-
公开(公告)号：CN102273059B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN200980154130.8
申请日：2009-11-10
申请人： 康奈尔大学
CPC分类号： G21H1/02 , H03B5/326 , H03H9/0542 , H03H9/145
摘要： 自主的自供电设备包括放射性同位素供电的电流脉冲发生器，电流脉冲发生器包括具有悬臂的弹簧组件，以及与电流脉冲发生器并联连接的压电表面声波(P-SAW)结构。由于连续发射β粒子(电子)，因此正电荷积聚在电气绝缘的63Ni薄膜上，其中β粒子被收集在悬臂上。积聚的电荷最终将悬臂拉进放射性同位素薄膜中，直到放电发生为止。放电生成瞬时的磁场和电场，瞬时的磁场和电场可以激发腔的RF模式，在腔中发生放电。压电-SAW谐振器被连接到放电组件，以控制RF频率输出。一种用于生成调谐的RF信号的方法包括向P-SAW谐振器输入能量脉冲、激发其谐振频率、以及输出具有调谐到谐振器频率的频率的RF信号。
-
公开(公告)号：CN103109325B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201080061778.3
申请日：2010-11-19
申请人： 康奈尔大学
IPC分类号： G21H1/00
CPC分类号： G21H1/06
摘要： 示例性的削薄的β伏打器件，包括：厚度在约3到50微米之间的N+掺杂的碳化硅(SiC)基质；紧邻所述SiC基质的底部表面布置的导电层；紧邻所述SiC基质的顶部表面布置的N-掺杂的SiC外延层；紧邻所述N-掺杂的SiC外延层的顶部表面布置的P+掺杂的SiC外延层；紧邻所述P+掺杂的SiC外延层的顶部表面布置的欧姆导电层；以及紧邻所述欧姆导电层的顶部表面布置的放射性同位素层。所述放射性同位素层可以是63Ni、147Pm或3H。该器件可以并联或串联地堆叠。还公开了制造所述器件的方法。
-
公开(公告)号：CN103109325A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201080061778.3
申请日：2010-11-19
申请人： 康奈尔大学
IPC分类号： G21H1/00
CPC分类号： G21H1/06
摘要： 示例性的削薄的β伏打器件，包括：厚度在约3到50微米之间的N+掺杂的碳化硅(SiC)基质；紧邻所述SiC基质的底部表面布置的导电层；紧邻所述SiC基质的顶部表面布置的N-掺杂的SiC外延层；紧邻所述N-掺杂的SiC外延层的顶部表面布置的P+掺杂的SiC外延层；紧邻所述P+掺杂的SiC外延层的顶部表面布置的欧姆导电层；以及紧邻所述欧姆导电层的顶部表面布置的放射性同位素层。所述放射性同位素层可以是63Ni、147Pm或3H。该器件可以并联或串联地堆叠。还公开了制造所述器件的方法。
-
公开(公告)号：CN102273059A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200980154130.8
申请日：2009-11-10
申请人： 康奈尔大学
CPC分类号： G21H1/02 , H03B5/326 , H03H9/0542 , H03H9/145
摘要： 自主的自供电设备包括放射性同位素供电的电流脉冲发生器，电流脉冲发生器包括具有悬臂的弹簧组件，以及与电流脉冲发生器并联连接的压电表面声波(P-SAW)结构。由于连续发射β粒子(电子)，因此正电荷积聚在电气绝缘的63Ni薄膜上，其中β粒子被收集在悬臂上。积聚的电荷最终将悬臂拉进放射性同位素薄膜中，直到放电发生为止。放电生成瞬时的磁场和电场，瞬时的磁场和电场可以激发腔的RF模式，在腔中发生放电。压电-SAW谐振器被连接到放电组件，以控制RF频率输出。一种用于生成调谐的RF信号的方法包括向P-SAW谐振器输入能量脉冲、激发其谐振频率、以及输出具有调谐到谐振器频率的频率的RF信号。
-
-
-
搜索结果
4 条记录 (耗时 0.017 秒)
