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公开(公告)号：CN1235207A
公开(公告)日：1999-11-17
申请号：CN99105385.0
申请日：1999-04-29
Applicant: 微涂技术股份有限公司
IPC: C23C16/52
CPC classification number: C23C16/45519 , B05D1/08 , C23C16/14 , C23C16/18 , C23C16/30 , C23C16/342 , C23C16/36 , C23C16/406 , C23C16/409 , C23C16/453 , C23C16/45561 , C23C16/45576 , C23C16/45595 , C23C16/50
Abstract: 本发明揭示一种改进的化学气相溶积设备和方法。该技术在制备CVD涂层时对反应区或淀积区提供改进的屏蔽,从而可在常压下在对高温敏感和太大或不便于在真空或类似室中加工的基材上制造对气氛组分敏感的涂层。这种改进的技术可使用各种能源,且特别适用于燃烧化学气相淀积(CCVD)技术。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1446148A
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN01812014.8
申请日：2001-06-27
Applicant: 微涂技术股份有限公司
IPC: B32B27/06 , B32B27/08 , B32B27/28 , B32B27/30 , B32B27/32 , B32B27/34 , B32B27/36 , B32B27/38 , B32B27/40 , C23C4/04 , C23C16/00
CPC classification number: C03C17/001 , B05D1/08 , B05D1/34 , B05D3/0254 , B05D3/08 , B05D2518/10 , C03C17/007 , C03C17/009 , C03C17/32 , C03C17/42 , C03C2217/425 , C03C2217/445 , C03C2217/475 , C08K3/22 , C08K3/346 , C09D7/61 , C09D183/04 , C23C4/12 , C23C4/123 , C23C26/00 , Y10T428/12583 , Y10T428/31522
Abstract: 本发明通过将聚合物溶液的微细的气溶胶(N)施涂在基底(30)上，并与此同时将能源(38)施用于所施涂的溶液上进行溶液施涂来制备聚合材料的涂层，尤其是薄膜。当所述聚合物是交联的时，所述能源有助于聚合物的交联。所述优选的能源为火焰(38)，它可以任选地或者适宜地和聚合物喷雾一起沉积原料。本发明一个特别的方面涉及制备聚酰亚胺薄膜。至于本发明的另一方面，可以使用共沉积方法将薄的聚硅氧烷涂层用于玻璃和其它基底上。
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公开(公告)号：CN1121511C
公开(公告)日：2003-09-17
申请号：CN99105385.0
申请日：1999-04-29
Applicant: 微涂技术股份有限公司
IPC: C23C16/52
CPC classification number: C23C16/45519 , B05D1/08 , C23C16/14 , C23C16/18 , C23C16/30 , C23C16/342 , C23C16/36 , C23C16/406 , C23C16/409 , C23C16/453 , C23C16/45561 , C23C16/45576 , C23C16/45595 , C23C16/50
Abstract: 本发明揭示一种改进的化学气相淀积设备和方法。该技术在制备CVD涂层时对反应区或淀积区提供改进的屏蔽，从而可在常压下在对高温敏感和太大或不便于在真空或类似室中加工的基材上制造对气氛组分敏感的涂层。这种改进的技术可使用各种能源，且特别适用于燃烧化学气相淀积(CCVD)技术。
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公开(公告)号：CN100385696C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN00804586.0
申请日：2000-01-12
Applicant: 微涂技术股份有限公司
Inventor： A·T·亨特 , G·德什潘德 , D·T·-J·J·卡振斯 , W·-Y·林 , S·S·肖普
CPC classification number: H01L39/2461
Abstract: 公开了一种外延薄膜，它作为缓冲层用于高温超导体、固体氧化物燃料电池(SOFC)的电解质、气体分离隔膜或电子元件的介电材料。通过使用CCVD、CACVD或任何其它合适的沉积方法，可形成无孔的具有理想晶界和密实结构的外延薄膜。公开了数种不同类型的材料作为高温超导体的缓冲层。另外，使用外延薄膜作为SOFC的电解质并形成电极产生密实的无孔和理想晶界/界面的微结构。还公开了用于制造氧和氢的气体隔膜。这些半渗透隔膜是由多孔陶瓷基材上的高质量、密实、气密、无针孔的亚微米级混合导电的氧化物层制成的。还报道了作为电容器中介电材料的外延薄膜。电容器是根据与物理结构和介电常数有关的电容量使用的。本发明外延薄膜形成低损耗的极高介电常数的介电层。高的介电常数可在形成的电容器的电极之间施加直流偏压来调节其电容量。
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公开(公告)号：CN1217787C
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN01812014.8
申请日：2001-06-27
Applicant: 微涂技术股份有限公司
IPC: B32B27/06 , B32B27/08 , B32B27/28 , B32B27/30 , B32B27/32 , B32B27/34 , B32B27/36 , B32B27/38 , B32B27/40 , C23C4/04 , C23C16/00
CPC classification number: C03C17/001 , B05D1/08 , B05D1/34 , B05D3/0254 , B05D3/08 , B05D2518/10 , C03C17/007 , C03C17/009 , C03C17/32 , C03C17/42 , C03C2217/425 , C03C2217/445 , C03C2217/475 , C08K3/22 , C08K3/346 , C09D7/61 , C09D183/04 , C23C4/12 , C23C4/123 , C23C26/00 , Y10T428/12583 , Y10T428/31522
Abstract: 本发明通过将聚合物溶液的微细的气溶胶(N)施涂在基底(30)上，并与此同时将能源(38)施用于所施涂的溶液上进行溶液施涂来制备聚合材料的涂层，尤其是薄膜。当所述聚合物是交联的时，所述能源有助于聚合物的交联。所述优选的能源为火焰(38)，它可以任选地或者适宜地和聚合物喷雾一起沉积原料。本发明一个特别的方面涉及制备聚酰亚胺薄膜。至于本发明的另一方面，可以使用共沉积方法将薄的聚硅氧烷涂层用于玻璃和其它基底上。
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公开(公告)号：CN1526172A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN00804586.0
申请日：2000-01-12
Applicant: 微涂技术股份有限公司
Inventor： A·T·亨特 , G·德什潘德 , D·T·-J·J·卡振斯 , W·-Y·林 , S·S·肖普
CPC classification number: H01L39/2461
Abstract: 公开了一种外延薄膜，它作为缓冲层用于高温超导体、固体氧化物燃料电池(SOFC)的电解质、气体分离隔膜或电子元件的介电材料。通过使用CCVD、CACVD或任何其它合适的沉积方法，可形成无孔的具有理想晶界和密实结构的外延薄膜。公开了数种不同类型的材料作为高温超导体的缓冲层。另外，使用外延薄膜作为SOFC的电解质并形成电极产生密实的无孔和理想晶界/界面的微结构。还公开了用于制造氧和氢的气体隔膜。这些半渗透隔膜是由多孔陶瓷基材上的高质量、密实、气密、无针孔的亚微米级混合导电的氧化物层制成的。还报道了作为电容器中介电材料的外延薄膜。电容器是根据与物理结构和介电常数有关的电容量使用的。本发明外延薄膜形成低损耗的极高介电常数的介电层。高的介电常数可在形成的电容器的电极之间施加直流偏压来调节其电容量。
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