公开(公告)号：CN117929353B

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410324445.9

申请日：2024-03-21

申请人： 延安大学

发明人： 吴雄雄 ,  何智慧 ,  霍亚杉 ,  崔巍 ,  王奕璇 ,  杨志敏 ,  路绍军 ,  李建新 ,  杨延宁

IPC分类号： G01N21/65

摘要： 本申请涉及拉曼散射领域，具体提供了一种半导体异质结表面增强拉曼散射衬底，该衬底包括基底层，基底层的一侧固定设置第一半导体层，第一半导体层远离基底层一侧固定设置有第二半导体层，第二半导体层的面积小于第一半导体层的面积，第一半导体层和第二半导体层的材料不同，探测时，待测分子置于衬底的表面。本发明提供的衬底使用半导体异质结进行拉曼信号的增强。入射激光照射使得异质结半导体表面局部电场增强；异质结半导体界面处的内建电场促进电子空穴对的分离以及电子在异质结界面处的迁移，使得异质结半导体表面的电场强度增大，从而进一步提升拉曼信号的强度。因此，本申请衬底对拉曼信号的增强效果较好。

公开(公告)号：CN116735563A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202310513859.1

申请日：2023-05-09

申请人： 延安大学

发明人： 吴雄雄 ,  崔巍 ,  王奕璇 ,  何智慧 ,  杨志敏 ,  路绍军 ,  霍亚杉 ,  杨延宁

IPC分类号： G01N21/65

摘要： 本发明涉及表面增强拉曼散射应用技术领域，具体涉及一种石墨烯/金颗粒/二硫化钼SERS衬底及其制备方法。本发明的SERS衬底包括基底层、石墨烯层、二硫化钼层，石墨烯层置于基底层上，还包括金颗粒层，金颗粒层置于石墨烯层上，二硫化钼层置于金颗粒层上；金颗粒层包括金纳米颗粒，金纳米颗粒之间设有间隙；在金纳米颗粒处，二硫化钼层置于金纳米颗粒上，在间隙处，二硫化钼层和石墨烯层形成异质结。本发明应用金纳米颗粒增强入射光与整个SERS衬底的耦合，使得二硫化钼层与石墨烯层处于更强的电场中，提高了待测分子的拉曼信号强度，在表面增强拉曼散射应用技术领域具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN118275413B

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202410711297.6

申请日：2024-06-04

申请人： 延安大学

发明人： 吴雄雄 ,  何智慧 ,  霍亚杉 ,  崔巍 ,  王奕璇 ,  杨志敏 ,  路绍军 ,  李建新 ,  杨延宁

IPC分类号： G01N21/65

摘要： 本申请涉及拉曼散射领域，具体提供了一种贵金属颗粒‑半导体层复合表面增强拉曼散射衬底，该衬底包括基底，基底的上表面设置贵金属层，贵金属层远离基底一侧设置有半导体层，半导体层包覆贵金属层；贵金属层包括第一贵金属颗粒，相邻第一贵金属颗粒之间有间距，贵金属层还包括第二贵金属颗粒，基底朝向贵金属层一侧的平面上设置有凹槽，凹槽设置于相邻第一贵金属颗粒之间，凹槽内部设置第二贵金属颗粒；入射激光由半导体层远离贵金属层一侧入射。第一贵金属颗粒和第二贵金属颗粒之间的耦合沿倾斜方向，光场与贵金属颗粒的作用距离较长，拉曼信号的增强效果较好；贵金属层被半导体层覆盖，与待检测分子和空气不直接接触，结构较稳定，可重复使用。

公开(公告)号：CN118275413A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202410711297.6

申请日：2024-06-04

申请人： 延安大学

发明人： 吴雄雄 ,  何智慧 ,  霍亚杉 ,  崔巍 ,  王奕璇 ,  杨志敏 ,  路绍军 ,  李建新 ,  杨延宁

IPC分类号： G01N21/65

摘要： 本申请涉及拉曼散射领域，具体提供了一种贵金属颗粒‑半导体层复合表面增强拉曼散射衬底，该衬底包括基底，基底的上表面设置贵金属层，贵金属层远离基底一侧设置有半导体层，半导体层包覆贵金属层；贵金属层包括第一贵金属颗粒，相邻第一贵金属颗粒之间有间距，贵金属层还包括第二贵金属颗粒，基底朝向贵金属层一侧的平面上设置有凹槽，凹槽设置于相邻第一贵金属颗粒之间，凹槽内部设置第二贵金属颗粒；入射激光由半导体层远离贵金属层一侧入射。第一贵金属颗粒和第二贵金属颗粒之间的耦合沿倾斜方向，光场与贵金属颗粒的作用距离较长，拉曼信号的增强效果较好；贵金属层被半导体层覆盖，与待检测分子和空气不直接接触，结构较稳定，可重复使用。

公开(公告)号：CN118067687A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410240410.7

申请日：2024-03-04

申请人： 延安大学

发明人： 吴雄雄 ,  何智慧 ,  李建新 ,  霍亚杉 ,  崔巍 ,  王奕璇 ,  杨志敏 ,  路绍军 ,  杨延宁

IPC分类号： G01N21/65 ,  G01N21/01

摘要： 本申请涉及表面增强拉曼散射技术领域，具体涉及一种降低光热效应的表面增强拉曼散射衬底，包括基底层、散热层和复合层。散热层置于基底层上，复合层置于散热层上。复合层包括多个散热部和多个贵金属纳米颗粒。贵金属纳米颗粒的尺寸小于散热部的尺寸，贵金属纳米颗粒的个数多于散热部的个数，贵金属纳米颗粒散布在散热部之间。本发明传统表面增强拉曼散射衬底的基础上引入散热层和散热部，将激发光产生的热量传递到基底层和复合层上部空间，降低了激发光产生的光热效应对表面增强拉曼散射信号的影响，提高了表面增强拉曼散射信号的准确性和稳定性，在表面增强拉曼散射技术领域具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN117929353A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202410324445.9

申请日：2024-03-21

申请人： 延安大学

发明人： 吴雄雄 ,  何智慧 ,  霍亚杉 ,  崔巍 ,  王奕璇 ,  杨志敏 ,  路绍军 ,  李建新 ,  杨延宁

IPC分类号： G01N21/65

摘要： 本申请涉及拉曼散射领域，具体提供了一种半导体异质结表面增强拉曼散射衬底，该衬底包括基底层，基底层的一侧固定设置第一半导体层，第一半导体层远离基底层一侧固定设置有第二半导体层，第二半导体层的面积小于第一半导体层的面积，第一半导体层和第二半导体层的材料不同，探测时，待测分子置于衬底的表面。本发明提供的衬底使用半导体异质结进行拉曼信号的增强。入射激光照射使得异质结半导体表面局部电场增强；异质结半导体界面处的内建电场促进电子空穴对的分离以及电子在异质结界面处的迁移，使得异质结半导体表面的电场强度增大，从而进一步提升拉曼信号的强度。因此，本申请衬底对拉曼信号的增强效果较好。