公开(公告)号：CN102290304A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201110224200.1

申请日：2011-08-07

申请人： 张研 ,  李驰

发明人： 张研 ,  李驰 ,  戴迪尔·普里巴特

IPC分类号： H01J1/304 ,  H01J1/48 ,  H01J9/02 ,  H01J9/14

摘要： 一种带有聚焦栅极的碳纳米管场发射阵列，包括基板、位于基板上的栅极底电极，绝缘层薄膜、作为阴极的网格状碳纳米管阵列，作为栅极的点状碳纳米管阵列，网格状碳纳米管阵列阴极的底电极在绝缘层薄膜上；绝缘层薄膜位于阴极的底电极和栅极底电极之间，点状碳纳米管位于网格状碳纳米管阵列网格状孔的中心位置，点状碳纳米管与栅极底电极电学相连。本方案给碳纳米管阵列中每一个碳纳米管单元都设置一个聚焦电极，得到发射电子束束径小的场发射阴极。适用于对电子束束径要求较高的场发射器件，例如，X射线源、微波放大器、场发射扫描电子显微镜等中的电子源。

公开(公告)号：CN102290304B

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201110224200.1

申请日：2011-08-07

申请人： 张研 ,  李驰

发明人： 张研 ,  李驰 ,  戴迪尔·普里巴特

IPC分类号： H01J1/304 ,  H01J1/48 ,  H01J9/02 ,  H01J9/14

摘要： 一种带有聚焦栅极的碳纳米管场发射阵列，包括基板、位于基板上的栅极底电极，绝缘层薄膜、作为阴极的网格状碳纳米管阵列，作为栅极的点状碳纳米管阵列，网格状碳纳米管阵列阴极的底电极在绝缘层薄膜上；绝缘层薄膜位于阴极的底电极和栅极底电极之间，点状碳纳米管位于网格状碳纳米管阵列网格状孔的中心位置，点状碳纳米管与栅极底电极电学相连。本方案给碳纳米管阵列中每一个碳纳米管单元都设置一个聚焦电极，得到发射电子束束径小的场发射阴极。适用于对电子束束径要求较高的场发射器件，例如，X射线源、微波放大器、场发射扫描电子显微镜等中的电子源。

公开(公告)号：CN202473820U

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201120284219.0

申请日：2011-08-07

申请人： 张研 ,  李驰

发明人： 张研 ,  李驰 ,  戴迪尔·普里巴特

IPC分类号： H01J1/304

摘要： 一种带有聚焦栅极的碳纳米管场发射阵列，包括基板、位于基板上的栅极底电极，绝缘层薄膜、作为阴极的网格状碳纳米管阵列，作为栅极的点状碳纳米管阵列，网格状碳纳米管阵列阴极的底电极在绝缘层薄膜上；绝缘层薄膜位于阴极的底电极和栅极底电极之间，点状碳纳米管位于网格状碳纳米管阵列网格状孔的中心位置，点状碳纳米管与栅极底电极电学相连。本方案给碳纳米管阵列中每一个碳纳米管单元都设置一个聚焦电极，得到发射电子束束径小的场发射阴极。适用于对电子束束径要求较高的场发射器件，例如，X射线源、微波放大器、场发射扫描电子显微镜等中的电子源。