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公开(公告)号：CN103874783B9
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201280049602.5
申请日：2012-07-30
申请人： 荷兰应用科学研究组织
发明人： 雷蒙德·詹考伯斯·威廉姆斯·克纳彭 , 鲁德·奥利斯拉格斯 , 丹尼斯·范·德·伯格曼 , 马蒂斯·C·范·德·伯 , 迪德里科·简·玛斯 , 雅克·科尔·乔安·范·德·东克 , 弗雷迪·罗泽博姆
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/52 , C23C16/54 , C23C16/455 , C23C16/458
CPC分类号： C23C16/45589 , C23C16/4401 , C23C16/4409 , C23C16/45517 , C23C16/45525 , C23C16/45536 , C23C16/45551 , C23C16/45578 , C23C16/45587 , C23C16/4586 , C23C16/4588 , C23C16/52 , C23C16/545
摘要： 一种在基板上沉积原子层的方法。所述方法包括从可以是可旋转鼓状物的一部分的沉积头的前驱气体供应器供应前驱气体。所述前驱气体供应器对基板提供前驱气体。所述方法还包括通过沿着所述基板旋转所述沉积头来移动所述前驱气体供应器，接着所述基板沿着旋转鼓状物移动。所述方法还包括在以下两者之间切换：在旋转轨道的第一部分上从前驱气体供应器对基板供应所述前驱气体；以及在旋转轨道的第二部分上中断从前驱气体供应器供应所述前驱气体。
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公开(公告)号：CN104250728A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201410307452.4
申请日：2014-06-30
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 拉梅什·钱德拉赛卡兰 , 桑格伦特·桑普伦格
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： H01L21/67017 , C23C16/4409 , C23C16/45519 , C23C16/45544 , H01L21/67126
摘要： 本发明公开了一种用于密封化学沉积装置中的处理区的系统，所述系统包括：化学隔离腔室，所述化学隔离腔室具有在所述化学隔离腔室内形成的沉积腔室；具有面板的喷头模块，所述喷头模块包括多个将反应器化学物质输送到用于对半导体衬底进行处理的空腔中的入口以及将反应器化学物质和惰性气体从所述空腔中去除的排出口，以及被配置成输送惰性气体的外部充气室；基座模块，所述基座模块被配置成支撑衬底并且垂直移动以封闭所述空腔而在所述基座模块与围绕所述面板的外部部分的台阶之间存在狭窄间隙；以及惰性密封气体进料，所述惰性密封气体进料被配置成将所述惰性密封气体送入到所述外部充气室中，并且其中所述惰性密封气体至少部分地沿径向向内流过所述狭窄间隙以形成气封。
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公开(公告)号：CN104246982A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201380021774.6
申请日：2013-02-28
申请人： 夏普株式会社
发明人： 寺口信明
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/34
CPC分类号： C30B25/08 , C23C16/303 , C23C16/4401 , C23C16/4409 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/207 , H01L29/7786
摘要： 根据该氮化物半导体生长装置，在含氮的原料气体的流动的从反应部(102)起上游侧的包括反应部(102)的区域，原料气体所接触的部分(气体导入部(112)、电流导入部(145)、视口部(160)等)由非铜类材料(即不含铜的材料)制成。由此，能够防止上述原料气体被铜污染。因此，能够防止上述氮化物半导体被铜污染，能够避免电子和空穴被上述氮化物半导体俘获。由此，提供能够制作能够抑制电流崩塌的氮化物半导体的氮化物半导体生长装置。
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公开(公告)号：CN103874783A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201280049602.5
申请日：2012-07-30
申请人： 荷兰应用科学研究组织
发明人： 雷蒙德·詹考伯斯·威廉姆斯·克纳彭 , 鲁德·奥利斯拉格斯 , 丹尼斯·范·德·伯格曼 , 马蒂斯·C·范·德·伯 , 迪德里科·简·玛斯 , 雅克·科尔·乔安·范·德·东克 , 弗雷迪·罗泽博姆
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/52 , C23C16/54 , C23C16/455 , C23C16/458
CPC分类号： C23C16/45589 , C23C16/4401 , C23C16/4409 , C23C16/45517 , C23C16/45525 , C23C16/45536 , C23C16/45551 , C23C16/45578 , C23C16/45587 , C23C16/4586 , C23C16/4588 , C23C16/52 , C23C16/545
摘要： 一种在基板上沉积原子层的方法。所述方法包括从可以是可旋转鼓状物的一部分的沉积头的前驱气体供应器供应前驱气体。所述前驱气体供应器对基板提供前驱气体。所述方法还包括通过沿着所述基板旋转所述沉积头来移动所述前驱气体供应器，接着所述基板沿着旋转鼓状物移动。所述方法还包括在以下两者之间切换：在旋转轨道的第一部分上从前驱气体供应器对基板供应所述前驱气体；以及在旋转轨道的第二部分上中断从前驱气体供应器供应所述前驱气体。
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公开(公告)号：CN103764560A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201180073221.6
申请日：2011-07-20
申请人： 赫姆洛克半导体公司
IPC分类号： C01B33/035 , F16J15/10
CPC分类号： C23C16/4409 , C01B33/035 , C23C16/4418
摘要： 本发明公开了一种垫圈，所述垫圈用于将材料沉积到承载体上的制备装置中。所述制备装置的壳体和基板限定了反应室。所述垫圈设置在所述壳体与所述基板之间以防止沉积组合物逸出所述反应室，所述沉积组合物包含待沉积的所述材料或其前体。所述垫圈包含柔性石墨材料，用于防止所述垫圈污染所述反应室内的所述材料。
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公开(公告)号：CN102414794A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080018346.4
申请日：2010-04-20
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/6719 , C23C16/4401 , C23C16/4409 , C23C16/45512 , C23C16/45561 , H01L21/68742 , H01L21/68785
摘要： 本发明的实施例提供用于诸如藉由化学气相沉积(CVD)在基材上沉积层的改良的设备。在此所揭露的本发明的设备可有利地助于实现以下效果的一种或多种：在给定的处理腔室内沉积具有减少的膜厚度不均匀性的膜、改良的粒子表现(例如，在处理腔室中所形成的膜上的粒子减少)、在多个处理腔室中的腔室对腔室表现匹配以及改良的处理腔室耐用性。
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公开(公告)号：CN102067279A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200980124391.5
申请日：2009-05-28
申请人： 应用材料股份有限公司
发明人： R·萨卡拉克利施纳 , D·杜鲍斯 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , K·杰纳基拉曼 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , T·诺瓦克 , V·斯瓦拉马克瑞希楠 , H·姆萨德
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/205 , C23C16/44 , C23F4/00
CPC分类号： F16K31/0655 , B08B5/00 , B08B7/0021 , C23C16/4405 , C23C16/4409 , C23C16/45561 , F16K1/221 , F16K1/224 , F16K31/06 , F16K31/088 , Y10S438/905
摘要： 本发明提出一种用以清洁一工艺腔室的方法与设备。在一实施例中，本发明揭示一工艺腔室，其包括一远程等离子源与一具有至少两个工艺区域的工艺腔室。各工艺区域包括：一基材支撑组件，其设置在该工艺区域中；一气体散布系统，其配置以提供气体到该基材支撑组件上方的该工艺区域内；以及一气体通道，其配置以提供气体到该基材支撑组件下方的该工艺区域内。一第一气体导管是配置以将一清洁试剂从该远程等离子源经由该气体散布组件流入各该工艺区域，而一第二气体导管是配置以将来自该第一气体导管的该清洁试剂的一部分转向到各该工艺区域的该气体通道。
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公开(公告)号：CN101728206A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910208880.0
申请日：2005-11-23
申请人： OC欧瑞康巴尔斯公司
IPC分类号： H01J37/32 , C23C16/44 , C23C16/509 , C23C16/54
CPC分类号： H01J37/32082 , C23C16/4409 , C23C16/509 , C23C16/54 , H01J37/32458 , H01J2237/3325
摘要： 根据本发明的大尺寸基片PECV0处理的等离子体反应器，包括作为外室的真空处理室和带有电极喷头作为RF天线的至少一个内部反应器，所述内部反应器还包括反应器底部和反应器顶部，由此加强件支撑反应器顶部和/或反应器底部，加强件经由补偿隔件(4)连接到反应器顶部(2)和/或反应器底部(6)，补偿隔件(4)的厚度选择为补偿在运行期间的热膨胀。
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公开(公告)号：CN101275063A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200710194738.6
申请日：2007-11-29
申请人： 豪雅冠得股份有限公司
发明人： 木暮靖男
CPC分类号： C23C16/488 , C23C16/4409 , H01L21/67115
摘要： 本发明提供一种可以在紫外线照射的环境下使用的耐紫外线材料以及使用该耐紫外线材料的密封部件、缓冲部件、遮光部件、光源装置及处理装置。作为准分子放电用气体封入氙气，在形成了放电空间(45)的准分子灯(41)的气密容器(44)上，借助通过由粘土薄膜形成的耐紫外线材料形成的密封部件(48)以及缓冲部件(49)安装透光窗(43)。
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公开(公告)号：CN100412230C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN03811921.8
申请日：2003-05-26
申请人： 肖特股份公司
CPC分类号： C23C16/4409 , B05D1/62 , B08B7/00 , B08B9/426 , B29C49/421 , B29C2049/4221 , B29C2791/001 , B65D23/02 , B65G29/00 , B65G2201/0244 , C03C17/005 , C08J9/0004 , C08J2300/14 , C23C14/046 , C23C14/505 , C23C14/56 , C23C16/045 , C23C16/401 , C23C16/4412 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/50 , C23C16/511 , C23C16/54 , H01J37/32733
摘要： 为了简化工件(25、27)在等离子涂层的反应器中的插入和取出并且提高生产能力，本发明提供一种涂层装置(1)，其包括：一具有一可移动的套筒元件(19)和一底座元件(33)的反应器(18)，其中在结合在一起的位置在套筒元件(19)与底座元件(33)之间限定至少一个密封的涂层室(15、17)；以及一用于将电磁能输入至少一个涂层室(15、17)的装置(2)，其中反应器(18)具有至少两个涂层位置(12、14)。
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