公开(公告)号：CN102361004A

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN201110379185.8

申请日：2002-09-09

申请人： 应用材料有限公司

发明人： 程华 ,  陈凌 ,  于基科 ,  常美

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/768

CPC分类号： C23C14/06 ,  C23C30/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明一般地涉及通过沉积阻挡层、在阻挡层上沉积籽层和在籽层上沉积导电层来填充特征。在一个实施方式中，籽层包括沉积在阻挡层上的铜合金籽层。例如，铜合金籽层可以包括铜和金属，如铝、镁、钛、锆、锡及其组合。在另一个实施方式中，籽层包括沉积在阻挡层上的铜合金籽层和沉积在铜合金籽层上的第二籽层。铜合金籽层可以包括铜和金属，如铝、镁、钛、锆、锡及其组合。第二籽层可以包括金属，如非掺杂铜。在仍另一个实施方式中，籽层包括第一籽层和第二籽层。第一籽层可以包括金属，如铝、镁、钛、锆、锡及其组合。第二籽层可以包括金属，如非掺杂铜。