制备稠合噻吩的方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103025742A

    公开(公告)日:2013-04-03

    申请号:CN201180024452.8

    申请日:2011-05-12

    IPC分类号: C07D495/22

    CPC分类号: C07D495/22

    摘要: 本发明提供了β″-二-R-取代的稠合噻吩(DCXFT4)化合物,以及制备式(V)所示化合物的方法,其中各R是C4-C25亚烃基,所述方法包括对四溴二噻吩(I)进行二酰基化;使溴-二噻吩化合物(II)与2-巯基乙酸酯接触,形成环化稠合噻吩(III);将稠合噻吩(III)转化为相应的二酸(IV);使二酸(IV)脱羧,形成稠合噻吩(V),各式如本文所定义。

    在有机半导体聚合物中掺杂其他聚合物

    公开(公告)号:CN110730791B

    公开(公告)日:2022-10-21

    申请号:CN201880038201.7

    申请日:2018-06-01

    摘要: 公开了聚合物掺混物,其包括掺混了隔离聚合物的有机半导体(OSC)聚合物,及其制造方法。OSC聚合物包括二酮吡咯并吡咯稠合噻吩聚合物材料,以及稠合噻吩是β取代的。隔离聚合物包括非共轭骨架,并且隔离聚合物可以是以下一种:聚丙烯腈、烷基取代的聚丙烯腈、聚苯乙烯、聚磺酸酯、聚碳酸酯、弹性体嵌段共聚物,它们的衍生物、共聚物和混合物。方法包括在有机溶剂中掺混OSC聚合物和隔离聚合物以产生聚合物掺混物,以及在基材上沉积聚合物掺混物的薄膜。还公开了包含半导体薄膜的有机半导体装置,所述半导体薄膜包含OSC聚合物。