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公开(公告)号：CN111052340B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN201880055156.6
申请日：2018-08-31
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H01L21/68 , H01L23/495
Abstract: 可以通过将一批集成电路(IC)管芯(1240)放置在引线框(1200)上来组装集成电路。每个IC管芯(1240)都包括一个磁响应结构(1246)，该结构可以为IC管芯(1240)的固有部分，或者可以被明确地添加。然后搅动(1250、1251)IC管芯回移动。IC管芯(1240)被磁畴阵列(1212)捕获在引线框(1200)上的特定位置，该磁畴(1212)从IC管芯(1240)产生磁响应。磁畴(1212)可以在引线框(1200)上形成，或者可以由位于引线框(1200)附近的磁性卡盘提供。(1240)，以使IC管芯(1240)在引线框(1200)上来
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公开(公告)号：CN108122868B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN201711186765.9
申请日：2017-11-24
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/48
Abstract: 本申请涉及经过附加处理的热引导沟槽，其中公开了一种集成电路(100)，其具有包括半导体材料(104)的衬底(102)以及设置在衬底(102)之上的互连区(106)。该集成电路(100)包括衬底(102)中的热引导沟槽(130)。热引导沟槽(130)包括其中相邻纳米颗粒(135)彼此粘附的粘附纳米颗粒膜(134)。热引导沟槽(130)具有比接触热引导沟槽(130)的半导体材料(104)更高的热导率。粘附纳米颗粒膜(134)通过附加工艺来形成。
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公开(公告)号：CN111052340A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880055156.6
申请日：2018-08-31
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H01L21/68 , H01L23/495
Abstract: 可以通过将一批集成电路(IC)管芯(1240)放置在引线框(1200)上来组装集成电路。每个IC管芯(1240)都包括一个磁响应结构(1246)，该结构可以为IC管芯(1240)的固有部分，或者可以被明确地添加。然后搅动(1250、1251)IC管芯(1240)，以使IC管芯(1240)在引线框(1200)上来回移动。IC管芯(1240)被磁畴阵列(1212)捕获在引线框(1200)上的特定位置，该磁畴(1212)从IC管芯(1240)产生磁响应。磁畴(1212)可以在引线框(1200)上形成，或者可以由位于引线框(1200)附近的磁性卡盘提供。
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公开(公告)号：CN109217905A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810684815.4
申请日：2018-06-28
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
CPC classification number: H04L67/1063 , H04B5/0031 , H04B5/0062 , H04B5/0068 , H04B5/02 , H04B5/0025
Abstract: 本申请涉及用于近场通信系统的锥形同轴发射结构。本申请提供了一种系统，该系统中一组模块(221)的每一个具有基板(250)，在基板(250)上安装射频(RF)传输器和/或RF接收器(251)。每个模块具有围绕和包围该基板的外壳(260)。该外壳在外壳的表面上具有端口区域。每个模块具有位于基板与外壳上的端口区域之间的锥形近场通信(NFC)场限制器(255)，该锥形近场通信(NFC)场限制器(255)被配置成将由RF传输器产生的电磁能量导引到端口区域，使得电磁能量可被放射到邻近模块的端口区域。
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公开(公告)号：CN108122868A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201711186765.9
申请日：2017-11-24
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/48
CPC classification number: H01L23/367 , H01L21/32051 , H01L21/32055 , H01L21/324 , H01L21/743 , H01L21/76895 , H01L23/3677 , H01L23/3735 , H01L23/481 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/53276 , H01L27/0248 , H01L2224/48463 , H01L21/4871 , H01L23/373 , H01L23/3736 , H01L23/3738
Abstract: 本申请涉及经过附加处理的热引导沟槽，其中公开了一种集成电路(100)，其具有包括半导体材料(104)的衬底(102)以及设置在衬底(102)之上的互连区(106)。该集成电路(100)包括衬底(102)中的热引导沟槽(130)。热引导沟槽(130)包括其中相邻纳米颗粒(135)彼此粘附的粘附纳米颗粒膜(134)。热引导沟槽(130)具有比接触热引导沟槽(130)的半导体材料(104)更高的热导率。粘附纳米颗粒膜(134)通过附加工艺来形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111052388B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN201880056757.9
申请日：2018-09-07
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
Abstract: 一种方法包括在衬底上形成(202、204、206)氧化物层和金属层。例如，这些层可以包括夹在氧化硅层之间的金属层。然后将非导电结构比如玻璃结合(208)到氧化物层中的一个。然后可以将天线图案化(210)在非导电结构上，并且可以在衬底中形成(212)腔。另一金属层沉积(214)在腔的表面上，并且将圈图案化(216)在金属层中以暴露氧化物层中的一个。在第二衬底上形成(220)另一金属层，并将这两个衬底结合在一起，从而密封该腔。
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公开(公告)号：CN114114099A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110978549.8
申请日：2021-08-25
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
Abstract: 本发明的名称为屏蔽传感器结构及其制造方法。在所描述的实例中，结构(100)包括具有表面的基底(104)，该表面带有多个侧面。传感器(102)定位在基底(104)内，并且种子层(106)在基底(104)的表面的至少四个侧面上方。磁屏蔽层(108)位于基底(104)的表面的至少四个侧面的种子层(106)上方。
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公开(公告)号：CN112514053A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201980050306.9
申请日：2019-07-30
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
Abstract: 所描述的示例提供了电子器件制造和配置方法(100、103)，包括执行(106)增材沉积工艺，该增材沉积工艺将材料沉积在经处理的晶片金属化结构的一侧之上以设定或调节金属化结构的电容器、电感器、电阻器、天线和/或热部件的电路。
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公开(公告)号：CN111052304A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880057377.7
申请日：2018-09-07
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
Abstract: 一种说明性的方法(和装置)包括：蚀刻第一衬底(例如，半导体晶片)中的腔(202)；在第一衬底的第一表面上和腔中形成(204)第一金属层；以及在非导电结构(例如玻璃)上形成(206)第二金属层。方法还可以包括：去除(208)第二金属层的一部分以形成可变光阑以暴露非导电结构的一部分；在第一金属层和第二金属层之间形成(210)结合，从而将非导电结构附接到第一衬底，密封(212)非导电结构和第一衬底之间的界面，和在非导电结构的表面上图案化(214)天线。
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公开(公告)号：CN109470397A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811007607.7
申请日：2018-08-31
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: G01L9/00
Abstract: 本申请公开了基于腔的电磁信号输出的压力测量。一种压力传感器(100)，包括腔(102)、设置在腔(102)内的偶极分子(104)以及压力测量电路(112)。压力测量电路(112)经配置以测量偶极分子(104)的吸收峰的宽度，并且基于吸收峰的宽度确定腔(104)中的压力值。
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