具有增强型集成电路的半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN112368832B

    公开(公告)日:2021-12-28

    申请号:CN201980041587.1

    申请日:2019-05-24

    IPC分类号: H01L23/58 H01L49/02

    摘要: 制备半导体器件封装件的方法可涉及将金属材料至少部分地围绕嵌入在半导体管芯的有源表面内的集成电路的区域放置,金属材料位于有源表面上。金属材料的至少一部分可保持与集成电路的区域电气断开。半导体管芯和金属材料可被包封在包封材料中,包封材料延伸到有源表面上方比有源表面上方的金属材料的最大高度高的高度。

    具有增强型集成电路的半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN112368832A

    公开(公告)日:2021-02-12

    申请号:CN201980041587.1

    申请日:2019-05-24

    IPC分类号: H01L23/58 H01L49/02

    摘要: 制备半导体器件封装件的方法可涉及将金属材料至少部分地围绕嵌入在半导体管芯的有源表面内的集成电路的区域放置,金属材料位于有源表面上。金属材料的至少一部分可保持与集成电路的区域电气断开。半导体管芯和金属材料可被包封在包封材料中,包封材料延伸到有源表面上方比有源表面上方的金属材料的最大高度高的高度。