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公开(公告)号:CN114270548A
公开(公告)日:2022-04-01
申请号:CN202080057494.0
申请日:2020-06-09
申请人: 微软技术许可有限责任公司
摘要: 描述了与处理量子计算器件以增加沟道迁移率有关的方法。示例方法包括在晶片的表面上形成超导金属层。方法还包括选择性去除超导金属层的一部分,以允许后续形成与器件相关联的栅极电介质,其中选择性去除引起与量子计算器件相关联的沟道迁移率的减小。方法还包括:在形成栅极电介质之前,使晶片经受等离子体处理,其中与等离子体处理相关联的参数集被选择以增加沟道迁移率。