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公开(公告)号:CN117858360A
公开(公告)日:2024-04-09
申请号:CN202410065655.0
申请日:2024-01-16
Applicant: 张江国家实验室
Abstract: 本公开提供一种基于嵌段共聚物导向自组装技术的膜厚调节方法、图案制备方法及引导模板,能够解决稀疏/密集区域刻蚀负载效应的问题。该膜厚调节方法包括以下步骤:在引导模板上制作主图形,主图形包括多个模板孔;根据多个模板孔的分布,在引导模板上的模板孔以外的区域制作引流结构;在衬底上形成薄膜结构来制备基底;将引导模板上的主图形及引流结构图形转移至基底;以及在基底上旋涂嵌段共聚物的溶液,使嵌段共聚物填充在转移至基底上的多个模板孔和引流结构中。
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公开(公告)号:CN119598945A
公开(公告)日:2025-03-11
申请号:CN202411639992.2
申请日:2024-11-15
Applicant: 张江国家实验室
IPC: G06F30/392 , G06N3/042 , G06N3/08 , G06T11/40
Abstract: 本发明提供一种版图拆分方法,通过利用策略网络,根据基于当前待染色节点周围的染色信息得到的当前待染色节点的特征信息、以及基于预定的DSA规则得到的当前待染色节点可行的染色种类,来选择出最优的颜色进行染色,从而无需针对每一个新的DSA工艺重新训练模型,可以将DSA规则与学习模型解耦,极大地加强了版图拆分算法的泛化性。
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公开(公告)号:CN119575747A
公开(公告)日:2025-03-07
申请号:CN202411643282.7
申请日:2024-11-15
Applicant: 张江国家实验室
Abstract: 本申请公开了一种用于导向自组装版图拆分的方法。该方法可包括以下步骤:获取要形成的半导体特征结构的位置信息;根据导向自组装工艺能力确定的冲突规则和半导体特征结构之间的距离构建冲突关系;基于冲突关系,通过分配引导模版来组合所有符合导向自组装工艺规则的半导体特征结构;根据引导模版的分配,重构冲突关系;将存在冲突的引导模版塌缩成一个点以继承涉及存在冲突的引导模版的所有冲突关系,从而得到新的冲突关系;根据新的冲突关系,利用贪心染色算法进行染色;以及基于染色的结果拆分版图。
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