抗氢致衰减的光纤
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1154345A

    公开(公告)日:1997-07-16

    申请号:CN96122896.2

    申请日:1996-11-01

    IPC分类号: C03B37/01 C03C4/00

    CPC分类号: Y02P40/57

    摘要: 本发明涉及一种改进的单模光纤,包括中央芯区和包围纤芯的内包层区,在选定的信号波长下,光在纤芯传播的同时,也以可感测到的程度在内包层区传播,内包层区还被外包层区包围,其特征在于在所述内包层区中,含有浓度约为所述内包层区重量的0.005-1%的二氧化锗,从而有效地显著降低内包层区中会形成缺陷引起氢致衰减的氧原子浓度。本发明也提供了纤芯预制棒,已覆盖的预制棒,以及制备光纤、纤芯预制棒和已覆盖预制棒的方法。

    抗氢致衰减的光纤
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1052464C

    公开(公告)日:2000-05-17

    申请号:CN96122896.2

    申请日:1996-11-01

    IPC分类号: C03B37/01 C03C4/00

    CPC分类号: Y02P40/57

    摘要: 本发明涉及一种改进的单模光纤,包括中央芯区和包围纤芯的内包层区,在选定的信号波长下,光在纤芯传播的同时,也以可感测到的程度在内包层区传播,内包层区还被外包层区包围,其特征在于在所述内包层区中,含有浓度约为所述内包层区重量的0.005-1%的二氧化锗,从而有效地显著降低内包层区中会形成缺陷引起氢致衰减的氧原子浓度。本发明也提供了纤芯预制棒,已覆盖的预制棒,以及制备光纤、纤芯预制棒和已覆盖预制棒的方法。