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公开(公告)号：CN100385696C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN00804586.0
申请日：2000-01-12
Applicant: 微涂技术股份有限公司
Inventor： A·T·亨特 , G·德什潘德 , D·T·-J·J·卡振斯 , W·-Y·林 , S·S·肖普
CPC classification number: H01L39/2461
Abstract: 公开了一种外延薄膜，它作为缓冲层用于高温超导体、固体氧化物燃料电池(SOFC)的电解质、气体分离隔膜或电子元件的介电材料。通过使用CCVD、CACVD或任何其它合适的沉积方法，可形成无孔的具有理想晶界和密实结构的外延薄膜。公开了数种不同类型的材料作为高温超导体的缓冲层。另外，使用外延薄膜作为SOFC的电解质并形成电极产生密实的无孔和理想晶界/界面的微结构。还公开了用于制造氧和氢的气体隔膜。这些半渗透隔膜是由多孔陶瓷基材上的高质量、密实、气密、无针孔的亚微米级混合导电的氧化物层制成的。还报道了作为电容器中介电材料的外延薄膜。电容器是根据与物理结构和介电常数有关的电容量使用的。本发明外延薄膜形成低损耗的极高介电常数的介电层。高的介电常数可在形成的电容器的电极之间施加直流偏压来调节其电容量。
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公开(公告)号：CN1526172A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN00804586.0
申请日：2000-01-12
Applicant: 微涂技术股份有限公司
Inventor： A·T·亨特 , G·德什潘德 , D·T·-J·J·卡振斯 , W·-Y·林 , S·S·肖普
CPC classification number: H01L39/2461
Abstract: 公开了一种外延薄膜，它作为缓冲层用于高温超导体、固体氧化物燃料电池(SOFC)的电解质、气体分离隔膜或电子元件的介电材料。通过使用CCVD、CACVD或任何其它合适的沉积方法，可形成无孔的具有理想晶界和密实结构的外延薄膜。公开了数种不同类型的材料作为高温超导体的缓冲层。另外，使用外延薄膜作为SOFC的电解质并形成电极产生密实的无孔和理想晶界/界面的微结构。还公开了用于制造氧和氢的气体隔膜。这些半渗透隔膜是由多孔陶瓷基材上的高质量、密实、气密、无针孔的亚微米级混合导电的氧化物层制成的。还报道了作为电容器中介电材料的外延薄膜。电容器是根据与物理结构和介电常数有关的电容量使用的。本发明外延薄膜形成低损耗的极高介电常数的介电层。高的介电常数可在形成的电容器的电极之间施加直流偏压来调节其电容量。
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