公开(公告)号：CN101952406A

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN200880119284.9

申请日：2008-12-08

申请人： 弗劳恩霍弗应用技术研究院

发明人： 库诺·梅耶 ,  马克·舒曼 ,  丹尼尔·凯瑞 ,  特里萨·奥雷拉纳·佩雷斯 ,  约亨·任特舒 ,  马丁·齐默 ,  伊莱亚斯·基尔希加斯纳 ,  伊娃·齐默 ,  丹尼尔·伯罗 ,  阿帕德·米哈伊·罗什塔什

IPC分类号： C11D7/06 ,  C11D7/26 ,  C11D7/32 ,  C11D11/00

CPC分类号： C11D11/0047 ,  C11D7/06 ,  C11D7/26 ,  C11D7/32

摘要： 本发明涉及单晶晶片表面处理的液体试剂，所述液体试剂含有碱性刻蚀剂和至少一种低挥发性有机化合物。该类型的体系可以在单一的刻蚀步骤中用于晶片表面的清洗、损伤蚀刻和织构化，以及只用于具有不同表面质量的硅晶片的织构化，无论所述晶片是高表面损伤的线锯晶片还是具有最小损伤密度的化学抛光表面。

公开(公告)号：CN101952406B

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN200880119284.9

申请日：2008-12-08

申请人： 弗劳恩霍弗应用技术研究院

发明人： 库诺·梅耶 ,  马克·舒曼 ,  丹尼尔·凯瑞 ,  特里萨·奥雷拉纳·佩雷斯 ,  约亨·任特舒 ,  马丁·齐默 ,  伊莱亚斯·基尔希加斯纳 ,  伊娃·齐默 ,  丹尼尔·伯罗 ,  阿帕德·米哈伊·罗什塔什

IPC分类号： C11D7/06 ,  C11D7/26 ,  C11D7/32 ,  C11D11/00

CPC分类号： C11D11/0047 ,  C11D7/06 ,  C11D7/26 ,  C11D7/32

摘要： 本发明涉及单晶晶片表面处理的液体试剂，所述液体试剂含有碱性刻蚀剂和至少一种低挥发性有机化合物。该类型的体系可以在单一的刻蚀步骤中用于晶片表面的清洗、损伤蚀刻和织构化，以及只用于具有不同表面质量的硅晶片的织构化，无论所述晶片是高表面损伤的线锯晶片还是具有最小损伤密度的化学抛光表面。