45561 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68785

摘要： 本发明的实施例提供用于诸如藉由化学气相沉积(CVD)在基材上沉积层的改良的设备。在此所揭露的本发明的设备可有利地助于实现以下效果的一种或多种：在给定的处理腔室内沉积具有减少的膜厚度不均匀性的膜、改良的粒子表现(例如，在处理腔室中所形成的膜上的粒子减少)、在多个处理腔室中的腔室对腔室表现匹配以及改良的处理腔室耐用性。