公开(公告)号：CN113013122A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202011494924.3

申请日：2020-12-17

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： V·S·斯里德哈兰 ,  C·D·曼纳克 ,  N·达沃德 ,  S·F·帕沃内 ,  P·F·汤普森

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

Abstract: 本申请题为“倒装芯片再分配层中的黄铜涂覆的金属”。在一些示例中，一种封装件(303)包括管芯(100)和耦接至管芯的再分配层(301)。再分配层包括金属层(106)、邻接金属层的黄铜层(110)以及邻接黄铜层的聚合物层(302)。

公开(公告)号：CN110660764A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910519605.4

申请日：2019-06-17

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： N·达沃德 ,  C·D·曼纳克 ,  S·F·帕沃内

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 本申请公开用于减轻底切的触点制造。所述的示例提供微电子器件和制造方法(200)，包括：通过在导电特征上形成(206)钛或钛钨阻挡层来制造触点结构，在阻挡层上形成(208)锡晶种层，在晶圆或管芯的导电特征上方的晶种层上形成铜结构，加热(222)晶种层和铜结构以在阻挡层和铜结构之间形成青铜材料，使用蚀刻过程去除(224)晶种层，该蚀刻过程选择性地去除晶种层的暴露部分，以及去除(226)阻挡层的暴露部分。

公开(公告)号：CN113508459A

公开(公告)日：2021-10-15

申请号：CN202080017522.6

申请日：2020-03-04

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： N·达沃德

IPC: H01L21/768

Abstract: 一种集成电路(IC)，该IC包括具有半导体表面层的衬底(108)，该半导体表面层包括被配置为用于实现包括多个晶体管(T1、T2)的至少一种电路功能的电路系统(180)，该半导体表面层包括具有位于多个晶体管上方的至少一个贯穿通孔(121至124)的至少一个介电层(133)。第一顶部层级通孔和横向于该第一顶部层级通孔的第二顶部层级通孔包括复合层168，该复合层包括铜(Cu)、包括Zn的第一金属以及第二金属，其中复合层位于耦合至贯穿通孔的势垒层127上。第一Cu顶部金属迹线141位于第一顶部层级通孔上，并且第二Cu金属迹线142位于第二顶部层级通孔上。

公开(公告)号：CN112640066A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN201980056967.2

申请日：2019-07-02

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： N·达沃德 ,  C·D·曼纳克

IPC: H01L21/50 ,  H01L27/02

Abstract: 封装半导体装置(200)包括金属衬底(120)，该金属衬底具有中心开孔，该中心开孔具有围绕中心开孔的多根凸起迹线(125)，该多根凸起迹线包括电介质基层(125a)上的金属层(125b)。具有背侧金属(BSM)层(181)的半导体管芯(180)顶侧向上安装在中心开孔的顶部中。直接位于BSM层和限定中心开孔的金属衬底的壁之间的单个金属层(121)提供管芯附接，该管芯附接填充中心开孔的底部。具有接触金属层的至少一个弯曲件的引线(126)位于多根迹线上，并且包括延伸越过金属衬底的远侧部分。焊线位于迹线和半导体管芯上的焊盘(180a)之间。模制复合物(175)提供包封。

公开(公告)号：CN115995397A

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202211233655.4

申请日：2022-10-10

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： N·达沃德

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  C25D3/30

Abstract: 本申请题为“具有化学涂覆凸块键合件的电子器件”。一种用于在锡(Sn)电解液中蚀刻管芯(100)的系统和方法。管芯(100)包括硅晶片(102)和设置在硅晶片(102)上的扩散阻挡(108)。铜籽晶层(110)设置在扩散阻挡(108)上，并且至少一个铜凸块键合件(112)设置在铜籽晶层(110)的一部分上。锡层(118)设置在至少一个铜凸块键合件(112)的侧壁(120)上。锡层(118)在对铜籽晶层(110)的蚀刻工艺期间抑制至少一个铜凸块键合件(112)的侧壁(120)的蚀刻以去除铜籽晶层(110)的暴露部分。

公开(公告)号：CN113574641A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202080021334.0

申请日：2020-03-13

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： N·达沃德 ,  S·科杜里 ,  B·S·库克

IPC: H01L21/50 ,  H01L27/02

Abstract: 一种封装的半导体器件(200)包括具有第一和第二通孔孔径(120a、120b)的金属衬底(120)，以及在介电焊盘(125a)上围绕孔径的金属焊盘(125b)，该通孔孔径(120a、120b)具有外环。第一和第二半导体管芯(180a、180b)在其底面上具有背面金属(BSM)层(186)，顶面向上地安装在孔径的顶部部分上。金属管芯附接层(187)直接位于BSM层和金属衬底的壁之间，该金属衬底的壁限定孔径，以为填充孔径底部部分的第一和第二半导体管芯提供管芯附接。引线(126)接触金属焊盘，其中引线包括延伸超过金属衬底的远侧部分。键合线(133)位于金属焊盘和第一和第二半导体管芯上的键合焊盘之间，并且模制化合物为封装的半导体器件提供封装。

公开(公告)号：CN109524309B

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN201811091166.3

申请日：2018-09-19

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： N·达沃德 ,  C·D·曼纳克 ,  S·F·帕沃内

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/49 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明的名称为用于铜引线接合的纳米结构阻挡层。用于铜引线接合的纳米结构阻挡层(110)包括金属晶粒(114)和在金属晶粒(114)之间的晶粒间金属(116)。纳米结构阻挡层(110)包括选自镍或钴的第一金属，和选自钨或钼的第二金属。晶粒间金属(116)中第二金属的浓度高于金属晶粒(114)中第二金属的浓度。纳米结构阻挡层(110)可以在铜芯引线(100)上以提供涂布的接合引线。纳米结构阻挡层(110)可以在接合垫上以形成涂布的接合垫。公开了使用反向脉冲电镀来电镀纳米结构阻挡层(110)的方法。公开了使用涂布的接合引线的引线接合方法。

公开(公告)号：CN112397470A

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN202010809625.8

申请日：2020-08-13

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： S·K·科杜里 ,  N·达沃德

IPC: H01L23/49 ,  H01L23/495 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 本申请题为“多间距引线”。在一些示例中，一种系统包括管芯和引线，该管芯具有从管芯的表面延伸的多个电连接器，并且该引线耦合至多个电连接器。该引线包括：第一导电构件(1010)；堆叠在第一导电构件上的第一非焊料金属镀层(1014)；堆叠在第一非焊料金属镀层上的电镀层(1020)；堆叠在电镀层上的第二非焊料金属镀层(1008)；以及堆叠在第二非焊料金属镀层上的第二导电构件(1000)，第二导电构件比第一导电构件薄。该系统还包括模制件，以至少部分地包封管芯和引线。

公开(公告)号：CN109524309A

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201811091166.3

申请日：2018-09-19

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： N·达沃德 ,  C·D·曼纳克 ,  S·F·帕沃内

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/49 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明的名称为用于铜引线接合的纳米结构阻挡层。用于铜引线接合的纳米结构阻挡层(110)包括金属晶粒(114)和在金属晶粒(114)之间的晶粒间金属(116)。纳米结构阻挡层(110)包括选自镍或钴的第一金属，和选自钨或钼的第二金属。晶粒间金属(116)中第二金属的浓度高于金属晶粒(114)中第二金属的浓度。纳米结构阻挡层(110)可以在铜芯引线(100)上以提供涂布的接合引线。纳米结构阻挡层(110)可以在接合垫上以形成涂布的接合垫。公开了使用反向脉冲电镀来电镀纳米结构阻挡层(110)的方法。公开了使用涂布的接合引线的引线接合方法。