公开(公告)号：CN1235207A

公开(公告)日：1999-11-17

申请号：CN99105385.0

申请日：1999-04-29

Applicant: 微涂技术股份有限公司

Inventor： A·T·亨特 ,  S·桑穆加姆 ,  W·D·丹尼尔森 ,  H·A·卢藤 ,  T·J·旺格 ,  G·德什潘德

IPC: C23C16/52

CPC classification number: C23C16/45519 ,  B05D1/08 ,  C23C16/14 ,  C23C16/18 ,  C23C16/30 ,  C23C16/342 ,  C23C16/36 ,  C23C16/406 ,  C23C16/409 ,  C23C16/453 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45576 ,  C23C16/45595 ,  C23C16/50

Abstract: 本发明揭示一种改进的化学气相溶积设备和方法。该技术在制备CVD涂层时对反应区或淀积区提供改进的屏蔽,从而可在常压下在对高温敏感和太大或不便于在真空或类似室中加工的基材上制造对气氛组分敏感的涂层。这种改进的技术可使用各种能源,且特别适用于燃烧化学气相淀积(CCVD)技术。

公开(公告)号：CN1121511C

公开(公告)日：2003-09-17

申请号：CN99105385.0

申请日：1999-04-29

Applicant: 微涂技术股份有限公司

Inventor： A·T·亨特 ,  S·桑穆加姆 ,  W·D·丹尼尔森 ,  H·A·卢藤 ,  T·J·旺格 ,  G·德什潘德

IPC: C23C16/52

CPC classification number: C23C16/45519 ,  B05D1/08 ,  C23C16/14 ,  C23C16/18 ,  C23C16/30 ,  C23C16/342 ,  C23C16/36 ,  C23C16/406 ,  C23C16/409 ,  C23C16/453 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45576 ,  C23C16/45595 ,  C23C16/50

Abstract: 本发明揭示一种改进的化学气相淀积设备和方法。该技术在制备CVD涂层时对反应区或淀积区提供改进的屏蔽，从而可在常压下在对高温敏感和太大或不便于在真空或类似室中加工的基材上制造对气氛组分敏感的涂层。这种改进的技术可使用各种能源，且特别适用于燃烧化学气相淀积(CCVD)技术。