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公开(公告)号：CN107530637A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680026707.7
申请日：2016-03-23
申请人： 栗田工业株式会社
发明人： 川胜孝博
CPC分类号： B01D65/02 , B01D61/025 , B01D65/06 , B01D71/56 , B01D2321/162 , C11D7/06 , C11D7/32 , C11D7/3245 , C11D17/0008 , C11D17/08 , Y02A20/131
摘要： 一种清洁剂，其具有抑制因清洁造成的RO膜的截留率降低的效果，其包含碱性或疏水性的氨基酸、含有这些氨基酸作为氨基酸组分的肽或它们的衍生物作为膜的保护剂。再者，该清洁剂也可以包含选自由碱剂、结合氯剂和氧化剂所构成的群组中的1种或2种以上。作为氨基酸，优选为精氨酸、赖氨酸、苯丙氨酸。一种清洁液，是稀释该清洁剂而成的水溶液。一种使用该清洁液对RO膜进行清洁的方法。
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公开(公告)号：CN105779166A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610095453.6
申请日：2016-02-22
申请人： 张惠元
发明人： 张惠元
CPC分类号： C11D3/38636 , C11D3/3707 , C11D7/08 , C11D7/261 , C11D7/265 , C11D7/268 , C11D7/32 , C11D7/3218 , C11D11/0023 , C11D11/0094
摘要： 本发明属于医疗器械的清洗消毒技术领域，具体公开了一种用于医疗器械的低泡多酶清洗剂的制备方法，制备步骤如下：1）在去离子水中加入聚乙二醇、螯合剂、防腐剂和酶复合稳定剂，搅拌均匀，制得第一混合液；2）在异丙醇中按顺序加入中性水解蛋白酶、海洋生物蛋白酶，搅拌均匀，制得第二混合液；3）将第二混合液加入第一混合液中搅拌，再按顺序依次加入脂肪酶、淀粉酶、中性纤维素酶和溶菌酶搅拌，最后加入海藻糖继续搅拌。本发明所制备的多酶清洗剂能去除器械表面生物膜，清洗后器械表面亮度好、无残留斑点，适用于全自动喷淋清洗机或者超声波医用清洗设备。
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公开(公告)号：CN105264117A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201480028326.3
申请日：2014-03-13
申请人： 嘉柏微电子材料股份公司
发明人： C-Y.柯
IPC分类号： C23G1/00
CPC分类号： C11D7/3281 , C11D3/0073 , C11D3/2086 , C11D3/26 , C11D3/28 , C11D3/30 , C11D3/33 , C11D3/361 , C11D3/364 , C11D3/365 , C11D7/265 , C11D7/32 , C11D7/3209 , C11D7/3245 , C11D7/36 , C11D11/0047 , C23G1/18 , C23G1/20 , H01L21/02074
摘要： 提供用于铜后化学机械平坦化的含水清洗组合物。所述组合物包含有机碱、铜蚀刻剂、有机配体、腐蚀抑制剂、及水，其中该有机碱的浓度为至少200ppm，该铜蚀刻剂的浓度为至少200ppm，该有机配体的浓度为至少50ppm，且该腐蚀抑制剂的浓度为至少10ppm。当用于铜后化学机械平坦化清洗程序时，所述含水清洗组合物可有效地从晶片表面去除残余污染物和降低晶片表面上的缺陷数，同时赋予晶片以更好的表面粗糙度。
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公开(公告)号：CN104971918A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510139808.2
申请日：2015-03-27
申请人： 瓦克化学股份公司
发明人： 亚娃德·穆赫塞尼 , 康拉德·毛特纳 , 彼得·尼恩贝格 , 克里斯蒂安·卡尔滕马克纳 , 克劳斯·克普勒 , 安德烈亚斯·布罗克霍尔特
IPC分类号： B08B3/08
CPC分类号： C11D7/5013 , B08B3/08 , B08B9/027 , C11D7/32 , C11D7/3209 , C11D7/5009 , C11D11/0041
摘要： 本发明涉及清洗工业设备部件以除去金属卤化物的方法。本发明提供了清洗工业设备部件以除去选自硅烷、金属卤化物、有机金属卤化物和它们的混合物中的污染物的方法，其中，所述方法包括用液态腈或胺或它们的混合物或用非质子溶剂中的腈或胺或它们的混合物的溶液处理工业设备部件。
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公开(公告)号：CN104342515A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410560387.6
申请日：2014-10-18
申请人： 青岛文晟汽车零部件有限公司
发明人： 吕玲霞
CPC分类号： C14C9/00 , C11D7/02 , C11D7/10 , C11D7/26 , C11D7/261 , C11D7/265 , C11D7/266 , C11D7/28 , C11D7/32 , C11D7/3281 , C11D7/40
摘要： 一种皮具清洁膏，由以下重量份数的原料制成：聚氯乙烯树脂8-14份，醋酸丁酯6-9份，氯化钙4-7份，邻苯二甲亚酰胺3-8份，辛基酚醛树脂4-6份，纳米碳1-3份，甲基丙烯酸正丁酯2-5份，抗氧剂1-4份，乙醇7-11份，丙烯腈2-6份，微晶蜡3-6份，硬脂酸3-5份，氯丁胶2-4份，醋酸乙酯5-8份。本发明的有益效果是，本发明的皮具清洁膏，粘度均匀，具有很好的涂抹性，能够很好的清洗皮具表面的污垢，同时增强了皮具的柔软性和抗磨性。
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公开(公告)号：CN101952406B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN200880119284.9
申请日：2008-12-08
申请人： 弗劳恩霍弗应用技术研究院
发明人： 库诺·梅耶 , 马克·舒曼 , 丹尼尔·凯瑞 , 特里萨·奥雷拉纳·佩雷斯 , 约亨·任特舒 , 马丁·齐默 , 伊莱亚斯·基尔希加斯纳 , 伊娃·齐默 , 丹尼尔·伯罗 , 阿帕德·米哈伊·罗什塔什
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D7/06 , C11D7/26 , C11D7/32
摘要： 本发明涉及单晶晶片表面处理的液体试剂，所述液体试剂含有碱性刻蚀剂和至少一种低挥发性有机化合物。该类型的体系可以在单一的刻蚀步骤中用于晶片表面的清洗、损伤蚀刻和织构化，以及只用于具有不同表面质量的硅晶片的织构化，无论所述晶片是高表面损伤的线锯晶片还是具有最小损伤密度的化学抛光表面。
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公开(公告)号：CN101421386B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200680046497.4
申请日：2006-10-12
申请人： 高级技术材料公司
IPC分类号： C11D7/50
CPC分类号： C11D3/26 , C09D9/04 , C11D3/30 , C11D3/3773 , C11D3/43 , C11D7/32 , C11D7/3209 , C11D11/0047 , C23G1/20 , G03F7/425 , G03F7/426 , H01L21/02063 , H01L21/3212
摘要： 本发明公开了一种用于从其上具有光致抗蚀剂和/或牺牲性抗反射涂层(SARC)材料的微电子器件上去除所述材料的液体去除组合物和方法。所述液体去除组合物包括至少一种有机季碱和至少一种表面相互作用增强添加剂。在制造集成电路时，所述组合物实现至少部分去除光致抗蚀剂和/或SARC材料，同时对微电子器件上的金属材料如铜和钴的蚀刻最小化，且不会损害微电子器件结构中所用的低k介电材料。
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公开(公告)号：CN1711349B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200380102813.1
申请日：2003-10-10
申请人： 巴斯福股份公司
IPC分类号： C11D7/06 , C11D7/32 , C11D3/39 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/02052 , C11D3/3947 , C11D7/06 , C11D7/32 , C11D7/3245 , C11D11/0047
摘要： 本发明涉及表面处理组合物和用其处理底物表面的方法。更具体地，本发明涉及主要组分为液体介质的表面处理组合物，其防止底物表面被表面处理组合物中的金属杂质污染并且稳定地提供极其洁净的底物表面，还涉及使用该组合物处理底物表面的方法。该组合物包括水、过氧化氢、碱性化合物和2，2-双(羟乙基)-(亚氨基三)-(羟甲基)甲烷和/或氨三乙酸。
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公开(公告)号：CN100572519C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200580000341.8
申请日：2005-05-17
申请人： LG化学株式会社
CPC分类号： C11D7/06 , C11D7/32 , C11D7/3245 , C11D7/3263 , C11D11/0041 , F28G9/00
摘要： 本发明涉及处理(甲基)丙烯酸和/或(甲基)丙烯酸酯的设备部件的清洁液以及使用该清洁液的清洗方法。包括5～50wt%的选自包括氢氧化钠和氢氧化钾的组的至少一种碱金属氢氧化物、0.01～1wt%的水溶性氨基酸、0.001～0.05wt%的N，N’-亚甲基双丙烯酰胺和0.001～0.05wt%的偶氮二异丁腈的水性清洁组合物用于清洗制备(甲基)丙烯酸和/或(甲基)丙烯酸酯的设备部件，以易于除去聚合物和沉积物。
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公开(公告)号：CN101467232A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200780021363.1
申请日：2007-06-09
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 阿尔图尔·科利奇 , 李南海 , 玛丽娜·波利扬斯基亚 , 马克·韦斯 , 詹森·科尔内耶
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/76861 , B08B3/04 , C11D7/08 , C11D7/22 , C11D7/32 , H01L21/31053 , H01L21/76829 , H01L21/76838 , H01L21/76849 , H01L21/76862 , H01L21/76864
摘要： 半导体系统包括：提供介电层(104)；在该介电层(104)内提供导体(108)，该导体(108)暴露在该介电层(104)的顶部；覆盖(capping)该暴露的导体(108)；以及改变该介电层(104)的表面，改变该介电层(104)的表面，其中改变该表面包括：通过将该导体(108)溶解在低pH溶液中而将该导体(108)离子从该介电层(104)清洁掉、溶解该导体(108)离子下方的介电层(104)、机械增强清洁或用化学方法吸附在该介电层(104)上的疏水层(800)。
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