基于采样和保持电路的基准噪声抑制改善

    公开(公告)号:CN111713020B

    公开(公告)日:2023-09-22

    申请号:CN201980012758.8

    申请日:2019-02-12

    摘要: 本发明公开了一种触摸控制器,该触摸控制器可包括测量电路,该测量电路被配置为从接近传感器中的活动通道接收信号,并且对信号进行采样和保持信号以测量信号。触摸控制器可包括驱动屏蔽缓冲器。触摸控制器可包括电压基准电路,该电压基准电路被配置为生成分压基准,向测量电路提供分压基准,并且通过开关电路将分压基准驱动到驱动屏蔽缓冲器,以在活动通道的测量期间将通道保持在接近传感器中。

    电流泄漏减少的T型开关
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116458065A

    公开(公告)日:2023-07-18

    申请号:CN202280007215.9

    申请日:2022-03-31

    发明人: A·库玛

    IPC分类号: H03K17/06

    摘要: 提供了一种装置,该装置包括第一T型开关,该第一T型开关包括:输入端口,该输入端口被布置为连接到第一电压源;中心分接端口;和输出端口,该输出端口被布置为连接到负载。该第一T型开关被配置为:在接通模式下,将该输入端口连接到该输出端口;以及在关断模式下,将该输入端口与该输出端口断开。该装置还包括偏置电压产生电路,该偏置电压产生电路被配置为产生偏置电压,所产生的偏置电压耦接到该第一T型开关的该中心分接端口,该偏置电压基于输出端口电压来确定。

    符合GPIO的低电压晶体振荡器电路

    公开(公告)号:CN110710103B

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN201880035929.4

    申请日:2018-08-06

    IPC分类号: H03B5/36

    摘要: 本发明公开了一种低电压晶体振荡器,其具有用于耦合到GPIO/与GPIO解耦的原生NMOS晶体管。原生NMOS晶体管在接通(低电阻)时在低供电电压下正常工作,并且在关断(高电阻)时在高供电电压下正常工作。振荡器Gm驱动偏置电阻器被重新利用以在原生NMOS晶体管关断时使该原生NMOS晶体管退化,从而减少其泄漏电流(振荡器电路与GPIO节点解耦)。这确保在高供电电压下在外部时钟(EC)模式期间符合CMOS IIH泄漏电流规范。

    快速频率计算器
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111095002B

    公开(公告)日:2022-02-18

    申请号:CN201880059988.5

    申请日:2018-11-15

    IPC分类号: G01R23/02 G01R23/12

    摘要: 本发明提供包括电容器、参考电压、待测量的输入信号和频率计算电路的装置。频率计算电路被配置为选择电容器的电容值,用参考电压对电容器充电,将电容器放电至阈值电压,以及基于将电容器放电至阈值电压的时间与输入信号的时钟周期的比较来确定输入信号的频率。

    用于LC电路的扩频调整
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116569488A

    公开(公告)日:2023-08-08

    申请号:CN202280007868.7

    申请日:2022-04-29

    发明人: A·库玛

    IPC分类号: H03K3/84

    摘要: 本发明提供了一种用于控制具有电路频率的LC电路的电容的控制器和方法,该控制器包括:可变电容器,其作为LC电路的一部分用于与外部电感器耦合;目标值;扩频函数,其用于生成调整值;和电路,其用于轮询该目标值、调用该扩频函数,以及基于该目标值和该调整值的总和来设置该可变电容器的电容。

    用于闭环系统的接近恒定的延迟比较器

    公开(公告)号:CN114830535A

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN202080086392.1

    申请日:2020-10-09

    发明人: A·库玛

    IPC分类号: H03K5/135

    摘要: 使用电压比较器和耦合到高速时钟的可编程计数器来提供用于闭环系统的接近恒定的延迟时间。电压比较器输入‑输出时间延迟在一定温度和操作电压下表征,然后测量和/或推断电压比较器延迟时间在一定操作温度和电压范围内的变化。用于延迟时间计数的多个时钟脉冲被编程到可编程计数器中,以提供从该电压比较器的输入处的变化到该可编程计数器的输出处的变化的接近恒定的延迟时间。

    基于采样和保持电路的基准噪声抑制改善

    公开(公告)号:CN111713020A

    公开(公告)日:2020-09-25

    申请号:CN201980012758.8

    申请日:2019-02-12

    摘要: 本发明公开了一种触摸控制器,该触摸控制器可包括测量电路,该测量电路被配置为从接近传感器中的活动通道接收信号,并且对信号进行采样和保持信号以测量信号。触摸控制器可包括驱动屏蔽缓冲器。触摸控制器可包括电压基准电路,该电压基准电路被配置为生成分压基准,向测量电路提供分压基准,并且通过开关电路将分压基准驱动到驱动屏蔽缓冲器,以在活动通道的测量期间将通道保持在接近传感器中。

    符合GPIO的低电压晶体振荡器电路
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110710103A

    公开(公告)日:2020-01-17

    申请号:CN201880035929.4

    申请日:2018-08-06

    IPC分类号: H03B5/36

    摘要: 本发明公开了一种低电压晶体振荡器,其具有用于耦合到GPIO/与GPIO解耦的原生NMOS晶体管。原生NMOS晶体管在接通(低电阻)时在低供电电压下正常工作,并且在关断(高电阻)时在高供电电压下正常工作。振荡器Gm驱动偏置电阻器被重新利用以在原生NMOS晶体管关断时使该原生NMOS晶体管退化,从而减少其泄漏电流(振荡器电路与GPIO节点解耦)。这确保在高供电电压下在外部时钟(EC)模式期间符合CMOS IIH泄漏电流规范。

    具有增强型集成电路的半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN112368832B

    公开(公告)日:2021-12-28

    申请号:CN201980041587.1

    申请日:2019-05-24

    IPC分类号: H01L23/58 H01L49/02

    摘要: 制备半导体器件封装件的方法可涉及将金属材料至少部分地围绕嵌入在半导体管芯的有源表面内的集成电路的区域放置,金属材料位于有源表面上。金属材料的至少一部分可保持与集成电路的区域电气断开。半导体管芯和金属材料可被包封在包封材料中,包封材料延伸到有源表面上方比有源表面上方的金属材料的最大高度高的高度。