公开(公告)号：CN116773509A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310745408.0

申请日：2023-06-25

申请人： 延安大学

发明人： 冷德营 ,  马小勇 ,  杨明明 ,  朱卓卓 ,  吴雄雄 ,  杨亮 ,  杨延宁

IPC分类号： G01N21/65 ,  C01B19/04 ,  B82Y40/00

摘要： 本申请涉及表面增强拉曼散射领域，具体提供了一种三维SnSe2表面增强拉曼散射衬底及其制备方法。三维SnSe2表面增强拉曼散射衬底包括过滤层，过滤层上有多个滤孔，过滤层的上侧面固定设置有SnSe2纳米结构层，SnSe2纳米结构层由SnSe2纳米结构组成，SnSe2纳米结构为SnSe2纳米花，SnSe2纳米花覆盖过滤层，且SnSe2纳米花封堵过滤层上的滤孔。SnSe2纳米花结构中没有竖直贯穿的间隙，这使得SnSe2纳米花对光场的局域效果较好，从而提升拉曼信号增强因子。三维SnSe2表面增强拉曼散射衬底的制备方法包括如下步骤：S1，制备SnSe2纳米花；S2，制备SnSe2纳米花的水溶液；S3，进行抽滤，得到SnSe2表面增强拉曼散射衬底。本发明制备方法不使用分子束外延方法制备，成本较低。